专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

2. 发明专利

TWI667501B 光波分離結構與形成光波分離結構的方法有权
简体标题：光波分离结构与形成光波分离结构的方法
公开(公告)号：TWI667501B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW104109544
申请日：2015-03-25
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：迪爾丹尼爾李 , DIEHL, DANIEL LEE , 曹勇 , CAO, YONG , 朱明偉 , ZHU, MINGWEI , 陳泰舟 , CHEN, TAI CHOU PAPO
IPC分类号： G02B5/28 , C23C14/06

3. 发明专利

TW201708611A 經由物理氣相沉積製程沉積介電膜的方法审中-公开
简体标题：经由物理气相沉积制程沉积介电膜的方法
公开(公告)号：TW201708611A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105118944
申请日：2016-06-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：曾為民 , ZENG, WEIMIN , 尼古言善X , NGUYEN, THANH X. , 程亞娜 , CHENG, YANA , 曹勇 , CAO, YONG , 迪爾丹尼爾李 , DIEHL, DANIEL LEE , 古吉拉史瑞尼瓦思 , GUGGILLA, SRINIVAS , 汪榮軍 , WANG, RONGJUN , 唐先敏 , TANG, XIANMIN
IPC分类号： C23C28/00 , C23C14/34 , C23C16/513
CPC分类号： H01L21/0234 , H01L21/0214 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02266
摘要：在一些實施例中，一種在物理氣相沉積製程腔室中處理安置在基板支撐件之頂部上的基板之方法包括：(a)經由物理氣相沉積製程在基板之第一表面之頂部上沉積介電層至第一厚度；(b)向物理氣相沉積製程腔室之處理區域提供第一電漿形成氣體，其中第一電漿形成氣體包含氫，而不包含碳；(c)向基板支撐件提供第一量之偏壓功率以自物理氣相沉積製程腔室之處理區域內的第一電漿形成氣體形成第一電漿；(d)使介電層曝露於第一電漿中；以及(e)重複(a)至(d)來沉積介電膜至最終厚度。
简体摘要：在一些实施例中，一种在物理气相沉积制程腔室中处理安置在基板支撑件之顶部上的基板之方法包括：(a)经由物理气相沉积制程在基板之第一表面之顶部上沉积介电层至第一厚度；(b)向物理气相沉积制程腔室之处理区域提供第一等离子形成气体，其中第一等离子形成气体包含氢，而不包含碳；(c)向基板支撑件提供第一量之偏压功率以自物理气相沉积制程腔室之处理区域内的第一等离子形成气体形成第一等离子；(d)使介电层曝露于第一等离子中；以及(e)重复(a)至(d)来沉积介电膜至最终厚度。

4. 发明专利

TWI606294B 在膜堆疊上形成硬光罩的方法有权
简体标题：在膜堆栈上形成硬光罩的方法
公开(公告)号：TWI606294B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW103115847
申请日：2014-05-02
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：班卻爾克里斯多夫丹尼斯 , BENCHER, CHRISTOPHER DENNIS , 迪爾丹尼爾李 , DIEHL, DANIEL LEE , 戴輝雄 , DAI, HUIXIONG , 曹勇 , CAO, YONG , 許廷軍 , XU, TINGJUN , 曾爲民 , ZENG, WEIMIN , 謝鵬 , XIE, PENG
IPC分类号： G03F1/68 , G03F1/76
CPC分类号： H01L21/0337 , C23C14/0042 , C23C14/06 , C23C14/14 , C23C14/351 , H01L21/02126 , H01L21/0214 , H01L21/02266 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/3105 , H01L21/31138 , H01L21/31144

5. 发明专利

TW201602650A 光波分離網格與形成光波分離網格的方法审中-公开
简体标题：光波分离网格与形成光波分离网格的方法
公开(公告)号：TW201602650A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104109544
申请日：2015-03-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：迪爾丹尼爾李 , DIEHL, DANIEL LEE , 曹勇 , CAO, YONG , 朱明偉 , ZHU, MINGWEI , 陳泰舟 , CHEN, TAI CHOU PAPO
IPC分类号： G02B5/28 , C23C14/06
CPC分类号： G02B27/1013 , C23C14/0676 , G02B5/285
摘要：本文提供光波分離網格與形成方法。一些實施例中，光波分離網格包括：第一層，具有ROxNy之分子式，其中該第一層具有第一折射率；以及第二層，該第二層配置於該第一層頂上且有別於該第一層，該第二層具有R’OxNy之分子式，其中該第二層具有與該第一折射率不同的第二折射率，且其中R與R’各為金屬或介電材料之一者。一些實施例中，一種形成光波分離網格的方法包括：透過物理氣相沉積製程在基板頂上沉積具有預定期望折射率的第一層；以及於該第一層頂上沉積第二層，該第二層有別於該第一層，其中該第二層具有與該第一折射率不同的預定第二折射率。
简体摘要：本文提供光波分离网格与形成方法。一些实施例中，光波分离网格包括：第一层，具有ROxNy之分子式，其中该第一层具有第一折射率；以及第二层，该第二层配置于该第一层顶上且有别于该第一层，该第二层具有R’OxNy之分子式，其中该第二层具有与该第一折射率不同的第二折射率，且其中R与R’各为金属或介电材料之一者。一些实施例中，一种形成光波分离网格的方法包括：透过物理气相沉积制程在基板顶上沉积具有预定期望折射率的第一层；以及于该第一层顶上沉积第二层，该第二层有别于该第一层，其中该第二层具有与该第一折射率不同的预定第二折射率。

6. 发明专利

TWI624963B 用於ＧａＮ系光電與電子裝置之控氧ＰＶＤ的ＡｌＮ緩衝層有权
简体标题：用于ＧａＮ系光电与电子设备之控氧ＰＶＤ的ＡｌＮ缓冲层
公开(公告)号：TWI624963B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW102127333
申请日：2013-07-30
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：朱明偉 , ZHU, MINGWEI , 帕逖邦德拉納格B , PATIBANDLA, NAG B. , 汪榮軍 , WANG, RONGJUN , 迪爾丹尼爾李 , DIEHL, DANIEL LEE , 阿格拉瓦威維克 , AGRAWAL, VIVEK , 沙布藍尼安納薩 , SUBRAMANI, ANANTHA
IPC分类号： H01L33/12

7. 发明专利

TW201611096A 利用共形碳薄膜減低臨界尺寸之方法审中-公开
简体标题：利用共形碳薄膜减低临界尺寸之方法
公开(公告)号：TW201611096A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104126423
申请日：2015-08-13
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：梅寶其班徹奇 , MEBARKI, BENCHERKI , 金秉憲 , KIM, BOK HOEN , 帕奇迪尼斯 , PADHI, DEENESH , 繆麗妍 , MIAO, LI YAN , 曼納帕拉米特 , MANNA, PRAMIT , 班卻爾克里斯多夫 , BENCHER, CHRISTOPHER , 尼亞克梅乎B , NIAK, MEHUL B. , 戴輝雄 , DAI, HUIXIONG , 倪克里斯多夫S , NGAI, CHRISTOPHER S. , 迪爾丹尼爾李 , DIEHL, DANIEL LEE
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3065 , C23C16/26 , C23C16/513
CPC分类号： H01L21/3088 , H01L21/02115 , H01L21/02266 , H01L21/02274 , H01L21/0276 , H01L21/0337 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31111 , H01L21/31144
摘要：本揭示之實施例大體而言提供一種在與上覆光阻劑層光學匹配的硬光罩中形成尺寸減小的圖案的方法。該方法通常包含在低於光阻劑之分解溫度的溫度下在圖案化光阻劑的場區、側壁、及底部部分和下方的硬光罩上方施加尺寸縮小的共形碳層。本文的方法和實施例進一步涉及藉由蝕刻製程從該圖案化光阻劑的底部部分和該硬光罩去除該共形碳層，以暴露該硬光罩、蝕刻在底部部分的暴露硬光罩基板、接著同時去除該共形碳層、該光阻劑、及其他碳質成分。從而產生具有尺寸減小的特徵、用於進一步的圖案轉移的硬光罩。
简体摘要：本揭示之实施例大体而言提供一种在与上覆光阻剂层光学匹配的硬光罩中形成尺寸减小的图案的方法。该方法通常包含在低于光阻剂之分解温度的温度下在图案化光阻剂的场区、侧壁、及底部部分和下方的硬光罩上方施加尺寸缩小的共形碳层。本文的方法和实施例进一步涉及借由蚀刻制程从该图案化光阻剂的底部部分和该硬光罩去除该共形碳层，以暴露该硬光罩、蚀刻在底部部分的暴露硬光罩基板、接着同时去除该共形碳层、该光阻剂、及其他碳质成分。从而产生具有尺寸减小的特征、用于进一步的图案转移的硬光罩。

8. 发明专利

TW201447475A 用於多圖案化應用的光調諧硬遮罩审中-公开
简体标题：用于多图案化应用的光调谐硬遮罩
公开(公告)号：TW201447475A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103115847
申请日：2014-05-02
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：班卻爾克里斯多夫丹尼斯 , BENCHER, CHRISTOPHER DENNIS , 迪爾丹尼爾李 , DIEHL, DANIEL LEE , 戴輝雄 , DAI, HUIXIONG , 曹勇 , CAO, YONG , 許廷軍 , XU, TINGJUN , 曾爲民 , ZENG, WEIMIN , 謝鵬 , XIE, PENG
IPC分类号： G03F1/68 , G03F1/76
CPC分类号： H01L21/0337 , C23C14/0042 , C23C14/06 , C23C14/14 , C23C14/351 , H01L21/02126 , H01L21/0214 , H01L21/02266 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/3105 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要：本文的實施例提供的方法用於形成PVD氧化矽或富矽氧化物，或PVD SiN或富矽SiN，或SiC或富矽SiC，或前述之組合，包括化合物中含有控制的氫摻雜的變化，以上稱為SiOxNyCz:Hw，其中w、x、y及z可以在從0%到100%的濃度中變化，被生產作為硬光罩，該硬光罩在曝光波長下的光學特性與光阻充分匹配。因此使該硬光罩相對於該光阻為光學上平坦化的。如此允許在該硬光罩中進行多個微影和蝕刻的程序，同時該光阻保持基本上無光學形貌或反射率變化。
简体摘要：本文的实施例提供的方法用于形成PVD氧化硅或富硅氧化物，或PVD SiN或富硅SiN，或SiC或富硅SiC，或前述之组合，包括化合物中含有控制的氢掺杂的变化，以上称为SiOxNyCz:Hw，其中w、x、y及z可以在从0%到100%的浓度中变化，被生产作为硬光罩，该硬光罩在曝光波长下的光学特性与光阻充分匹配。因此使该硬光罩相对于该光阻为光学上平坦化的。如此允许在该硬光罩中进行多个微影和蚀刻的进程，同时该光阻保持基本上无光学形貌或反射率变化。

9. 发明专利

TW201436283A 用於ＧａＮ系光電與電子裝置之控氧ＰＶＤ的ＡｌＮ緩衝層审中-公开
简体标题：用于ＧａＮ系光电与电子设备之控氧ＰＶＤ的ＡｌＮ缓冲层
公开(公告)号：TW201436283A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102127333
申请日：2013-07-30
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：朱明偉 , ZHU, MINGWEI , 帕逖邦德拉納格B , PATIBANDLA, NAG B. , 汪榮軍 , WANG, RONGJUN , 迪爾丹尼爾李 , DIEHL, DANIEL LEE , 阿格拉瓦威維克 , AGRAWAL, VIVEK , 沙布藍尼安納薩 , SUBRAMANI, ANANTHA
IPC分类号： H01L33/12
CPC分类号： H01L33/12 , H01J37/32467 , H01J37/32724 , H01J37/3405 , H01J37/347 , H01L29/2003 , H01L31/1856 , H01L33/007 , H01L33/0075 , Y02E10/544
摘要：茲描述用於GaN系光電與電子裝置的控氧PVD AlN緩衝層。亦描述以控氧方式形成GaN系光電與電子裝置用PVD AlN緩衝層的方法。在一實例中，形成GaN系光電或電子裝置用氮化鋁(AlN)緩衝層的方法涉及反應性濺射AlN層至基板上，反應性濺射涉及使置於物理氣相沉積(PVD)腔室內的含鋁靶材與含氮氣體或以含氮氣體為基礎的電漿反應。方法進一步涉及將氧併入AlN層中。
简体摘要：兹描述用于GaN系光电与电子设备的控氧PVD AlN缓冲层。亦描述以控氧方式形成GaN系光电与电子设备用PVD AlN缓冲层的方法。在一实例中，形成GaN系光电或电子设备用氮化铝(AlN)缓冲层的方法涉及反应性溅射AlN层至基板上，反应性溅射涉及使置于物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材与含氮气体或以含氮气体为基础的等离子反应。方法进一步涉及将氧并入AlN层中。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式