专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW200735420A 氮化物半導體發光元件审中-公开
简体标题：氮化物半导体发光组件
公开(公告)号：TW200735420A
公开(公告)日：2007-09-16
申请号：TW095144224
申请日：2006-11-29
申请人：羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.
发明人：尺田幸男 SHAKUDA, YUKIO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/3407 , H01S5/3408
摘要：本發明係一種氮化物半導體發光元件,其中,井層的膜厚作為比較大之多重量子井構造的同時,使再結合發光促進而提供內部量子效率高之氮化物半導體發光元件。於基板(1)上,包含至少形成發光部之活性層(4)的氮化物半導體層積部(6);活性層乃成為具備交互層積InxGa1-xN(0
简体摘要：本发明系一种氮化物半导体发光组件,其中,井层的膜厚作为比较大之多重量子井构造的同时,使再结合发光促进而提供内部量子效率高之氮化物半导体发光组件。于基板(1)上,包含至少形成发光部之活性层(4)的氮化物半导体层积部(6);活性层乃成为具备交互层积InxGa1-xN(0

2. 发明专利

TW200735418A 氮化物半導體元件审中-公开
简体标题：氮化物半导体组件
公开(公告)号：TW200735418A
公开(公告)日：2007-09-16
申请号：TW095143057
申请日：2006-11-21
申请人：羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.
发明人：尺田幸男 SHAKUDA, YUKIO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/02403 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02636 , H01S5/0218 , H01S5/32341 , H01S2304/04 , H01S2304/12
摘要：本發明係一種氮化物半導體元件,由使用半導體基板之情況,可製作於晶片上下形成一對電極之垂直型的元件,且邊維持高熱傳導性,邊防只在基板的光吸收同時,降低成長於其上方之氮化物半導體的轉位密度,另外,作為基板而使用MgxZn1-xO(0≦x≦0.5),並提供發光效率高之氮化物半導體發光元件,基板(1)則由如MgxZn1-xO(0≦x≦0.5)之氧化鋅系化合物而成,並接合於其基板(1)而設置有第1氮化物半導體層(2),於其第1氮化物半導體層上,層積有具有開口部之掩膜層(4),從開口部選擇成長於橫方向之第2氮化物半導體層(5),和於其第2氮化物半導體層上,呈形成半導體元件地,層積氮化物半導體層(6)~(8)。
简体摘要：本发明系一种氮化物半导体组件,由使用半导体基板之情况,可制作于芯片上下形成一对电极之垂直型的组件,且边维持高热传导性,边防只在基板的光吸收同时,降低成长于其上方之氮化物半导体的转位密度,另外,作为基板而使用MgxZn1-xO(0≦x≦0.5),并提供发光效率高之氮化物半导体发光组件,基板(1)则由如MgxZn1-xO(0≦x≦0.5)之氧化锌系化合物而成,并接合于其基板(1)而设置有第1氮化物半导体层(2),于其第1氮化物半导体层上,层积有具有开口部之掩膜层(4),从开口部选择成长于横方向之第2氮化物半导体层(5),和于其第2氮化物半导体层上,呈形成半导体组件地,层积氮化物半导体层(6)~(8)。

3. 发明专利

TW200835000A 氮化鎵系半導體發光元件审中-公开
简体标题：氮化镓系半导体发光组件
公开(公告)号：TW200835000A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW097101239
申请日：2008-01-11
申请人：羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.
发明人：尺田幸男 SHAKUDA, YUKIO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/32
摘要：本發明係一種氮化鎵系化合物半導體發光元件,其課題乃提供呈防止針對在由含有Au膜之金屬多層膜所構成之透明電極的Au之擴散的GaN係半導體發光元件。於藍寶石基板1上,依序層積有GaN緩衝層2,n型GaN接觸層3,MQW活性層4,p型GaN接觸層5,並於露出有n型GaN接觸層3的面,形成有n型墊片電極8,而設置於p型GaN接觸層5之上面全體之金屬多層膜透明電極6係例如,從p型GaN接觸層5側,由Ni/Au/Ti/Ni所構成,Ti則成為Au之擴散防止金屬層,阻止Au之擴散。
简体摘要：本发明系一种氮化镓系化合物半导体发光组件,其课题乃提供呈防止针对在由含有Au膜之金属多层膜所构成之透明电极的Au之扩散的GaN系半导体发光组件。于蓝宝石基板1上,依序层积有GaN缓冲层2,n型GaN接触层3,MQW活性层4,p型GaN接触层5,并于露出有n型GaN接触层3的面,形成有n型垫片电极8,而设置于p型GaN接触层5之上面全体之金属多层膜透明电极6系例如,从p型GaN接触层5侧,由Ni/Au/Ti/Ni所构成,Ti则成为Au之扩散防止金属层,阻止Au之扩散。

4. 发明专利

TW200731862A 發光裝置审中-公开
简体标题：发光设备
公开(公告)号：TW200731862A
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：TW095142466
申请日：2006-11-16
申请人：羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.
发明人：尺田幸男 SHAKUDA, YUKIO
IPC分类号： H05B
CPC分类号： H05B33/089 , H05B33/0812 , H05B33/0827 , Y02B20/341
摘要：本發明之目的在於提供一種提升可藉由交流電壓驅動之發光裝置的電路保護或提高亮度的穩定性之發光裝置。發光元件群10係包含串聯連接的複數個發光元件單元DU。第1電流限制電路20係與發光元件群10串聯設置,用以限制從發光元件群10之一端流通至另一端的第1驅動電流Idrv1。第2電流限制電路30係與第1電流限制電路20並聯設置,用以限制與第1驅動電流Idrv1反向流通於發光元件群10之第2驅動電流Idrv2。發光元件單元DU係包含第1發光元件Da與第2發光元件Db,且將第1發光元件Da之陽極與第2發光元件Db之陰極予以連接,及將第2發光元件Db之陽極與第1發光元件Da之陰極予以連接而構成。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种提升可借由交流电压驱动之发光设备的电路保护或提高亮度的稳定性之发光设备。发光组件群10系包含串联连接的复数个发光组件单元DU。第1电流限制电路20系与发光组件群10串联设置,用以限制从发光组件群10之一端流通至另一端的第1驱动电流Idrv1。第2电流限制电路30系与第1电流限制电路20并联设置,用以限制与第1驱动电流Idrv1反向流通于发光组件群10之第2驱动电流Idrv2。发光组件单元DU系包含第1发光组件Da与第2发光组件Db,且将第1发光组件Da之阳极与第2发光组件Db之阴极予以连接,及将第2发光组件Db之阳极与第1发光组件Da之阴极予以连接而构成。

5. 发明专利

TW200739952A 發光裝置及照明器具审中-公开
简体标题：发光设备及照明器具
公开(公告)号：TW200739952A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW095147497
申请日：2006-12-18
申请人：羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.
发明人：尺田幸男 SHAKUDA, YUKIO
IPC分类号： H05B , H01L
CPC分类号： H05B33/0803 , H05B33/0815 , H05B33/0821 , Y02B20/346
摘要：本發明係提供可對應於不同電壓之發光裝置及照明器具。發光器具1具備有切換控制手段2及發光裝置3。發光裝置3具備有2個發光陣列21a和21b、及3個電壓輸入端子22a和22b和22c。切換控制手段2係以藉由被供應電源的電壓,切換電壓輸入端子22a~22c的連接,將發光陣列21a和21b予以並聯和串聯,藉此來對發光陣列21a和21b施加額定電壓的方式構成。
简体摘要：本发明系提供可对应于不同电压之发光设备及照明器具。发光器具1具备有切换控制手段2及发光设备3。发光设备3具备有2个发光数组21a和21b、及3个电压输入端子22a和22b和22c。切换控制手段2系以借由被供应电源的电压,切换电压输入端子22a~22c的连接,将发光数组21a和21b予以并联和串联,借此来对发光数组21a和21b施加额定电压的方式构成。

6. 发明专利

TW200739945A 半導體發光元件之製造方法审中-公开
简体标题：半导体发光组件之制造方法
公开(公告)号：TW200739945A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW095145694
申请日：2006-12-07
申请人：羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.
发明人：尺田幸男 SHAKUDA, YUKIO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/40 , H01L25/0753 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2224/24
摘要：本發明係提供一種可充分降低動作電壓的半導體發光元件之製造方法。在本發明之半導體發光元件之製造方法中,係具備有:層積複數個氮化物半導體層,形成半導體層積構造之半導體層積步驟;及於n型半導體層3及p型半導體層5上形成n側電極7及p側電極6之電極形成步驟,在前述電極形成步驟中,於n型半導體層3的n側電極形成區域之表面,形成包含構成n側電極7的一部份之Ni層的第1金屬層13後,於包含氮及氧的環境氣體中,使第1金屬層13退火。
简体摘要：本发明系提供一种可充分降低动作电压的半导体发光组件之制造方法。在本发明之半导体发光组件之制造方法中,系具备有:层积复数个氮化物半导体层,形成半导体层积构造之半导体层积步骤;及于n型半导体层3及p型半导体层5上形成n侧电极7及p侧电极6之电极形成步骤,在前述电极形成步骤中,于n型半导体层3的n侧电极形成区域之表面,形成包含构成n侧电极7的一部份之Ni层的第1金属层13后,于包含氮及氧的环境气体中,使第1金属层13退火。

7. 发明专利

TW200731572A 氮化物半導體元件及其製法审中-公开
简体标题：氮化物半导体组件及其制法
公开(公告)号：TW200731572A
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：TW095138768
申请日：2006-10-20
申请人：羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.
发明人：尺田幸男 SHAKUDA, YUKIO , 園部雅之 SONOBE, MASAYUKI , 伊藤範和 ITO, NORIKAZU
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L33/12 , H01L21/02403 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007
摘要：本發明提供作為基板使用如MgxZn1-xO(0≦x≦0.5)之氧化鋅系化合物,同時使成長於其上部的氮化物半導體的結晶性變佳,防止膜脫離或龜裂的發生,且漏電流很少之高效率的氮化物半導體元件。在基板1上被層積氮化物半導體層而形成的氮化物半導體元件的場合,基板1由MgxZn1-xO(0≦x≦0.5)之類的氧化鋅系化合物所構成,接於該基板1設有由AlyGa1-yN(0.05≦y≦0.2)所構成之第1氮化物半導體層2,以在該第1氮化物半導體層2上形成半導體元件的方式層積氮化物半導體層3~5。
简体摘要：本发明提供作为基板使用如MgxZn1-xO(0≦x≦0.5)之氧化锌系化合物,同时使成长于其上部的氮化物半导体的结晶性变佳,防止膜脱离或龟裂的发生,且漏电流很少之高效率的氮化物半导体组件。在基板1上被层积氮化物半导体层而形成的氮化物半导体组件的场合,基板1由MgxZn1-xO(0≦x≦0.5)之类的氧化锌系化合物所构成,接于该基板1设有由AlyGa1-yN(0.05≦y≦0.2)所构成之第1氮化物半导体层2,以在该第1氮化物半导体层2上形成半导体组件的方式层积氮化物半导体层3~5。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式