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1. 发明专利

TW201327841A 薄膜電晶體及薄膜電晶體之製造方法审中-公开
简体标题：薄膜晶体管及薄膜晶体管之制造方法
公开(公告)号：TW201327841A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101148896
申请日：2012-12-21
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 , JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY , 三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION , 三菱綜合材料電子化成股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS ELECTRONIC CHEMICALS CO., LTD.
发明人：下田達也 , SHIMODA, TATSUYA , 宮迫毅明 , MIYASAKO, TAKAAKI , 塚田博一 , TSUKADA, HIROKAZU
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/02565 , H01L21/02183 , H01L21/02192 , H01L21/02282 , H01L21/02323 , H01L21/02337 , H01L21/02614 , H01L21/0262 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： [課題]本發明之係實現將氧化物適用於閘極絕緣層之薄膜電晶體之高性能化、或是此種薄膜電晶體之製造程序的簡潔化與省能量化。[解決手段]本發明之一薄膜電晶體100係於閘極電極20與通道52之間具備有由鑭(La)與鉭(Ta)所構成之第1氧化物層32(可含有不可避免之雜質)，此第1氧化物層具有下述表面32a：以含鑭(La)之先驅物以及含鉭(Ta)之先驅物為溶質之先驅物溶液做為起始材而在先驅物層之狀態下暴露於鹽酸蒸氣後所形成者。進而，此薄膜電晶體之第1氧化物層32之表面32a係相接於通道52。
简体摘要： [课题]本发明之系实现将氧化物适用于闸极绝缘层之薄膜晶体管之高性能化、或是此种薄膜晶体管之制造进程的简洁化与省能量化。[解决手段]本发明之一薄膜晶体管100系于闸极电极20与信道52之间具备有由镧(La)与钽(Ta)所构成之第1氧化物层32(可含有不可避免之杂质)，此第1氧化物层具有下述表面32a：以含镧(La)之先驱物以及含钽(Ta)之先驱物为溶质之先驱物溶液做为起始材而在先驱物层之状态下暴露于盐酸蒸气后所形成者。进而，此薄膜晶体管之第1氧化物层32之表面32a系相接于信道52。

2. 发明专利

TWI591830B 薄膜電晶體以及薄膜電晶體之製造方法有权
简体标题：薄膜晶体管以及薄膜晶体管之制造方法
公开(公告)号：TWI591830B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW102110167
申请日：2013-03-22
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 , JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：下田達也 , SHIMODA, TATSUYA , 井上聰 , INOUE, SATOSHI , 李金望 , LI, JINWANG , 宮迫毅明 , MIYASAKO, TAKAAKI , 潘仲綏 , PHAN, TRONG TUE
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693

3. 发明专利

TWI480341B 為形成非晶質導電性氧化物膜之先驅體組成物及方法有权
简体标题：为形成非晶质导电性氧化物膜之先驱体组成物及方法
公开(公告)号：TWI480341B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW100124788
申请日：2011-07-13
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 , JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：下田達也 , SHIMODA, TATSUYA , 李金望 , LI, JINWANG
IPC分类号： C09D1/00 , C09D5/24 , H01B5/14 , H01L21/288 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/2206 , C01G55/00 , C01G55/002 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , H01B1/08 , H01L21/02422 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02628 , H01L29/4908 , H01L29/7869

4. 发明专利

TW201436007A 氧化物層及氧化物層之製造方法、以及具備該氧化物層之電容器、半導體裝置、及微機電系統审中-公开
简体标题：氧化物层及氧化物层之制造方法、以及具备该氧化物层之电容器、半导体设备、及微机电系统
公开(公告)号：TW201436007A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103105745
申请日：2014-02-20
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 , JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：下田達也 , SHIMODA, TATSUYA , 德光永輔 , TOKUMITSU, EISUKE , 尾上允敏 , ONOUE, MASATOSHI , 宮迫毅明 , MIYASAKO, TAKAAKI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/92
CPC分类号： C01G33/006 , C01P2002/36 , C01P2004/04 , C01P2006/40 , C23C18/1216 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , H01B1/08 , H01G4/10 , H01G4/33 , H01L28/40
摘要：本發明提供一種具有高介電係數之由鉍(Bi)及鈮(Nb)所構成之氧化物層。本發明之一的氧化物層30係具備由鉍(Bi)及鈮(Nb)所構成之氧化物層(可含有不可避免的雜質)；並且氧化物層30係具有焦氯石型結晶構造之結晶相。其結果，能夠得到具備以習用方法所無法得到之高介電係數的含有由鉍(Bi)與鈮(Nb)所構成之氧化物的氧化物層30。
简体摘要：本发明提供一种具有高介电系数之由铋(Bi)及铌(Nb)所构成之氧化物层。本发明之一的氧化物层30系具备由铋(Bi)及铌(Nb)所构成之氧化物层(可含有不可避免的杂质)；并且氧化物层30系具有焦氯石型结晶构造之结晶相。其结果，能够得到具备以习用方法所无法得到之高介电系数的含有由铋(Bi)与铌(Nb)所构成之氧化物的氧化物层30。

5. 发明专利

TWI514476B 功能性元件之製造方法及功能性元件之製造裝置有权
简体标题：功能性组件之制造方法及功能性组件之制造设备
公开(公告)号：TWI514476B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW101141470
申请日：2012-11-08
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 , JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：下田達也 , SHIMODA, TATSUYA , 金田敏彥 , KANEDA, TOSHIHIKO
IPC分类号： H01L21/316 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/1255 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1637 , B41J2/1645 , H01L21/28291 , H01L21/67098 , H01L27/10805 , H01L27/10873 , H01L27/1262 , H01L27/127 , H01L28/55 , H01L29/78391 , H01L29/7869 , H01L41/0973 , H01L41/317 , H01L41/332 , H01L45/1206 , H01L45/1226 , H01L45/147 , H01L45/1608

6. 发明专利

TWI415736B 圖案形成方法有权
简体标题：图案形成方法
公开(公告)号：TWI415736B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW099111081
申请日：2010-04-09
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 , JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：下田達也 , SHIMODA, TATSUYA , 松木安生 , MATSUKI, YASUO , 川尻陵 , KAWAJIRI, RYO , 增田貴史 , MASUDA, TAKASHI , 金田敏彥 , KANEDA, TOSHIHIKO
IPC分类号： B29C59/02 , C01B33/02
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B33/02 , C01B33/027 , C01B33/18 , C01P2004/01 , C01P2004/20 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/1208 , C23C18/1279 , C23C18/14 , H01L21/02164 , H01L21/02282 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02623 , H01L21/02656 , H01L21/31 , Y10T428/24612

7. 发明专利

TW201340217A 非晶質導電性氧化物膜之形成方法审中-公开
简体标题：非晶质导电性氧化物膜之形成方法
公开(公告)号：TW201340217A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101142899
申请日：2012-11-16
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 , JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：下田達也 , SHIMODA, TATSUYA , 李金望 , LI, JINWANG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02565 , H01B1/08 , H01L21/02614 , H01L29/247 , H01L29/7869
摘要：本發明提供一種非晶質導電性氧化物膜之形成方法，其特徵為於基板上塗佈包含下述成分之組成物而形成塗膜，使該塗膜在氧化性環境下經過加熱步驟：(A1)由鑭系元素(但，鈰除外)選出之金屬之羧酸鹽、烷氧化物、二酮酸鹽、硝酸鹽及鹵化物所組成群組選出之金屬化合物之一種以上a×y莫耳份，(A2)由鉛、鉍、鎳、鈀、銅及銀選出之金屬之羧酸鹽、烷氧化物、二酮酸鹽、硝酸鹽及鹵化物所組成群組選出之金屬化合物之一種以上a×(1-y)莫耳份，以及(B)由釕、銥、銠及鈷選出之金屬之羧酸鹽、烷氧化物、二酮酸鹽、硝酸鹽、鹵化物、亞硝醯基羧酸鹽、亞硝醯基硝酸鹽、亞硝醯基硫酸鹽及亞硝醯基鹵化物所組成群組選出之金屬化合物之一種以上1莫耳份，以及(C)含有由羧酸、醇、酮、二醇及二醇醚所組成群組選出之一種以上之溶劑。
简体摘要：本发明提供一种非晶质导电性氧化物膜之形成方法，其特征为于基板上涂布包含下述成分之组成物而形成涂膜，使该涂膜在氧化性环境下经过加热步骤：(A1)由镧系元素(但，铈除外)选出之金属之羧酸盐、烷氧化物、二酮酸盐、硝酸盐及卤化物所组成群组选出之金属化合物之一种以上a×y莫耳份，(A2)由铅、铋、镍、钯、铜及银选出之金属之羧酸盐、烷氧化物、二酮酸盐、硝酸盐及卤化物所组成群组选出之金属化合物之一种以上a×(1-y)莫耳份，以及(B)由钌、铱、铑及钴选出之金属之羧酸盐、烷氧化物、二酮酸盐、硝酸盐、卤化物、亚硝酰基羧酸盐、亚硝酰基硝酸盐、亚硝酰基硫酸盐及亚硝酰基卤化物所组成群组选出之金属化合物之一种以上1莫耳份，以及(C)含有由羧酸、醇、酮、二醇及二醇醚所组成群组选出之一种以上之溶剂。

8. 发明专利

TW201340151A 固體電子裝置（一）审中-公开
简体标题：固体电子设备（一）
公开(公告)号：TW201340151A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101141473
申请日：2012-11-08
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 , JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：下田達也 , SHIMODA, TATSUYA , 德光永輔 , TOKUMITSU, EISUKE , 尾上允敏 , ONOUE, MASATOSHI , 宮迫毅明 , MIYASAKO, TAKAAKI
IPC分类号： H01G9/07 , H01G9/15
CPC分类号： H01G4/1254 , H01G4/1263 , H01G4/306 , H01L21/02205 , H01L21/02282 , H01L21/02288 , H01L21/76817 , H01L27/016 , H01L28/40 , H01L29/84
摘要：本發明之1個固體電子裝置係具備有藉由在含氧氛圍中加熱以前驅體溶液作為初始材料的前驅體層所形成之鉍(Bi)與鈮(Nb)所構成的氧化物層(可含有無法避免的雜質)，其中該前驅體溶液係以含有鉍(Bi)之前驅體及含有鈮(Nb)之前驅體作為溶質；用以形成該氧化物層之加熱溫度為520℃以上650℃以下。
简体摘要：本发明之1个固体电子设备系具备有借由在含氧氛围中加热以前驱体溶液作为初始材料的前驱体层所形成之铋(Bi)与铌(Nb)所构成的氧化物层(可含有无法避免的杂质)，其中该前驱体溶液系以含有铋(Bi)之前驱体及含有铌(Nb)之前驱体作为溶质；用以形成该氧化物层之加热温度为520℃以上650℃以下。

9. 发明专利

TW201330275A 薄膜電晶體以及薄膜電晶體之製造方法审中-公开
简体标题：薄膜晶体管以及薄膜晶体管之制造方法
公开(公告)号：TW201330275A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101142733
申请日：2012-11-16
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 , JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：下田達也 , SHIMODA, TATSUYA , 宮迫毅明 , MIYASAKO, TAKAAKI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/4908 , H01L21/0237 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L29/7869
摘要： [課題]實現氧化物適用於通道以及閘極絕緣層之薄膜電晶體之高性能化、或是此種薄膜電晶體之製造程序的簡潔化與節能化。[解決手段]本發明之一薄膜電晶體100，係於問極電極220與通道40之間具備有堆疊氧化物30，其具有：第1氧化物(可含有不可避免之雜質)之層32，係相接於閘極電極20，為由鉍(Bi)與鈮(Nb)所構成；以及，第2氧化物(可含有不可避免之雜質)之層34，係相接於通道40，為選自由鑭(La)與鉭(Ta)所構成之氧化物、由鑭(La)與鋯(Zr)所構成之氧化物、以及由鍶(Sr)與鉭(Ta)所構成之氧化物之群中1種；通道40為由銦(In)與鋅(Zn)所構成之通道用氧化物(可含有不可避免之雜質)。
简体摘要： [课题]实现氧化物适用于信道以及闸极绝缘层之薄膜晶体管之高性能化、或是此种薄膜晶体管之制造进程的简洁化与节能化。[解决手段]本发明之一薄膜晶体管100，系于问极电极220与信道40之间具备有堆栈氧化物30，其具有：第1氧化物(可含有不可避免之杂质)之层32，系相接于闸极电极20，为由铋(Bi)与铌(Nb)所构成；以及，第2氧化物(可含有不可避免之杂质)之层34，系相接于信道40，为选自由镧(La)与钽(Ta)所构成之氧化物、由镧(La)与锆(Zr)所构成之氧化物、以及由锶(Sr)与钽(Ta)所构成之氧化物之群中1种；信道40为由铟(In)与锌(Zn)所构成之信道用氧化物(可含有不可避免之杂质)。

10. 发明专利

TWI610351B 氧化物層及氧化物層之製造方法、以及具備該氧化物層之電容器、半導體裝置、及微機電系統有权
简体标题：氧化物层及氧化物层之制造方法、以及具备该氧化物层之电容器、半导体设备、及微机电系统
公开(公告)号：TWI610351B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW103105745
申请日：2014-02-20
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 , JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：下田達也 , SHIMODA, TATSUYA , 德光永輔 , TOKUMITSU, EISUKE , 尾上允敏 , ONOUE, MASATOSHI , 宮迫毅明 , MIYASAKO, TAKAAKI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/92
CPC分类号： C01G33/006 , C01P2002/36 , C01P2004/04 , C01P2006/40 , C23C18/1216 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , H01B1/08 , H01G4/10 , H01G4/33 , H01L28/40

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