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1. 发明专利

TWI419635B 多層印刷電路板有权
简体标题：多层印刷电路板
公开(公告)号：TWI419635B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW096144260
申请日：2007-11-22
申请人： NEC東金股份有限公司 , NEC TOKIN CORPORATION
发明人：吉田榮吉 , YOSHIDA, SHIGEYOSHI , 近藤幸一 , KONDO, KOICHI , 小野裕司 , ONO, HIROSHI , 荒井智次 , ARAI, SATOSHI , 久保寺忠 , KUBODERA, TADASHI
IPC分类号： H05K3/46

2. 发明专利

TW521283B 在準微波段具有最大複合磁導率的磁性物質及其製造方法有权
简体标题：在准微波段具有最大复合磁导率的磁性物质及其制造方法
公开(公告)号：TW521283B
公开(公告)日：2003-02-21
申请号：TW090101619
申请日：2001-01-29
申请人： NEC東金股份有限公司
发明人：吉田榮吉 , 小野裕司 , 安藤慎輔 , 李衛東 , 島田寬
IPC分类号： H01F
CPC分类号： H05K9/0084 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F1/0063 , H01F1/33 , H01F10/007 , H01F41/301 , H05K9/0083
摘要：本發明提供了一種在準微波段範圍內具有複合磁導率最大值的磁性物質以便抑制已縮小其尺寸之電子裝置內的高頻噪訊，該磁性物質是一種包括M、X、和Y的磁性組成，其中：M是一種由鐵、鈷、及/或鎳組成的磁性金屬元素；Y是元素氧、氮、或氟；而X是除M和 Y以外的一種或多種元素，該M-X-Y磁性組成具有的飽和磁化強度是由只包括M之磁性材料構成之金屬塊飽和磁化強度的35到80%，該磁性組成的複合磁導率μ”會在0.1到10十億赫(GHz)之頻率範圍的準微波段之內具有最大值μ”max。
简体摘要：本发明提供了一种在准微波段范围内具有复合磁导率最大值的磁性物质以便抑制已缩小其尺寸之电子设备内的高频噪讯，该磁性物质是一种包括M、X、和Y的磁性组成，其中：M是一种由铁、钴、及/或镍组成的磁性金属元素；Y是元素氧、氮、或氟；而X是除M和 Y以外的一种或多种元素，该M-X-Y磁性组成具有的饱和磁化强度是由只包括M之磁性材料构成之金属块饱和磁化强度的35到80%，该磁性组成的复合磁导率μ”会在0.1到10十亿赫(GHz)之频率范围的准微波段之内具有最大值μ”max。

3. 发明专利

TW510141B 可快速的接附至纜線等之高頻電流抑制器和具有該抑制器之耳機系統有权
简体标题：可快速的接附至缆线等之高频电流抑制器和具有该抑制器之耳机系统
公开(公告)号：TW510141B
公开(公告)日：2002-11-11
申请号：TW090109189
申请日：2001-04-17
申请人：東金股份有限公司
发明人：小野裕司 , 吉田榮吉
IPC分类号： H04R , H05K
CPC分类号： H04R1/1033 , H04B1/3838 , H04M1/6041 , H04M1/62 , H04R2201/107 , H05K9/0066
摘要：耳機系統201包括耳機211、麥克風212、連接插埠213、用於連接上述物件的信號纜線214、以及中空圓柱形高頻電流抑制器215；高頻電流抑制器215在耳機211附近的一個位置接附至信號纜線214，該位置為纜線外層216的外部周邊表面216a所包覆。當用於行動通訊的終端設備時，該終端設備所形成之電磁波，產生的高頻電流可予以減少。耳機系統201可避免人們頭部中SAR(每特定重量所吸收的電力)值的增加。
简体摘要：耳机系统201包括耳机211、麦克风212、连接插端口213、用于连接上述对象的信号缆线214、以及中空圆柱形高频电流抑制器215；高频电流抑制器215在耳机211附近的一个位置接附至信号缆线214，该位置为缆线外层216的外部周边表面216a所包覆。当用于移动通信的终端设备时，该终端设备所形成之电磁波，产生的高频电流可予以减少。耳机系统201可避免人们头部中SAR(每特定重量所吸收的电力)值的增加。

4. 发明专利

TW495969B 具有效雜訊防範措施之磁性隨機存取記憶體失效
简体标题：具有效噪声防范措施之磁性随机存取内存
公开(公告)号：TW495969B
公开(公告)日：2002-07-21
申请号：TW090120078
申请日：2001-08-16
申请人：東金股份有限公司
发明人：小野裕司 , 吉田榮吉 , 增本敏昭
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01F10/3227 , H01L23/16 , H01L23/552 , H01L24/48 , H01L2224/05599 , H01L2224/32245 , H01L2224/45099 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01039 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：一種磁性隨機存取記憶體，具有使用磁性材料之記憶體裝置部份(33，34，35)，及排置在磁性材料附近之高頻電流抑制器(26)，用以抑制流經記憶體裝置部份之高頻電流。記憶體裝置及高頻電流抑制器可以一同在塑膠樹脂之模制體中被塑模。最好是，高頻電流抑制器係由粒狀磁性材料之薄膜製成，粒狀磁性材料具有由M-X-Y代表之組合，其中M為一磁性金屬元素、Y為氧、氮及氟其中之一個，而X則為非M及Y之元素。
简体摘要：一种磁性随机存取内存，具有使用磁性材料之内存设备部份(33，34，35)，及排置在磁性材料附近之高频电流抑制器(26)，用以抑制流经内存设备部份之高频电流。内存设备及高频电流抑制器可以一同在塑胶树脂之模制体中被塑模。最好是，高频电流抑制器系由粒状磁性材料之薄膜制成，粒状磁性材料具有由M-X-Y代表之组合，其中M为一磁性金属元素、Y为氧、氮及氟其中之一个，而X则为非M及Y之元素。

5. 发明专利

TW489327B 發光元件,電漿顯示盤及可强力抑制高頻雜訊所用之CRT顯示裝置有权
简体标题：发光组件,等离子显示盘及可强力抑制高频噪声所用之CRT显示设备
公开(公告)号：TW489327B
公开(公告)日：2002-06-01
申请号：TW090108102
申请日：2001-04-04
申请人：東金股份有限公司
发明人：渡邊真也 , 龜井浩二 , 小野裕司 , 吉田榮吉 , 根本道夫
IPC分类号： H01J
摘要：於含有顯示視窗(73，81，93)之顯示裝置(70，70A，80-80G，90-90F)內，係將磁性耗損膜或層(75，75A，88-88C，97-97C)形成於該顯示視窗主表面之至少某一部位上。該磁性耗損層可能是一種例如由磁性物質製成的含細粒磁性薄膜，該磁性物質係由包括M、X、和Y構成之磁性組成，其中M是一種由鐵、鈷、及/或鎳組成的金屬磁性材料， X係除M和Y之外的一種或多種元素，而Y是氟、氮、及/或氧元素。該磁性秏隕層可能是依選自襯墊、晶格、帶狀、或微粒中任意一種形式而形成的。該磁性耗損層可能是依篩網形式而形成的。
简体摘要：于含有显示窗口(73，81，93)之显示设备(70，70A，80-80G，90-90F)内，系将磁性耗损膜或层(75，75A，88-88C，97-97C)形成于该显示窗口主表面之至少某一部位上。该磁性耗损层可能是一种例如由磁性物质制成的含细粒磁性薄膜，该磁性物质系由包括M、X、和Y构成之磁性组成，其中M是一种由铁、钴、及/或镍组成的金属磁性材料， X系除M和Y之外的一种或多种元素，而Y是氟、氮、及/或氧元素。该磁性秏陨层可能是依选自衬垫、晶格、带状、或微粒中任意一种形式而形成的。该磁性耗损层可能是依筛网形式而形成的。

6. 发明专利

TW356612B 複合磁性體及電磁干擾抑制體失效
简体标题：复合磁性体及电磁干扰抑制体
公开(公告)号：TW356612B
公开(公告)日：1999-04-21
申请号：TW086114193
申请日：1997-09-30
申请人：東金股份有限公司
发明人：吉田榮吉 , 佐藤光晴 , 龜井浩二
IPC分类号： H01Q
CPC分类号： H05K9/0083 , H01F1/0027 , H01F1/26 , H01F1/37 , H01Q17/00 , H01Q17/002 , H01Q17/004 , Y10T307/653
摘要：一種有效的抑制微波帶之電磁干擾的薄型電磁干擾抑制體。而作為此電磁干擾抑制體材料，係以半硬質磁性體材料所成粉末由有機結合劑結合所成，可提供具有高磁性損失的微波帶之複合磁性體。該半硬質磁性材料可採用，Fe-Co-Mo合金、Co-Fe-Nb合金、Fe-Co-V合金等金屬磁性體，或γ-Fe2 O3、以Co-Ti取代的鋇肥粒鐵等之氧化物磁性體。又，有機結合劑的其中一例，可以聚亞氨酯樹脂為之。
简体摘要：一种有效的抑制微波带之电磁干扰的薄型电磁干扰抑制体。而作为此电磁干扰抑制体材料，系以半硬质磁性体材料所成粉末由有机结合剂结合所成，可提供具有高磁性损失的微波带之复合磁性体。该半硬质磁性材料可采用，Fe-Co-Mo合金、Co-Fe-Nb合金、Fe-Co-V合金等金属磁性体，或γ-Fe2 O3、以Co-Ti取代的钡肥粒铁等之氧化物磁性体。又，有机结合剂的其中一例，可以聚亚氨酯树脂为之。

7. 发明专利

TW345667B 高熱傳導性複合磁性體失效
简体标题：高热传导性复合磁性体
公开(公告)号：TW345667B
公开(公告)日：1998-11-21
申请号：TW086113017
申请日：1997-09-09
申请人： NEC東金股份有限公司
发明人：吉田榮吉 , 佐藤光晴 , 小野典彥
IPC分类号： H01F , H04B
CPC分类号： H05K9/0083 , H01L23/3733 , H01L23/3737 , H01L24/29 , H01L2224/29076 , H01L2224/29083 , H01L2224/291 , H01L2224/2929 , H01L2224/2936 , H01L2224/29386 , H01L2224/29499 , H01L2224/32245 , H01L2924/14 , H05K1/0203 , H05K1/0233 , Y10S428/90 , Y10S428/928 , Y10T428/31678 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00
摘要：本發明提供熱傳導性優良之複合磁性體，使軟磁性粉末分散在有機結合劑中所成，具有電磁干擾抑制效果的複合磁性體，在該有機結合劑中更分散有熱傳導性良好之粉末。該複合磁性體，可以兼作電子機器之散熱用片。又，亦可以構成具有電磁干擾抑制效果之散熱器。作為有機結合劑，可以使用熱可塑性聚醯亞胺，液晶聚合物，作為熱傳導性良好之粉末，可以使用Al2O3，AlN，立方晶BN，絕緣性SiC，熱傳導性強化材料(聚醯亞胺薄膜：kapton)。
简体摘要：本发明提供热传导性优良之复合磁性体，使软磁性粉末分散在有机结合剂中所成，具有电磁干扰抑制效果的复合磁性体，在该有机结合剂中更分散有热传导性良好之粉末。该复合磁性体，可以兼作电子机器之散热用片。又，亦可以构成具有电磁干扰抑制效果之散热器。作为有机结合剂，可以使用热可塑性聚酰亚胺，液晶聚合物，作为热传导性良好之粉末，可以使用Al2O3，AlN，立方晶BN，绝缘性SiC，热传导性强化材料(聚酰亚胺薄膜：kapton)。

8. 实用新型

TW330763U 電磁干擾抑制體失效
简体标题：电磁干扰抑制体
公开(公告)号：TW330763U
公开(公告)日：1998-04-21
申请号：TW085208065
申请日：1994-06-22
申请人：東金股份有限公司
发明人：戶川齊 , 吉田榮吉 , 佐藤光晴 , 佐藤忠邦 , 稻部敏久
IPC分类号： H05K
摘要： (目的)
對於電磁波之穿透具有和導電性之遮蔽(shield)材料同等之遮蔽效果，對電磁波之反射不會助長因反射所產生之電磁耦合。(構成)
具有導電性支持體１及設在該導電性支持體１之至少一面上之絕緣性軟磁性體層２，該絕緣性軟磁性體層２係含有軟磁性體粉末３和有機結合劑４。於前述絕緣性軟磁性體層２之上面或下面具有介電體層。前述導電性支持體１係為具有軟磁性之導電性軟磁性體層。
简体摘要： (目的) 对于电磁波之穿透具有和导电性之屏蔽(shield)材料同等之屏蔽效果，对电磁波之反射不会助长因反射所产生之电磁耦合。(构成) 具有导电性支持体１及设在该导电性支持体１之至少一面上之绝缘性软磁性体层２，该绝缘性软磁性体层２系含有软磁性体粉末３和有机结合剂４。于前述绝缘性软磁性体层２之上面或下面具有介电体层。前述导电性支持体１系为具有软磁性之导电性软磁性体层。

9. 发明专利

TW263650B 電子裝置以及該裝置之雜訊抑制方法失效
简体标题：电子设备以及该设备之噪声抑制方法
公开(公告)号：TW263650B
公开(公告)日：1995-11-21
申请号：TW084101723
申请日：1995-02-24
申请人：東金股份有限公司
发明人：吉田榮吉 , 佐藤光晴 , 堀田幸雄
IPC分类号： H05K
摘要：本發明之目的是提供一種電子裝置，可以很容易的抑制由於從配線基板朝向外部放射雜訊以及由於配線基板內部之零件間之互相干擾和信號線間之電磁感應所造成之錯誤動作。
本發明之構造是在配線基板１上安裝有LSI2，在該 LSI2之下之配線基板背面配置有配線導體３。在LSI2和配線基板１之間安裝有與LSI2相同大小之電磁波干擾抑制體Ａ。在安裝LSI2之前，電磁波干援抑制體Ａ被固定在LSI2或配線基板１之任何一方。因為電磁波干擾抑制體Ａ可以使LSI2所產生之不希望有之輻射雜訊被衰減，所以LSI2和配線導體３之感應耦合變成很微弱，藉以有效的抑制配線導體３所產生之雜訊。電磁波干擾抑制體Ａ之形成包含有導電性支持體和設在該導電性支持體之至少一面上之絕緣性軟磁性體層。
简体摘要：本发明之目的是提供一种电子设备，可以很容易的抑制由于从配线基板朝向外部放射噪声以及由于配线基板内部之零件间之互相干扰和信号线间之电磁感应所造成之错误动作。本发明之构造是在配线基板１上安装有LSI2，在该 LSI2之下之配线基板背面配置有配线导体３。在LSI2和配线基板１之间安装有与LSI2相同大小之电磁波干扰抑制体Ａ。在安装LSI2之前，电磁波干援抑制体Ａ被固定在LSI2或配线基板１之任何一方。因为电磁波干扰抑制体Ａ可以使LSI2所产生之不希望有之辐射噪声被衰减，所以LSI2和配线导体３之感应耦合变成很微弱，借以有效的抑制配线导体３所产生之噪声。电磁波干扰抑制体Ａ之形成包含有导电性支持体和设在该导电性支持体之至少一面上之绝缘性软磁性体层。

10. 发明专利

TWI371496B 合金組成物、鐵基奈米結晶合金及其製造方法 ALLOY COMPOSITION, FE-BASED NANOCRYSTALLINE ALLOY AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME 有权
简体标题：合金组成物、铁基奈米结晶合金及其制造方法 ALLOY COMPOSITION, FE-BASED NANOCRYSTALLINE ALLOY AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
公开(公告)号：TWI371496B
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW099123843
申请日：2010-07-20
申请人： NEC東金股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：浦田顯理 , 山田健伸 , 松元裕之 , 吉田榮吉 , 牧野彰宏
IPC分类号： C22C , C21D
CPC分类号： C22C45/02 , B22F1/0044 , B22F1/0048 , C21D6/00 , C21D2201/03 , C22C33/003 , H01F1/15308 , H01F1/15333
摘要：一種組成式係Fe(100-X-Y-Z)BXPYCuZ的合金組成物，其中4≦X≦14at%，0
简体摘要：一种组成式系Fe(100-X-Y-Z)BXPYCuZ的合金组成物，其中4≦X≦14at%，0

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