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1. 发明专利

JPWO2015151803A1 芳香族ビニル化合物が付加したノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物审中-公开
公开(公告)号：JPWO2015151803A1
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：JP2016511520
申请日：2015-03-17
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：貴文遠藤 , 貴文遠藤 , 橋本　圭祐 , 圭祐橋本 , 裕和西巻 , 裕和西巻 , 坂本　力丸 , 力丸坂本
IPC分类号： G03F7/11 , C08G8/30 , C08G12/40 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08G14/02 , C09D161/34 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/0337
摘要：【課題】良好な塗布成膜性を発現するためのリソグラフィーに用いられる溶剤への高い溶解性と成膜時に発生する昇華物を低減することが可能なレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】芳香環含有化合物(A)の芳香環構造と芳香族ビニル化合物(B)のビニル基との反応により得られる構造基(C)を有するノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物。

2. 发明专利

JPWO2015147294A1 表面粗化方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2015147294A1
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：JP2016510567
申请日：2015-03-27
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：安信染谷 , 安信染谷 , 坂本　力丸 , 力丸坂本 , 高広岸岡 , 岸岡　　高広
IPC分类号： B05D5/06 , B05D3/10 , H01L51/50 , H05B33/02
CPC分类号： H01L51/5268 , H01L2251/5369
摘要：本発明は、基板上に又は基板より上方の層上に無機粒子(a1)と有機樹脂(a2)を含む組成物(a3)を塗布し乾燥と硬化を行って有機樹脂層(A)を形成する第1工程と、該基板の上方からエッチングを行って同基板の表面を粗化する第2工程とを含む表面粗化方法に関する。

3. 发明专利

JPWO2015129405A1 レジストパターンに塗布されるポリマー含有塗布液审中-公开
公开(公告)号：JPWO2015129405A1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：JP2016505121
申请日：2015-02-03
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：修平志垣 , 修平志垣 , 康志境田 , 康志境田 , 坂本　力丸 , 力丸坂本
IPC分类号： G03F7/40 , C08G77/14 , C08G77/38 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/405 , G03F7/168 , G03F7/2053 , G03F7/322 , G03F7/38 , H01L21/0271 , H01L21/3086 , H01L21/31138
摘要：【課題】従来のリンス液の代わりに用いられる、レジストパターンに塗布される塗布液を提供する。【解決手段】下記式(1)で表される構造単位を有するポリマーと、水及び/又はアルコール類を含有する溶剤とを含む、レジストパターンに塗布される塗布液。【化1】(式中、R1は炭素原子数1乃至12の有機基を表し、Xは下記式(2)で表される有機基を表す。【化2】(式中、R2及びR3はそれぞれ独立に直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数1乃至3のアルキレン基を表し、当該R2は前記式(1)中の酸素原子と結合し、R4は炭素原子数1乃至4のアルコキシ基、アリルオキシ基又はヒドロキシ基を表し、pは0、1又は2を表す。))【選択図】図1

4. 发明专利

JPWO2015012172A1 レジスト下層膜形成組成物用添加剤及びそれを含むレジスト下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：抗蚀剂下层膜形成用添加剂组合物和抗蚀剂下层膜形成包含相同的组成
公开(公告)号：JPWO2015012172A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015528246
申请日：2014-07-16
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：徳昌藤谷 , 貴文遠藤 , 竜慈大西 , 力丸坂本
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/11 , C08F222/10 , G03F7/168 , G03F7/2053 , G03F7/32 , G03F7/36 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L21/3088
摘要：【課題】レジスト下層膜上に形成されるレジストパターンの当該レジスト下層膜との密着性を増大させるために、レジスト下層膜の表面状態を疎水性状態に改質させるレジスト下層膜形成組成物用添加剤、及びそれを含むレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】下記式(1)で表される構造単位を有する重合体を含むレジスト下層膜形成組成物用添加剤、並びに樹脂バインダー、有機溶剤及び前記添加剤を含むレジスト下層膜形成組成物。【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基を表し、Lは単結合又は二価の連結基を表し、Xはヒドロキシ基を有しない、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基又はヘテロ原子が酸素原子である複素環基を表す。)【選択図】なし
摘要翻译：甲为了提高密合性之间的抗蚀剂上形成的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂图案的下层膜，抗蚀剂添加剂组合物用于形成该修改抗蚀剂下层膜的表面状态对疏水状态的下层膜剂，以及以提供抗蚀剂含有相同下层膜形成用组合物。的抗蚀剂下层膜形成用添加剂，其包含具有由下式（1）表示的结构单元的聚合物组合物，和树脂粘合剂，抗蚀剂下层膜形成含有有机溶剂和添加剂组合物。（式中，R 1表示氢原子或甲基，L表示单键或二价连接基团，X是无羟基基团，脂肪族烃基，脂环族烃基或杂原子表示杂环基为氧原子。）装置技术领域

5. 发明专利

JPWO2014171326A1 レジスト下層膜形成組成物有权
标题翻译：抗蚀剂下层膜形成用组合物
公开(公告)号：JPWO2014171326A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015512438
申请日：2014-04-01
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：圭祐橋本 , 裕和西巻 , 徹也新城 , 安信染谷 , 涼柄澤 , 力丸坂本
IPC分类号： G03F7/11 , C08G61/10 , H01L21/027
CPC分类号： C08G61/02 , C08G61/124 , C08G73/026 , C08G2261/1422 , C08G2261/3241 , C08G2261/3424 , C08L65/00 , C08L79/02 , G03F7/091
摘要：【課題】新規なレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】下記式(1):【化1】(式中、X1は、ハロゲノ基、ニトロ基、アミノ基又はヒドロキシ基で置換されていてもよい芳香環を少なくとも1つ有する炭素原子数6乃至20の二価の有機基を表し、X2は、ハロゲノ基、ニトロ基、アミノ基又はヒドロキシ基で置換されていてもよい芳香環を少なくとも1つ有する炭素原子数6乃至20の有機基、又はメトキシ基を表す。)で表される構造単位を有するポリマー及び溶剤を含むレジスト下層膜形成組成物。【選択図】なし
摘要翻译：提供一种新颖的抗蚀剂下层膜形成用组合物。下式（1）：（在式中，X 1为卤代基，硝基，具有至少一个甚至芳族环碳原子与氨基或羟基基团取代的6 或20的二价有机基团，X 2为卤代基，硝基，具有碳原子数6〜20的具有至少一个连芳香环的有机基团与氨基或羟基基团，或取代的抗蚀剂下层膜形成用组合物包含聚合物和具有由甲氧基表示的结构单元的溶剂。）。系统技术领域

6. 发明专利

JPWO2014092155A1 カルボニル基含有ポリヒドロキシ芳香環ノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物有权
标题翻译：形成包含含羰基的多羟基芳族环的酚醛清漆树脂组合物中的抗蚀剂下层膜
公开(公告)号：JPWO2014092155A1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2014552083
申请日：2013-12-12
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：安信染谷 , 安信染谷 , 涼柄澤 , 涼柄澤 , 橋本　圭祐 , 圭祐橋本 , 徹也新城 , 徹也新城 , 坂本　力丸 , 力丸坂本
IPC分类号： G03F7/11 , C08G8/04 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C09D161/12 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/02118 , H01L21/02318 , H01L21/0274 , H01L21/0277 , H01L21/0332 , H01L21/31144 , Y10T428/31942
摘要：【課題】高いドライエッチング耐性、ウイグリング耐性、耐熱性等を有するリソグラフィー工程に用いられるレジスト下層膜を提供する。【解決手段】式(1):【化1】(式(1)中、Aはポリヒドロキシ芳香族化合物に由来する炭素数6乃至40のヒドロキシ基置換アリーレン基を示し、Bは炭素数6乃至40のアリーレン基又は窒素原子、酸素原子、硫黄原子もしくはこれらの組み合わせを含む炭素数4乃至30の複素環基を示し、X+はH+、NH4+、第1級アンモニウムイオン、第2級アンモニウムイオン、第3級アンモニウムイオン、又は第4級アンモニウムイオンを示し、Tは水素原子、又はハロゲン基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、カルボン酸エステル基、ニトリル基、もしくはこれらの組み合わせた置換基で置換されていても良い炭素数1乃至10のアルキル基、炭素数6乃至40のアリール基又は窒素原子、酸素原子、硫黄原子もしくはこれらの組み合わせを含む炭素数4乃至30の複素環基を示し、BとTはそれらが結合する炭素原子と一緒になって炭素数4乃至40の環を形成してもよい。)の単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。【選択図】なし
摘要翻译：高耐干蚀性，耐Uiguringu，提供了一种在具有光刻工艺耐热性等中使用的抗蚀剂下层膜。公式（1）：## STR1（式（1）中，A表示从多羟基芳香族化合物，其具有6至40个羟基基团取代的亚芳基，B为6〜碳原子 40亚芳基或氮原子，氧原子，硫原子或具有其4至30个碳原子的组合的杂环基团，X +是H +，NH 4 +，伯铵离子，二次铵离子，该叔铵离子，或显示一个季铵离子，T取代有氢原子或卤素基团，羟基，硝基，氨基，羧酸酯基，腈基团或它们的组合的取代基其碳原子数为1至10，芳基或具有6至40个碳原子，氧原子，硫原子或具有其4至30个碳原子的组合的杂环基团，并且B中的氮原子任选地还烷基 T是连同对这些连接可形成4至40个碳原子的环的碳原子上。）所述的抗蚀剂下层膜的形成光刻用包含含有的结构单元的聚合物组合物。系统技术领域

7. 发明专利

JPWO2013051442A1 リソグラフィー用レジスト上層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于平版印刷的抗蚀剂上层膜形成用组合物
公开(公告)号：JPWO2013051442A1
公开(公告)日：2015-03-30
申请号：JP2013537475
申请日：2012-09-26
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：竜慈大西 , 竜慈大西 , 貴文遠藤 , 貴文遠藤 , 坂本　力丸 , 力丸坂本
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/027 , G03F7/11
摘要：【課題】レジスト上層膜を形成するためのリソグラフィー用レジスト上層膜形成組成物を提供する。【解決手段】少なくとも1個のアミノ基を有するベンゼン化合物を含むレジスト上層膜形成組成物。レジストがEUVレジスト又は電子線レジストである。ベンゼン化合物が少なくとも1個のアミノ基と、少なくとも1個のアルキル基とを有するものである。ベンゼン化合物が1乃至2個のアミノ基と、1乃至4個のアルキル基とを有するものである。上記ベンゼン化合物が下記式(1):(式(1)中、R1乃至R5はそれぞれ水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、又はアミノ基である。)の化合物である。上記アルキル基がメチル基、エチル基、又はイソプロピル基である。【選択図】なし
摘要翻译：提供一种光刻用抗蚀剂上层膜形成抗蚀剂上层膜形成组合物。的抗蚀剂上层膜形成用组合物，其包含具有至少一个氨基的苯化合物。抗蚀剂是EUV抗蚀剂或电子束抗蚀剂。苯化合物和至少一个氨基的，那些具有至少一个烷基基团。苯化合物1至2氨基，那些具有1至4的烷基。在苯化合物由以下式（1）表示：其中（1）中，R1〜R5分别表示氢原子，碳原子数为1至10，或氨基的烷基的化合物）。所述烷基为甲基，乙基，或异丙基。系统技术领域

8. 发明专利

JP5610168B2 レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法有权
标题翻译：抗蚀剂下层膜形成用组合物和形成的方法，使用相同的抗蚀剂图案
公开(公告)号：JP5610168B2
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：JP2012544222
申请日：2011-11-11
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：坂本　力丸 , 力丸坂本 , 徳昌藤谷 , 徳昌藤谷 , 貴文遠藤 , 貴文遠藤 , 竜慈大西 , 竜慈大西 , 邦慶何 , 邦慶何
IPC分类号： G03F7/11 , C08G59/62 , C08G65/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/00 , C08L67/04 , G03F7/11

9. 发明专利

JP5561494B2 It euv resist underlayer film forming composition for lithography 有权
公开(公告)号：JP5561494B2
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：JP2011510304
申请日：2010-04-15
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：力丸坂本 , 貴文遠藤 , 邦慶何
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/31116 , C08G59/08 , C08L63/00 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/3081 , Y10S430/106

10. 发明专利

JP5333737B2 Resist underlayer film forming composition and a resist pattern forming method of using the same 有权
公开(公告)号：JP5333737B2
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：JP2009022492
申请日：2009-02-03
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：力丸坂本 , 木村　　茂雄
IPC分类号： G03F7/11 , C08G59/42
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition for forming a resist underfilm, the composition having a sufficient attenuation coefficient and etching selectivity and high solubility even at room temperature. SOLUTION: The composition for forming a resist underfilm contains a polymer having a repeating unit structure expressed by formula (1) and a solvent. In formula (1), Ar represents a benzene ring; A 1 , A 2 , A 3 , A 4 , A 5 and A 6 each independently represents a hydrogen atom or a methyl or ethyl group; and Q represents a divalent organic group between carbon atoms. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

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