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1. 发明专利

TWI642798B 濺鍍靶有权
简体标题：溅镀靶
公开(公告)号：TWI642798B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW105138105
申请日：2016-11-21
申请人：日商田中貴金屬工業股份有限公司 , TANAKA KIKINZOKU KOGYO K. K. , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：譚金光 , THAM, KIM KONG , 櫛引了輔 , KUSHIBIKI, RYOUSUKE , 山本俊哉 , YAMAMOTO, TOSHIYA , 齊藤伸 , SAITO, SHIN , 日向慎太朗 , HINATA, SHINTARO
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/34 , G11B5/851

2. 发明专利

TW201732060A 濺鍍靶审中-公开
简体标题：溅镀靶
公开(公告)号：TW201732060A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105138105
申请日：2016-11-21
申请人：田中貴金屬工業股份有限公司 , TANAKA KIKINZOKU KOGYO K. K. , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：譚金光 , THAM, KIM KONG , 櫛引了輔 , KUSHIBIKI, RYOUSUKE , 山本俊哉 , YAMAMOTO, TOSHIYA , 齊藤伸 , SAITO, SHIN , 日向慎太朗 , HINATA, SHINTARO
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/34 , G11B5/851
CPC分类号： C22C1/04 , C22C1/05 , C22C1/10 , C22C5/04 , C22C19/07 , C23C14/34 , G11B5/851
摘要：本發明係一種濺鍍靶，提供可製作矯頑磁力Hc大的磁性薄膜之濺鍍靶。含有金屬Co、金屬Pt、及氧化物之濺鍍靶，其中，除不可避免之不純物以外未含有金屬Cr之濺鍍靶，前述氧化物係熔點為600℃以下，且，該氧化物之每O21mol之標準生成吉布斯自由能△Gf則為-1000kJ/mol O2以上-500kJ/molO2以下。
简体摘要：本发明系一种溅镀靶，提供可制作矫顽磁力Hc大的磁性薄膜之溅镀靶。含有金属Co、金属Pt、及氧化物之溅镀靶，其中，除不可避免之不纯物以外未含有金属Cr之溅镀靶，前述氧化物系熔点为600℃以下，且，该氧化物之每O21mol之标准生成吉布斯自由能△Gf则为-1000kJ/mol O2以上-500kJ/molO2以下。

3. 发明专利

TW201606092A 濺鍍靶及其製造方法审中-公开
简体标题：溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TW201606092A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104113527
申请日：2015-04-28
申请人：田中貴金屬工業股份有限公司 , TANAKA KIKINZOKU KOGYO K. K. , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：譚金光 , THAM, KIM KONG , 山本俊哉 , YAMAMOTO, TOSHIYA , 齊藤伸 , SAITO, SHIN , 日向慎太朗 , HINATA, SHINTARO , 高橋研 , TAKAHASHI, MIGAKU
IPC分类号： C22C19/07 , C22C5/04 , C22C29/12 , C23C14/34 , C22C1/10 , G11B5/64 , G11B5/851 , H01F10/10
CPC分类号： H01J37/3429 , B22F3/14 , B22F9/04 , B22F9/082 , B22F2301/15 , B22F2301/25 , B22F2302/25 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C04B35/00 , C22C1/0466 , C22C1/05 , C22C1/1084 , C22C5/04 , C22C19/07 , C22F1/10 , C22F1/14 , C23C14/0688 , C23C14/083 , C23C14/14 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , C22C2202/02
摘要：提供可製作保磁力Hc為大的磁性薄膜之濺鍍靶及其製造方法。含有金屬Co、金屬Pt、及氧化物而成的濺鍍靶，其係不含有金屬Cr，且前述氧化物為具有WO3及TiO2之中之至少任一方而成。
简体摘要：提供可制作保磁力Hc为大的磁性薄膜之溅镀靶及其制造方法。含有金属Co、金属Pt、及氧化物而成的溅镀靶，其系不含有金属Cr，且前述氧化物为具有WO3及TiO2之中之至少任一方而成。

4. 发明专利

TW201819659A 磁性記錄媒體用濺鍍靶审中-公开
简体标题：磁性记录媒体用溅镀靶
公开(公告)号：TW201819659A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106136120
申请日：2017-10-20
申请人：日商田中貴金屬工業股份有限公司 , TANAKA KIKINZOKU KOGYO K.K. , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：譚金光 , THAM, KIM KONG , 櫛引了輔 , KUSHIBIKI, RYOUSUKE , 山本俊哉 , YAMAMOTO, TOSHIYA , 齊藤伸 , SAITO, SHIN , 日向慎太朗 , HINATA, SHINTARO
IPC分类号： C23C14/34
摘要：本發明係一種磁性記錄媒體用濺鍍靶，其中，提供：維持良好的磁性特性同時，可製作進行磁性結晶粒的微細化及磁性結晶粒的中心間距離的降低之磁性薄膜的磁性記錄媒體用濺鍍靶者。　　{0＞金属Ｐｔおよび酸化物を含有し、残部が金属Ｃｏおよび不可避的不純物からなる磁気記録媒体用スパッタリングターゲットであって、前記磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの金属成分の合計に対して、金属Ｃｏを７０ａｔ％以上９０ａｔ％以下含有し、金属Ｐｔを１０ａｔ％以上３０ａｔ％以下含有し、前記磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの全体に対して前記酸化物を２６ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下含有し、さらに、前記酸化物は、Ｂ2Ｏ3と、融点が１４７０℃以上２８００℃以下の１種以上の高融点酸化物とからなる。＜}82{＞係含有金屬Pt及氧化物，殘留部則為金屬Co及不可避的雜質所成之磁性記錄媒體用濺鍍靶，其中，對於前述磁性記錄媒體用濺鍍靶之金屬成分的合計而言，含有70at%以上90at%以下金屬Co，含有10at%以上30at%以下金屬Pt，而對於前述磁性記錄媒體用濺鍍靶之全體而言，含有26vol%以上40vol%以下前述氧化物，更且，前述氧化物係由B2O3，和熔點為1470℃以上2800℃以下之1種以上的高熔點氧化物所成者。＜0}
简体摘要：本发明系一种磁性记录媒体用溅镀靶，其中，提供：维持良好的磁性特性同时，可制作进行磁性结晶粒的微细化及磁性结晶粒的中心间距离的降低之磁性薄膜的磁性记录媒体用溅镀靶者。　　{0＞金属Ｐｔおよび酸化物を含有し、残部が金属Ｃｏおよび不可避的不纯物からなる磁気记录媒体用スパッタリングターゲットであって、前记磁気记录媒体用スパッタリングターゲットの金属成分の合计に対して、金属Ｃｏを７０ａｔ％以上９０ａｔ％以下含有し、金属Ｐｔを１０ａｔ％以上３０ａｔ％以下含有し、前记磁気记录媒体用スパッタリングターゲットの全体に対して前记酸化物を２６ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下含有し、さらに、前记酸化物は、Ｂ2Ｏ3と、融点が１４７０℃以上２８００℃以下の１种以上の高融点酸化物とからなる。＜}82{＞系含有金属Pt及氧化物，残留部则为金属Co及不可避的杂质所成之磁性记录媒体用溅镀靶，其中，对于前述磁性记录媒体用溅镀靶之金属成分的合计而言，含有70at%以上90at%以下金属Co，含有10at%以上30at%以下金属Pt，而对于前述磁性记录媒体用溅镀靶之全体而言，含有26vol%以上40vol%以下前述氧化物，更且，前述氧化物系由B2O3，和熔点为1470℃以上2800℃以下之1种以上的高熔点氧化物所成者。＜0}

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