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1. 发明专利

TW201436094A 在雜訊環境中之現場溫度測量审中-公开
简体标题：在噪声环境中之现场温度测量
公开(公告)号：TW201436094A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103105882
申请日：2014-02-21
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：吳寒冰 , WU, HANBING , 沙布藍尼安納薩 , SUBRAMANI, ANANTHA , 王偉 , WANG, WEI W. , 杭特亞倫穆爾 , HUNTER, AARON MUIR
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/67248 , G01J5/0007 , G01J5/0818 , H01L21/68742
摘要：本文揭示用於處理基板之方法及設備。該設備為雙功能處理腔室，該雙功能處理腔室可在基板上執行材料製程及熱製程兩者。該腔室具有環形輻射源，該環形輻射源安置於腔室之處理位置與傳送位置之間。當將基板支撐件下降至低於該輻射源平面以承擔基板之輻射加熱時，升舉銷具有足夠的長度以將基板維持在處理位置處。一或更多個升舉銷具有安置於升舉銷中之光管，以在該升舉銷接觸基板表面時收集由基板發出或傳輸之輻射。
简体摘要：本文揭示用于处理基板之方法及设备。该设备为双功能处理腔室，该双功能处理腔室可在基板上运行材料制程及热制程两者。该腔室具有环形辐射源，该环形辐射源安置于腔室之处理位置与发送位置之间。当将基板支撑件下降至低于该辐射源平面以承担基板之辐射加热时，升举销具有足够的长度以将基板维持在处理位置处。一或更多个升举销具有安置于升举销中之光管，以在该升举销接触基板表面时收集由基板发出或传输之辐射。

3. 发明专利

TW201348489A 沉積室的邊緣環审中-公开
简体标题：沉积室的边缘环
公开(公告)号：TW201348489A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102111924
申请日：2013-04-02
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：戈埃爾艾希思 , GOEL, ASHISH , 沙布藍尼安納薩 , SUBRAMANI, ANANTHA
IPC分类号： C23C14/56
CPC分类号： C23C16/4585 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/564 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01L21/67115 , H01L21/68735
摘要：揭示者為於單一腔室中，用於基板的材料與熱處理的設備和方法。在一個實施例中，設置有邊緣環。該邊緣環包括環形主體，該環形主體具有內周邊邊緣、第一表面與相對於該第一表面的第二表面；第一突起構件，該第一突起構件實質正交地自該第二表面延伸出；第二突起構件；該第二突起構件自鄰近該第一突起構件的該第二表面延伸出，並由第一凹陷與該第一突起構件分離；及第三突起構件；該第三突起構件自鄰近該第二突起構件的第二表面延伸出，並由第二凹陷分離，該第二凹陷包含傾斜表面，該傾斜表面具有反射率值，該反射率值不同於該第一表面的反射率值。
简体摘要：揭示者为於单一腔室中，用于基板的材料与热处理的设备和方法。在一个实施例中，设置有边缘环。该边缘环包括环形主体，该环形主体具有内周边边缘、第一表面与相对于该第一表面的第二表面；第一突起构件，该第一突起构件实质正交地自该第二表面延伸出；第二突起构件；该第二突起构件自邻近该第一突起构件的该第二表面延伸出，并由第一凹陷与该第一突起构件分离；及第三突起构件；该第三突起构件自邻近该第二突起构件的第二表面延伸出，并由第二凹陷分离，该第二凹陷包含倾斜表面，该倾斜表面具有反射率值，该反射率值不同于该第一表面的反射率值。

4. 发明专利

TW201814075A 晶圓處理沉積屏蔽部件审中-公开
简体标题：晶圆处理沉积屏蔽部件
公开(公告)号：TW201814075A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW106134224
申请日：2010-04-07
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：萊克馬丁李 , RIKER,MARTIN LEE , 艾維特莫瑞斯E , EWERT,MAURICE E. , 沙布藍尼安納薩 , SUBRAMANI,ANANTHA
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3408 , C23C14/35 , C23C14/358 , H01J37/3447
摘要：本文所述之實施例一般關於一種用於將材料均勻濺射沉積至基材上具有高深寬比之特徵結構之底部及側壁中的設備及方法。在一實施例中，提供一種定位在一濺射靶材與一基材支撐座間而用於與一屏蔽構件機械及電氣耦接的準直器。該準直器包含一中央區域及一周邊區域，其中該準直器具有複數個延伸貫穿其間的孔口，且其中位於中央區域的孔口具有較位於周邊區域之孔口高的深寬比。
简体摘要：本文所述之实施例一般关于一种用于将材料均匀溅射沉积至基材上具有高深宽比之特征结构之底部及侧壁中的设备及方法。在一实施例中，提供一种定位在一溅射靶材与一基材支撑座间而用于与一屏蔽构件机械及电气耦接的准直器。该准直器包含一中央区域及一周边区域，其中该准直器具有复数个延伸贯穿其间的孔口，且其中位于中央区域的孔口具有较位于周边区域之孔口高的深宽比。

5. 发明专利

TWI560301B 用於沈積腔室的冷卻的反射型接裝板有权
简体标题：用于沉积腔室的冷却的反射型接装板
公开(公告)号：TWI560301B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW102114863
申请日：2013-04-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：戈埃爾艾希思 , GOEL, ASHISH , 沙布藍尼安納薩 , SUBRAMANI, ANANTHA , 艾維特莫瑞斯E , EWERT, MAURICE E.
IPC分类号： C23C14/54 , C23C14/56
CPC分类号： H01L21/02104 , C23C14/541

6. 发明专利

TW201634719A 晶圓處理沉積屏蔽部件审中-公开
简体标题：晶圆处理沉积屏蔽部件
公开(公告)号：TW201634719A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW105104782
申请日：2010-04-07
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：萊克馬丁李 , RIKER, MARTIN LEE , 艾維特莫瑞斯E , EWERT, MAURICE E. , 沙布藍尼安納薩 , SUBRAMANI, ANANTHA
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3408 , C23C14/35 , C23C14/358 , H01J37/3447
摘要：本文所述之實施例一般關於一種用於將材料均勻濺射沉積至基材上具有高深寬比之特徵結構之底部及側壁中的設備及方法。在一實施例中，提供一種定位在一濺射靶材與一基材支撐座間而用於與一屏蔽構件機械及電氣耦接的準直器。該準直器包含一中央區域及一周邊區域，其中該準直器具有複數個延伸貫穿其間的孔口，且其中位於中央區域的孔口具有較位於周邊區域之孔口高的深寬比。
简体摘要：本文所述之实施例一般关于一种用于将材料均匀溅射沉积至基材上具有高深宽比之特征结构之底部及侧壁中的设备及方法。在一实施例中，提供一种定位在一溅射靶材与一基材支撑座间而用于与一屏蔽构件机械及电气耦接的准直器。该准直器包含一中央区域及一周边区域，其中该准直器具有复数个延伸贯穿其间的孔口，且其中位于中央区域的孔口具有较位于周边区域之孔口高的深宽比。

7. 发明专利

TWI695078B 晶圓處理沉積屏蔽部件有权
简体标题：晶圆处理沉积屏蔽部件
公开(公告)号：TWI695078B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW108104471
申请日：2010-04-07
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：萊克馬丁李 , RIKER,MARTIN LEE , 艾維特莫瑞斯E , EWERT,MAURICE E. , 沙布藍尼安納薩 , SUBRAMANI,ANANTHA
IPC分类号： C23C14/34

8. 发明专利

TW201713796A 用於共同濺射多個靶材之方法和設備审中-公开
简体标题：用于共同溅射多个靶材之方法和设备
公开(公告)号：TW201713796A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105126614
申请日：2016-08-19
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：沙布藍尼安納薩 , SUBRAMANI, ANANTHA , 吳寒冰 , WU, HANBING , 王偉 , WANG, WEI W. , 戈埃爾艾希思 , GOEL, ASHISH , 古吉拉史瑞尼瓦思 , GUGGILLA, SRINIVAS , 尼斯托拉芬尼亞E , NISTOR, LAVINIA E.
IPC分类号： C23C16/54 , C23C14/32
CPC分类号： H01J37/3417 , C23C14/3464 , C23C14/564 , H01J37/3441 , H01J37/3447 , H01J37/3464 , H01J37/3485
摘要：於此提供有用於共同濺射多個靶材材料的方法和設備之實施例。在一些實施例中，處理腔室包括：基板支撐件，以支撐基板；複數個陰極，耦接到載體，並具有待被濺射於基板上之相應的複數個靶材；及處理屏蔽件，耦接到載體且在相鄰的多對複數個靶材之間延伸。
简体摘要：于此提供有用于共同溅射多个靶材材料的方法和设备之实施例。在一些实施例中，处理腔室包括：基板支撑件，以支撑基板；复数个阴极，耦接到载体，并具有待被溅射于基板上之相应的复数个靶材；及处理屏蔽件，耦接到载体且在相邻的多对复数个靶材之间延伸。

9. 发明专利

TWI568875B 沉積室的邊緣環有权
简体标题：沉积室的边缘环
公开(公告)号：TWI568875B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW102111924
申请日：2013-04-02
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：戈埃爾艾希思 , GOEL, ASHISH , 沙布藍尼安納薩 , SUBRAMANI, ANANTHA
IPC分类号： C23C14/56
CPC分类号： C23C16/4585 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/564 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01L21/67115 , H01L21/68735

10. 发明专利

TW201350601A 用於沈積腔室的冷卻的反射型接裝板审中-公开
简体标题：用于沉积腔室的冷却的反射型接装板
公开(公告)号：TW201350601A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102114863
申请日：2013-04-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：戈埃爾艾希思 , GOEL, ASHISH , 沙布藍尼安納薩 , SUBRAMANI, ANANTHA , 艾維特莫瑞斯E , EWERT, MAURICE E.
IPC分类号： C23C14/54 , C23C14/56
CPC分类号： H01L21/02104 , C23C14/541
摘要：在一實施例中，設置了一種用於沈積腔室的接裝板。該接裝板包含：一主體；一安裝板，中心地定位於該主體上；一第一環形部，自該安裝板的一第一表面縱向地延伸且由該安裝板的一外表面沿徑向向內佈設；一第二環形部，自該安裝板的一相對的第二表面縱向地延伸且由該安裝板的該外表面沿徑向向內佈設；及一鏡面加工表面，佈設於該第二環形部的該內部，該鏡面加工表面具有一平均表面粗糙度，該平均表面粗糙度為6 Ra或更少。
简体摘要：在一实施例中，设置了一种用于沉积腔室的接装板。该接装板包含：一主体；一安装板，中心地定位于该主体上；一第一环形部，自该安装板的一第一表面纵向地延伸且由该安装板的一外表面沿径向向内布设；一第二环形部，自该安装板的一相对的第二表面纵向地延伸且由该安装板的该外表面沿径向向内布设；及一镜面加工表面，布设于该第二环形部的该内部，该镜面加工表面具有一平均表面粗糙度，该平均表面粗糙度为6 Ra或更少。

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