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    • 5. 发明专利
    • 利用獨立光源以測量晶圓溫度之方法與設備
    • 利用独立光源以测量晶圆温度之方法与设备
    • TW201312673A
    • 2013-03-16
    • TW101124043
    • 2012-07-04
    • 應用材料股份有限公司APPLIED MATERIALS, INC.
    • 李傑瑞阿瑪LEE, JARED AHMAD李吉平LI, JIPING
    • H01L21/66H01L21/306
    • G01J5/0007H01L21/67248
    • 本發明提供一種用於在蝕刻製程期間測量基材溫度的設備,該設備包含:一或多個窗口,該等窗口形成在基材支撐表面中;第一訊號產生器,該第一訊號產生器經配置以激發第一訊號;及第一感測器,該第一感測器經設置以接收:從該第一訊號產生器透射穿越一或多個窗口的能量。本發明提供一種用於在蝕刻製程期間測量基材溫度的方法,該方法包含以下步驟:使用幅射能量來加熱基材;激發第一光;決定代表當該第一光開啟時穿越基材的總體透射率之量度(metric);決定代表當該第一光關閉時穿越基材的背景透射率之量度;及決定製程溫度。
    • 本发明提供一种用于在蚀刻制程期间测量基材温度的设备,该设备包含:一或多个窗口,该等窗口形成在基材支撑表面中;第一信号产生器,该第一信号产生器经配置以激发第一信号;及第一传感器,该第一传感器经设置以接收:从该第一信号产生器透射穿越一或多个窗口的能量。本发明提供一种用于在蚀刻制程期间测量基材温度的方法,该方法包含以下步骤:使用幅射能量来加热基材;激发第一光;决定代表当该第一光打开时穿越基材的总体透射率之量度(metric);决定代表当该第一光关闭时穿越基材的背景透射率之量度;及决定制程温度。