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1. 发明专利

TW200746495A 發光元件、發光元件之製造方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：发光组件、发光组件之制造方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW200746495A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096105552
申请日：2007-02-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY
发明人：野澤俊久 NOZAWA, TOSHIHISA , 茂山和基 MOYAMA, KAZUKI , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 河村忠一 KAWAMURA, CHUICHI , 吉野公彥 YOSHINO, KIMIHIKO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/0017 , H01L51/5012 , H01L51/56
摘要：一種基板處理裝置,係將在第1電極與第2電極之間形成有包含發光層在內之有機層而構成的發光元件,形成在被處理基板上的基板處理裝置,其特徵在於具有:在前述被處理基板上所形成的前述第1電極上形成前述有機層的有機層形成裝置、在前述有機層上形成前述第2電極的電極形成裝置、及蝕刻前述有機層的蝕刻裝置。
简体摘要：一种基板处理设备,系将在第1电极与第2电极之间形成有包含发光层在内之有机层而构成的发光组件,形成在被处理基板上的基板处理设备,其特征在于具有:在前述被处理基板上所形成的前述第1电极上形成前述有机层的有机层形成设备、在前述有机层上形成前述第2电极的电极形成设备、及蚀刻前述有机层的蚀刻设备。

2. 发明专利

TW200924049A 半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW200924049A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW097130369
申请日：2008-08-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY
发明人：上田博一 UEDA, HIROKAZU , 野澤俊久 NOZAWA, TOSHIHISA , 松岡孝明 MATSUOKA, TAKAAKI , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01L21/02274 , H01L21/31055 , H01L21/31116
摘要：本發明之半導體裝置之製造方法係包含以下步驟:在半導體基板上形成半導體元件;及以微波作為電漿源,藉由利用在半導體基板之表面附近,電漿之電子溫度低於1.5 eV、且電漿之電子密度高於1�10^11 cm^-3之微波電漿的CVD處理,而在半導體元件上形成膜。
简体摘要：本发明之半导体设备之制造方法系包含以下步骤:在半导体基板上形成半导体组件;及以微波作为等离子源,借由利用在半导体基板之表面附近,等离子之电子温度低于1.5 eV、且等离子之电子密度高于1�10^11 cm^-3之微波等离子的CVD处理,而在半导体组件上形成膜。

3. 发明专利

TW200834723A 與氣體釋出孔材一體燒結之噴淋板及其製造方法审中-公开
简体标题：与气体发佈孔材一体烧结之喷淋板及其制造方法
公开(公告)号：TW200834723A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096138534
申请日：2007-10-15
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY
发明人：桶作正廣 OKESAKU, MASAHIRO , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 後藤哲也 GOTO, TETSUYA , 松岡孝明 MATSUOKA, TAKAAKI , 野澤俊久 NOZAWA, TOSHIHISA , 井之口敦智 INOKUCHI, ATSUTOSHI , 石橋清隆 ISHIBASHI, KIYOTAKA
IPC分类号： H01L , C23C , C04B
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/45565 , C23C16/45568 , H01J37/32192 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/3255
摘要：本發明提供一種噴淋板,其係將為防止電漿逆流而配置於噴淋板之縱孔內之氣體釋出孔材(陶瓷部件或多孔質氣體流通體)無間隙地一體燒結結合,於使用噴淋板時不會自縱孔脫落,且無來自各縱孔之氣體釋出量的偏差,可更徹底地防止電漿之逆流產生,而可進行高效之電漿激發。於配置於電漿處理裝置之處理室102內且為使處理室102內產生電漿而釋出電漿激發用氣體之噴淋板105中,於作為電漿激發用氣體之釋出路徑之多個縱孔105內,一體燒結結合而配置有具有複數個孔徑為20 ��m至70 ��m之氣體釋出孔之陶瓷部件、及/或具有最大氣孔徑為75 ��m以下且於氣體流通方向上連通之氣孔的多孔質氣體流通體。
简体摘要：本发明提供一种喷淋板,其系将为防止等离子逆流而配置于喷淋板之纵孔内之气体发佈孔材(陶瓷部件或多孔质气体流通体)无间隙地一体烧结结合,于使用喷淋板时不会自纵孔脱落,且无来自各纵孔之气体发佈量的偏差,可更彻底地防止等离子之逆流产生,而可进行高效之等离子激发。于配置于等离子处理设备之处理室102内且为使处理室102内产生等离子而发佈等离子激发用气体之喷淋板105中,于作为等离子激发用气体之发佈路径之多个纵孔105内,一体烧结结合而配置有具有复数个孔径为20 ��m至70 ��m之气体发佈孔之陶瓷部件、及/或具有最大气孔径为75 ��m以下且于气体流通方向上连通之气孔的多孔质气体流通体。

4. 发明专利

TW200903636A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW200903636A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097109928
申请日：2008-03-20
申请人：國立大學法人東北大學 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY , 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 後藤哲也 GOTO, TETSUYA , 井之口敦智 INOKUCHI, ATSUTOSHI , 石橋清隆 ISHIBASHI, KIYOTAKA , 田才忠 TIAN, GAI ZHONG , 野澤俊久 NOZAWA, TOSHIHISA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/45565 , H01J37/3244 , H01J2237/0206
摘要：本發明揭示一種電漿處理方法,其可防止在形成於具有頂板功能之淋灑頭之氣體導入通道產生異常放電。該電漿處理方法係於具備淋灑頭之電漿處理裝置中進行,該淋灑頭具有:氣體導入通道,其係往可減壓之處理容器內導入至少含電漿激發用氣體之氣體;及複數氣體放出口,其係連通於氣體導入通道,往處理容器內放出氣體;經由淋灑頭往處理容器內導入電磁波,對於被處理體W施以電漿處理;氣體導入通道84內之氣體壓力設定為4000 Pa(30 Torr)以上。
简体摘要：本发明揭示一种等离子处理方法,其可防止在形成于具有顶板功能之淋洒头之气体导入信道产生异常放电。该等离子处理方法系于具备淋洒头之等离子处理设备中进行,该淋洒头具有:气体导入信道,其系往可减压之处理容器内导入至少含等离子激发用气体之气体;及复数气体放出口,其系连通于气体导入信道,往处理容器内放出气体;经由淋洒头往处理容器内导入电磁波,对于被处理体W施以等离子处理;气体导入信道84内之气体压力设置为4000 Pa(30 Torr)以上。

5. 发明专利

TW200818969A 發光元件之製造裝置及發光元件之製造方法审中-公开
简体标题：发光组件之制造设备及发光组件之制造方法
公开(公告)号：TW200818969A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096121589
申请日：2007-06-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY
发明人：茂山和基 MOYAMA, KAZUKI , 八木靖司 YAGI, YASUSHI , 野澤俊久 NOZAWA, TOSHIHISA , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 河村忠一 KAWAMURA, CHUICHI , 吉野公彥 YOSHINO, KIMIHIKO
IPC分类号： H05B , C23C
CPC分类号： H01L51/001 , C23C14/12 , C23C14/28 , H01L51/0021 , H01L51/56
摘要：本發明乃一種發光元件之製造裝置及發光元件之製造方法,揭示在於被處理基板上,具有為形成具有含有機層之複數層之發光元件之複數之處理室,於前述複數之處理室,順序搬送被處理基板之發光元件之製造裝置中,複數之處理室實質上連接呈直線狀的同時,在鄰接之2個處理室間,輸送前述被處理基板時,2個處理室被不與前述被處理基板上之層具有反射性之氣體所充滿而構成為特徵發光元件之製造裝置。
简体摘要：本发明乃一种发光组件之制造设备及发光组件之制造方法,揭示在于被处理基板上,具有为形成具有含有机层之复数层之发光组件之复数之处理室,于前述复数之处理室,顺序搬送被处理基板之发光组件之制造设备中,复数之处理室实质上连接呈直线状的同时,在邻接之2个处理室间,输送前述被处理基板时,2个处理室被不与前述被处理基板上之层具有反射性之气体所充满而构成为特征发光组件之制造设备。

6. 发明专利

TW200818547A 發光元件及發光元件之製造方法审中-公开
简体标题：发光组件及发光组件之制造方法
公开(公告)号：TW200818547A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096121588
申请日：2007-06-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY
发明人：八木靖司 YAGI, YASUSHI , 渡邊伸吾 WATANABE, SHINGO , 野澤俊久 NOZAWA, TOSHIHISA , 河村忠一 KAWAMURA, CHUICHI , 吉野公彥 YOSHINO, KIMIHIKO , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/001 , C23C14/12 , C23C14/28 , H01L51/56
摘要：本發明乃一種發光元件之製造裝置及發光元件之製造方法,揭示具有可進行在於被處理基板上為形成具有含有機層之複數層之發光元件的基板處理的複數處理室,複數之處理室乃各別為使形成被處理基板之發光元件的元件形成面,朝向與重力方向相反之方向地,進行被處理基板之基板處理地而構成為特徵者。
简体摘要：本发明乃一种发光组件之制造设备及发光组件之制造方法,揭示具有可进行在于被处理基板上为形成具有含有机层之复数层之发光组件的基板处理的复数处理室,复数之处理室乃各别为使形成被处理基板之发光组件的组件形成面,朝向与重力方向相反之方向地,进行被处理基板之基板处理地而构成为特征者。

7. 发明专利

TWI308036B 用以處理基板之電漿處理系統 PLASMA PROCESSING SYSTEM FOR TREATING A SUBSTRATE 有权
简体标题：用以处理基板之等离子处理系统 PLASMA PROCESSING SYSTEM FOR TREATING A SUBSTRATE
公开(公告)号：TWI308036B
公开(公告)日：2009-03-21
申请号：TW094133476
申请日：2005-09-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：陳立 CHEN, LEE , 神原弘光 KAMBARA, HIROMITSU , 西塚哲也 NISHIZUKA, TETSUYA , 野澤俊久 NOZAWA, TOSHIHISA , 田才忠 TIAN, CAIZHONG
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H01J37/32211 , H01J37/32082 , H01J37/32192
摘要：一種用以處理基板之電漿處理系統,包含一處理槽,其包含一用以接收第一氣體並提供電漿空間之第一槽部分、與一用以接收第二氣體並提供製程空間之第二槽部分,該製程空間具有用以處理該基板之製程化學品。一基板支架與該處理槽之第二槽部分結合,並用以支持鄰近製程空間之該基板,一電漿源與該處理槽之第一槽部分結合,並用以在該電漿空間中形成電漿。一格柵位於該電漿空間與製程空間之間,並用以使電漿得以在該電漿空間與製程空間之間擴散,以由該第二氣體形成該製程化學品。
简体摘要：一种用以处理基板之等离子处理系统,包含一处理槽,其包含一用以接收第一气体并提供等离子空间之第一槽部分、与一用以接收第二气体并提供制程空间之第二槽部分,该制程空间具有用以处理该基板之制程化学品。一基板支架与该处理槽之第二槽部分结合,并用以支持邻近制程空间之该基板,一等离子源与该处理槽之第一槽部分结合,并用以在该等离子空间中形成等离子。一格栅位于该等离子空间与制程空间之间,并用以使等离子得以在该等离子空间与制程空间之间扩散,以由该第二气体形成该制程化学品。

8. 发明专利

TW200805491A 處理裝置审中-公开
简体标题：处理设备
公开(公告)号：TW200805491A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW096107651
申请日：2007-03-06
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：野澤俊久 NOZAWA, TOSHIHISA , 湯淺珠樹 YUASA, TAMAKI
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/67126 , C23C16/4412 , C23C16/511 , C23C16/52 , H01J37/32834 , H01L21/67017 , Y10T137/85978
摘要：本發明係提供一種處理裝置,其係可以於實用區域使用閥開度之際,使處理空間的環境氣體均等地分散至載置台的周圍並排氣。為單片的處理裝置,係具備處理容器42,其係於底部具有排氣口50而可抽真空;載置台44,其係為了載置被處理體W而設置於處理容器內;壓力控制閥88,其係連結至排氣口,且可藉由滑動式的閥體94來改變閥口98的開口區域的面積;及排氣系統90,其係連接至壓力控制閥;在特定的過程壓力下對於被處理體施加特定的處理;以前述載置台的中心軸能夠位於藉由壓力控制閥的閥開度的實用區域而形成的開口區域內之方式,使壓力控制閥偏心而設置。
简体摘要：本发明系提供一种处理设备,其系可以于实用区域使用阀开度之际,使处理空间的环境气体均等地分散至载置台的周围并排气。为单片的处理设备,系具备处理容器42,其系于底部具有排气口50而可抽真空;载置台44,其系为了载置被处理体W而设置于处理容器内;压力控制阀88,其系链接至排气口,且可借由滑动式的阀体94来改变阀口98的开口区域的面积;及排气系统90,其系连接至压力控制阀;在特定的过程压力下对于被处理体施加特定的处理;以前述载置台的中心轴能够位于借由压力控制阀的阀开度的实用区域而形成的开口区域内之方式,使压力控制阀偏心而设置。

9. 发明专利

TW200738895A 原料供給裝置及蒸著裝置审中-公开
简体标题：原料供给设备及蒸着设备
公开(公告)号：TW200738895A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW095148483
申请日：2006-12-22
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：井上雅司 INOUE, MASAJI , 野澤俊久 NOZAWA, TOSHIHISA
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/4481
摘要：一種原料供給裝置,屬於使原料蒸發或昇華而供給到蒸著裝置之處理容器的原料供給裝置,其特徵為:具有:將前述原料保持在內部的原料容器;和將載氣供給到前述原料容器之內部的氣體導入口;和用以將與前述載氣一同蒸發或昇華的前述原料,供給到前述處理容器的氣體排出口,在前述原料容器的內部設置,控制前述載氣之流向的氣流控制部。
简体摘要：一种原料供给设备,属于使原料蒸发或升华而供给到蒸着设备之处理容器的原料供给设备,其特征为:具有:将前述原料保持在内部的原料容器;和将载气供给到前述原料容器之内部的气体导入口;和用以将与前述载气一同蒸发或升华的前述原料,供给到前述处理容器的气体排出口,在前述原料容器的内部设置,控制前述载气之流向的气流控制部。

10. 发明专利

TW200629389A 基板之處理方法 METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE 失效
简体标题：基板之处理方法 METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200629389A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：TW094132806
申请日：2005-09-22
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：陳立 CHEN, LEE , 神原弘光 KAMBARA, HIROMITSU , 西塚哲也 NISHIZUKA, TETSUYA , 野澤俊久 NOZAWA, TOSHIHISA , 田才忠 TIAN, CAIZHONG
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： H01J37/32706 , H01J37/32211 , H01J37/3244 , H01L21/31116
摘要：一種處理基板的方法，包含：將該基板放置於一處理槽中，該處理槽具有一用以界定電漿空間之第一槽部分與一用以界定製程空間之第二槽部分；將第一氣體導入該電漿空間中，並將第二氣體導入該製程空間中。利用結合至該第一槽部分的電漿源，在該電漿空間中由該第一氣體形成電漿；以及在該製程空間中形成用以處理該基板的製程化學品，其係藉著設置一位於該第一槽部分與第二槽部分之間的格柵，如此該電漿可由該電漿空間擴散至該製程空間。
简体摘要：一种处理基板的方法，包含：将该基板放置于一处理槽中，该处理槽具有一用以界定等离子空间之第一槽部分与一用以界定制程空间之第二槽部分；将第一气体导入该等离子空间中，并将第二气体导入该制程空间中。利用结合至该第一槽部分的等离子源，在该等离子空间中由该第一气体形成等离子；以及在该制程空间中形成用以处理该基板的制程化学品，其系借着设置一位于该第一槽部分与第二槽部分之间的格栅，如此该等离子可由该等离子空间扩散至该制程空间。

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