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1. 发明专利

JP6288698B2 表面張力を利用したスピン洗浄装置有权
公开(公告)号：JP6288698B2
公开(公告)日：2018-03-07
申请号：JP2013249358
申请日：2013-12-02
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 株式会社プレテック
发明人：原史朗 , クンプアンソマワン , 池田伸一 , 後藤昭広 , 天野裕
IPC分类号： H01L21/304

2. 发明专利

JP2016111053A シリンジを用いた処理液供給装置およびウェット処理装置审中-公开
标题翻译：具有灌注和湿处理装置的工艺液体供应装置
公开(公告)号：JP2016111053A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2014244226
申请日：2014-12-02
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 株式会社プレテック
发明人：原史朗 , クンプアンソマワン , 小林明雄 , 海野剛史 , 松田苑子
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/306 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/027 , H01L21/304 , H01L21/306
摘要：【課題】ハーフインチサイズのきわめて小さいウェハへの薬液供給方式として、非常に少ない量の薬液を正確に供給できる薬液供給装置およびウェット処理装置を提供する。【解決手段】本発明は、薬液Lを吸入および吐出するシリンジ45と、薬液Lを充填した薬液ボトル42と、一端を薬液ボトル42に接続し他端をシリンジ45に接続し薬液ボトル42内の薬液Lをシリンジ45へ吸入させる吸入用ホース44と、一端を吸入用ホース44の中間部に接続しシリンジ45が吐出した薬液LをウェハWの表面へ供給するための供給用ホース48と、吸入用および供給用ホース44,48それぞれの開閉を制御する三方電磁弁49とを具備した構成である。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种化学品供应装置，其能够将极少量的化学品作为化学品供给方法提供给半英寸尺寸的极小的晶片和湿处理装置。解决方案：工艺液体供应装置包括：吸入和排出化学品L的注射器45; 填充有化学品L的化学瓶42; 吸入软管44，其将化学瓶42中的化学物质L吸入注射器45中，并且其中一端连接到化学瓶42，另一端连接到注射器45; 供给软管48，其将由注射器45排出的化学物质L供给到晶片W的表面，并且其一端连接到吸入软管44的中间部分; 以及控制每个吸入软管44和供给软管48的打开和关闭的三通电磁阀49.选择的图示：图3

3. 发明专利

JP2019117938A シリンジを用いたウェット処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019117938A
公开(公告)日：2019-07-18
申请号：JP2019042670
申请日：2019-03-08
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 株式会社プレテック
发明人：原史朗 , クンプアンソマワン , 小林明雄 , 海野剛史 , 松田苑子
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/027 , H01L21/304
摘要：【課題】ハーフインチサイズのきわめて小さいウェハへ非常に少ない量の薬液を正確に供給するウェット処理装置を提供する。【解決手段】ウェット処置装置の処理装置本体3は、ウェハWが設置されるステージ32と、ウェハW上に薬液Lを供給するための薬液供給装置41と、ウェハWの同心状に、ステージ32に対向させて設けられ、薬液供給装置41から薬液Lが供給される円筒状のノズル35と、を具備する。薬液供給装置41は、薬液Lを吸入および吐出するシリンジ45と、薬液Lを充填した薬液ボトル42と、薬液ボトル42内の薬液Lをシリンジ45へ吸入させる吸入用ホース44と、シリンジ45が吐出した薬液LをウェハWの表面へ供給するための供給用ホース48と、吸入用ホース44および供給用ホース48それぞれの開閉を制御する三方電磁弁49とを備える。ノズル35は、ウェハWの外径寸法以上の外径寸法に形成されている。【選択図】図3

4. 发明专利

JP6184015B2 被処理体に臨んだ位置で加熱する加熱ウェット処理装置およびその方法有权
公开(公告)号：JP6184015B2
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：JP2013249362
申请日：2013-12-02
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 株式会社プレテック
发明人：原史朗 , クンプアンソマワン , 池田伸一 , 後藤昭広 , 天野裕
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/027 , H01L21/306 , H01L21/304

5. 发明专利

JP2015106689A 被処理体に臨んだ位置で加熱する加熱ウェット処理装置およびその方法有权
标题翻译：加热和湿处理装置和加热工件的加热方法
公开(公告)号：JP2015106689A
公开(公告)日：2015-06-08
申请号：JP2013249362
申请日：2013-12-02
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 株式会社プレテック
发明人：原史朗 , クンプアンソマワン , 池田伸一 , 後藤昭広 , 天野裕
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/027 , H01L21/306 , H01L21/304
摘要：【課題】効率良く加熱ウェット洗浄処理できるウェハ洗浄機およびその方法を提供する。【解決手段】本発明は、ウェハWが設置されるステージ34と、ステージ34に設置されたウェハWに洗浄液Lを供給する液吐出ノズル35と、ステージ34に設置されたウェハWに臨んだ位置に設けられ、少なくともウェハWと洗浄機Lとの界面部分を加熱するランプ34eと、を備えた構成としている。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够有效地加热和湿加工的晶片洗涤机，并提供加热和湿法加工方法。一种加热和湿处理装置，包括：台34，其上安装有晶片W; 用于将清洁液体L供应到安装在台架34上的晶片W的液体排出喷嘴35; 以及灯34e，其安装在安装在平台34上的面向晶片W的位置，并且至少加热晶片W与清洗液L之间的界面部分。

6. 发明专利

JP2015106688A 表面張力を利用したスピン洗浄装置有权
标题翻译：旋转清洁装置利用表面张力
公开(公告)号：JP2015106688A
公开(公告)日：2015-06-08
申请号：JP2013249358
申请日：2013-12-02
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 株式会社プレテック
发明人：原史朗 , クンプアンソマワン , 池田伸一 , 後藤昭広 , 天野裕
IPC分类号： H01L21/304
摘要：【課題】少ない量の洗浄液でウェハを効率良く洗浄できる表面張力を利用したウェハ洗浄機およびその方法を提供する。【解決手段】本発明は、ウェハWが設置されるステージ34と、ステージ34を周方向に回転させる回転駆動部34bと、ステージ34に設置されたウェハWに対向して設けられ、ステージ34に設置されたウェハW上に洗浄液Lを供給する液吐出ノズル35と、ステージ34に設置されたウェハWと液吐出ノズル35との間の空間Sに、この空間Sを満たす所定量の洗浄液Lを液吐出ノズル35から供給させるコントロールユニット4と、を備えた構成としている。【選択図】図7
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够用少量清洗液有效地清洗晶片并利用表面张力的晶片清洗机，以及使用晶片清洗机清洗晶片的方法。解决方案：一种旋转清洗机本发明包括：放置晶片W的台34; 旋转驱动部34b，用于使工作台34沿圆周方向旋转; 设置在与放置在载物台34上的晶片W相对的液体排出喷嘴35上，并且在放置在平台34上的晶片W上供给清洗液L; 以及控制单元4，用于通过液体排出喷嘴35允许用于填充要供应到空间S中的空间S的预定量的清洁液体L，在放置在平台34上的晶片W和液体排出喷嘴35。

7. 发明专利

JP6705925B2 シリンジを用いたウェット処理装置有权
公开(公告)号：JP6705925B2
公开(公告)日：2020-06-03
申请号：JP2019042670
申请日：2019-03-08
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 株式会社プレテック
发明人：原史朗 , クンプアンソマワン , 小林明雄 , 海野剛史 , 松田苑子
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/027 , H01L21/304

8. 发明专利

JP2020140977A 半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハ审中-公开
公开(公告)号：JP2020140977A
公开(公告)日：2020-09-03
申请号：JP2019033008
申请日：2019-02-26
申请人：福電資材株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：岩田邦裕 , 原史朗 , クンプアンソマワン , 根本一正 , 石田夕起
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/301
摘要：【課題】ミニマルファブシステムに用いられる小口径の半導体ウェーハにおいて、表面及び裏面に所望の形状の面取り加工を行うことが可能な半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハを提供する。【解決手段】本発明を適用した半導体ウェーハの製造方法の一例である半導体ウェーハの製造方法では、大口径である第1の半導体ウェーハW1から小口径の第2の半導体ウェーハW2を複数切り出す工程において、第2の半導体ウェーハW2の表面及び裏面に面取り加工を行う。【選択図】図1

10. 发明专利

JP6445853B2 抵抗加熱炉有权
公开(公告)号：JP6445853B2
公开(公告)日：2018-12-26
申请号：JP2014243797
申请日：2014-12-02
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 光洋サーモシステム株式会社
发明人：中戸克彦 , 池田伸一 , クンプアンソマワン , 原史朗 , 服部昌 , 森川清彦 , 中谷淳司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/02 , H01L21/31

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