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1. 发明专利

JP2016018916A スピン素子审中-公开
标题翻译：旋转元件
公开(公告)号：JP2016018916A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：JP2014141252
申请日：2014-07-09
申请人：日本電信電話株式会社 , 国立大学法人北海道大学
发明人：関根佳明 , 古賀貴亮 , 末岡和久
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/06 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/82
摘要：【課題】効率よくキャリアスピンの注入や検出ができるようにする。【解決手段】基板101の上に形成された第1半導体層103と、第1半導体層103の上に形成された第2半導体層104と、第2半導体層104の上に形成された第3半導体層105とを備える。また、第2半導体層104は、第1半導体層103よりバンドギャップエネルギーが小さく、第3半導体層105は、第2半導体層104よりバンドギャップエネルギーが大きい。従って、第1半導体層103,第2半導体層104,第5半導体層105は、ダブルヘテロ構造とされている。また、基板101の平面方向に電界印加電極106を挟んで配置されて第2半導体層104に接続して形成され、p型とされた希薄磁性半導体からなる第1電極107および第2電極108を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：允许有效的注入或检测载流子自旋。解决方案：自旋元件包括形成在基板101上的第一半导体层103，形成在第一半导体层103上的第二半导体层104和第三半导体层105形成在第二半导体层104上。第二半导体层104具有小于第一半导体层103的带隙能量，并且第三半导体层105具有比第二半导体层104的带隙能更大的带隙能量。因此，第一半导体层103，第二半导体层104和第三半导体层105具有双异质结构。自旋元件还包括第一电极107和由p型薄磁半导体组成的第二电极108，并且在基板101的平面方向上保持场施加电极106并且与第二半导体层104连接。选择图：图1

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