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    • 4. 发明申请
    • 薄膜結晶の形成方法とそれを用いた半導体素子
    • 形成薄膜晶体的方法和采用该方法的半导体元件
    • WO2002101122A1
    • 2002-12-19
    • PCT/JP2002/002685
    • 2002-03-20
    • 科学技術振興事業団田畑 仁川合 知二
    • 田畑 仁川合 知二
    • C30B25/14
    • C30B25/02C30B25/18C30B29/16H01L21/0242H01L21/02422H01L21/02472H01L21/02551H01L21/02554H01L21/02581
    • A method for forming a thin film crystal and a semiconductor element employing that method, especially a method for forming a high−quality thin film under low temperature by two steps for forming a thin film, and a semiconductor element provided with a new function utilizing a thin film epitaxial growth technology. The method for forming a thin film crystal characterized by comprising a step (a) for forming a high temperature buffer layer on a substrate, and step (b) for growing a thin film on the high temperature buffer layer under a low temperature. The semiconductor element having a thin film crystal characterized by comprising (a) a high temperature buffer layer formed on a substrate, and (b) a low temperature thin film formed on the high temperature buffer layer. The inventive method for forming a thin film crystal and the semiconductor element employing that method are especially suitable for the field of semiconductor device because a thin film can be formed at a low temperature.
    • 一种使用该方法形成薄膜晶体的方法和使用该方法的半导体元件,特别是用于在低温下通过两步形成薄膜来形成高质量薄膜的方法,以及具有利用 薄膜外延生长技术。 一种形成薄膜晶体的方法,其特征在于包括在基板上形成高温缓冲层的步骤(a)和用于在低温下在高温缓冲层上生长薄膜的步骤(b)。 具有薄膜晶体的半导体元件的特征在于,包括:(a)在基板上形成的高温缓冲层,和(b)在高温缓冲层上形成的低温薄膜。 本发明的用于形成薄膜晶体的方法和采用该方法的半导体元件特别适用于半导体器件的领域,因为可以在低温下形成薄膜。