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1. 发明授权

CN1237204C 高密度等离子体化学汽相淀积设备失效
公开(公告)号：CN1237204C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN02131978.2
申请日：2002-08-30
申请人：周星工程股份有限公司
发明人：沈境植 , 李永锡 , 郑淳彬 , 李政范
IPC分类号： C23C16/50
CPC分类号： H01J37/321 , C23C16/4401 , C23C16/4557 , C23C16/507 , H01J37/3244
摘要：一种高密度等离子体化学汽相淀积(HDP-CVD)设备，它包括：一个反应腔，它由一上部敞开的下腔体和一盖住下腔体上部的陶瓷圆顶构成；一根装在下腔体处的排气管；一个覆盖陶瓷圆顶外壁的射频(RF)线圈；一根喷气管，它从反应腔外面穿过陶瓷圆顶的边缘端部插入到陶瓷圆顶的壁中，被引导向陶瓷圆顶的中间部分，并在陶瓷圆顶的中间部分处伸出到反应腔的内部空间中；以及一个装在反应腔内部用来安放基板的基板支座。由于用于反应的气体被预先加热且是从反应腔的上方中间部分供应出来的，所以反应程度提高且可以在淀积过程主要进行之处的反应腔中心部分形成高密度等离子体。因此，淀积功效提高，且可无空隙地填满间隙。

2. 发明公开

CN1403627A 高密度等离子体化学汽相淀积设备失效
公开(公告)号：CN1403627A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN02131978.2
申请日：2002-08-30
申请人：周星工程股份有限公司
发明人：沈境植 , 李永锡 , 郑淳彬 , 李政范
IPC分类号： C23C16/50
CPC分类号： H01J37/321 , C23C16/4401 , C23C16/4557 , C23C16/507 , H01J37/3244
摘要：一种高密度等离子体化学汽相淀积(HDP－CVD)设备，它包括：一个反应腔，它由一上部敞开的下腔体和一盖住下腔体上部的陶瓷圆顶构成；一根装在下腔体处的排气管；一个覆盖陶瓷圆顶外壁的射频(RF)线圈；一根喷气管，它从反应腔外面穿过陶瓷圆顶的边缘端部插入到陶瓷圆顶的壁中，被引导向陶瓷圆顶的中间部分，并在陶瓷圆顶的中间部分处伸出到反应腔的内部空间中；以及一个装在反应腔内部用来安放基板的基板支座。由于用于反应的气体被预先加热且是从反应腔的上方中间部分供应出来的，所以反应程度提高且可以在淀积过程主要进行之处的反应腔中心部分形成高密度等离子体。因此，淀积功效提高，且可无空隙地填满间隙。

3. 发明专利

TW527648B 單晶圓低壓化學氣相沈積裝置有权
简体标题：单晶圆低压化学气相沉积设备
公开(公告)号：TW527648B
公开(公告)日：2003-04-11
申请号：TW091103442
申请日：2002-02-26
申请人：周星工程股份有限公司
发明人：沈境植
IPC分类号： H01L
摘要：本揭露為一單晶圓低壓化學氣相(LPCVD)沉積裝置，單晶圓低壓化學氣相沉積裝置包括：一具有由石英圓頂密封之上部分的真空室，此真空室接收裝載於其中的一單晶圓；一具有圓頂形內壁之鐘口，此鐘口覆蓋石英圓頂，並由一選定的內間隙與石英圓頂隔開；一建立於鐘口與石英圓頂間的圓頂形電漿電極；一射頻電力供應器，以對圓頂形電漿電極供應射頻電力；一在鐘口的整個內壁上之絕熱壁；一具有一加熱線與一覆蓋加熱線之絕緣體的護皮(sheath)加熱器，並將護皮加熱器以線圈的形狀貼附在絕熱壁的表面上；及一建立在鐘口壁內的冷卻管。如此可增強真空室內的溫度均勻性，且不需製造熱製程的高溫加熱器。圓頂形電漿電極可由金屬管取代，使得熱可非常有效率地由護皮加熱器傳導至真空室內，並可得一電感偶合電漿。
简体摘要：本揭露为一单晶圆低压化学气相(LPCVD)沉积设备，单晶圆低压化学气相沉积设备包括：一具有由石英圆顶密封之上部分的真空室，此真空室接收装载于其中的一单晶圆；一具有圆顶形内壁之钟口，此钟口覆盖石英圆顶，并由一选定的内间隙与石英圆顶隔开；一创建于钟口与石英圆顶间的圆顶形等离子电极；一射频电力供应器，以对圆顶形等离子电极供应射频电力；一在钟口的整个内壁上之绝热壁；一具有一加热线与一覆盖加热线之绝缘体的护皮(sheath)加热器，并将护皮加热器以线圈的形状贴附在绝热壁的表面上；及一创建在钟口壁内的冷却管。如此可增强真空室内的温度均匀性，且不需制造热制程的高温加热器。圆顶形等离子电极可由金属管取代，使得热可非常有效率地由护皮加热器传导至真空室内，并可得一电感偶合等离子。

4. 发明专利

TW504738B 原子層沈積方法及設有可旋轉式氣體噴射器的半導體裝置製造設備有权
简体标题：原子层沉积方法及设有可旋转式气体喷射器的半导体设备制造设备
公开(公告)号：TW504738B
公开(公告)日：2002-10-01
申请号：TW090119595
申请日：2001-08-09
申请人：周星工程股份有限公司
发明人：黃周 , 沈境植
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭露一種原子層沉積(ALD,Atomic Layer Deposition)方法，包含：分別載入複數個基板至複數個反應單元區內，該複數個反應單元區配置於一與外界狀況隔離的反應室；以交替及重複的方式供應各種不同種類的蒸氣物質到各個基板上，使得各個基板上得以生成一薄膜，其中各個噴射單一種類蒸氣物質之複數個蒸氣噴射管，在各個基板上做週期性的掃描，藉以能夠交替性及重複性的供應各種不同種類的蒸氣至各個基板上。在另一實施態樣中，本發明揭露一種半導體裝置製造設備，包含：複數個分別安裝有同數目基板的晶座；一藉以將複數個晶座上之所有基板與外界狀況隔離的反應室；複數個配置在基板上方的蒸氣噴射管，各個蒸氣噴射管均可相對於基板做旋轉運動，且以週期性的方式供應一種蒸氣物質至各個基板；複數個排氣部，各個排氣部配置於一相對應的晶座上，藉以排放出反應室內的殘留氣體。
简体摘要：本发明揭露一种原子层沉积(ALD,Atomic Layer Deposition)方法，包含：分别加载复数个基板至复数个反应单元区内，该复数个反应单元区配置于一与外界状况隔离的反应室；以交替及重复的方式供应各种不同种类的蒸气物质到各个基板上，使得各个基板上得以生成一薄膜，其中各个喷射单一种类蒸气物质之复数个蒸气喷射管，在各个基板上做周期性的扫描，借以能够交替性及重复性的供应各种不同种类的蒸气至各个基板上。在另一实施态样中，本发明揭露一种半导体设备制造设备，包含：复数个分别安装有同数目基板的晶座；一借以将复数个晶座上之所有基板与外界状况隔离的反应室；复数个配置在基板上方的蒸气喷射管，各个蒸气喷射管均可相对于基板做旋转运动，且以周期性的方式供应一种蒸气物质至各个基板；复数个排气部，各个排气部配置于一相对应的晶座上，借以排放出反应室内的残留气体。

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