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1. 发明专利

TWI574977B 聚乙烯醇系聚合物薄膜及其製造方法有权
简体标题：聚乙烯醇系聚合物薄膜及其制造方法
公开(公告)号：TWI574977B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW102110911
申请日：2013-03-27
申请人：可樂麗股份有限公司 , KURARAY CO., LTD.
发明人：森保二郎 , MORI, YASUJIRO , 風藤修 , KAZETO, OSAMU
IPC分类号： C08F16/06 , C08K3/22 , G02B5/30
CPC分类号： C08J5/18 , C08J2329/04

2. 发明专利

TW201627332A 聚乙烯醇系聚合物薄膜及其製造方法审中-公开
简体标题：聚乙烯醇系聚合物薄膜及其制造方法
公开(公告)号：TW201627332A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104139310
申请日：2015-11-26
申请人：可樂麗股份有限公司 , KURARAY CO., LTD.
发明人：森保二郎 , MORI, YASUJIRO , 鈴木悠希 , SUZUKI, YUUKI , 勝野良治 , KATUNO, RYOJI , 森翔大朗 , MORI, SHOTARO
IPC分类号： C08F16/06 , C08J5/18 , B29C41/26 , B29C41/46 , B29C41/52 , G02B1/04 , G02B5/30 , B29K29/00 , B29L7/00 , B29L11/00
CPC分类号： B29C41/24 , C08J5/18 , G02B5/30
摘要：本發明為一種PVA系聚合物薄膜，其係滿足下述式(I)及(II)；△n(MD)Ave≦1.3×10-3 (I) △n(TD)Ave≦1.3×10-3 (II) [上述式中，△n(MD)Ave表示在該薄膜之厚度方向將PVA系聚合物薄膜的機械流動方向之雙折射率予以平均化的數值，△n(TD)Ave表示在該薄膜之厚度方向將PVA系聚合物薄膜的寬度方向之雙折射率予以平均化的數值]。該PVA系聚合物薄膜係在染色時採用延伸直到較高延伸倍率之方法的情況或採用較高延伸溫度的情況，均可不產生斷裂而以高倍率進行延伸，並根據前述而可以良好的作業性、高良率、低成本、及良好的生產性來製造偏光薄膜等之延伸薄膜。
简体摘要：本发明为一种PVA系聚合物薄膜，其系满足下述式(I)及(II)；△n(MD)Ave≦1.3×10-3 (I) △n(TD)Ave≦1.3×10-3 (II) [上述式中，△n(MD)Ave表示在该薄膜之厚度方向将PVA系聚合物薄膜的机械流动方向之双折射率予以平均化的数值，△n(TD)Ave表示在该薄膜之厚度方向将PVA系聚合物薄膜的宽度方向之双折射率予以平均化的数值]。该PVA系聚合物薄膜系在染色时采用延伸直到较高延伸倍率之方法的情况或采用较高延伸温度的情况，均可不产生断裂而以高倍率进行延伸，并根据前述而可以良好的作业性、高良率、低成本、及良好的生产性来制造偏光薄膜等之延伸薄膜。

3. 发明专利

TW201402661A 聚乙烯醇系聚合物薄膜及其製造方法审中-公开
简体标题：聚乙烯醇系聚合物薄膜及其制造方法
公开(公告)号：TW201402661A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102110808
申请日：2013-03-27
申请人：可樂麗股份有限公司 , KURARAY CO., LTD.
发明人：森保二郎 , MORI, YASUJIRO , 中居壽夫 , NAKAI, TOSHIO
IPC分类号： C08J5/18 , B29C55/06 , G02B5/30 , B29K29/00
CPC分类号： B29C41/26 , B29D11/00644 , B29K2029/04 , B29K2995/0034 , C08J5/18 , C08J2429/04 , G02B5/3033
摘要：本發明係提供一種可製造長波長區域之吸光度高，而且偏光度高之偏光薄膜的PVA系聚合物薄膜、以及其製造方法。本發明係在水中之結晶長周期為14.5~16.0nm的PVA系聚合物薄膜。又，本發明為一種PVA系聚合物薄膜之製造方法，其係於使用具備旋轉軸相互平行之多個乾燥輥與熱處理輥的製膜裝置而將PVA系聚合物薄膜製膜時，使式(I)所示的T1→2成為60~75而予以乾燥，T1→2={T1×(40-V1)+T2×(V1-V2)}/(40-V2) (I) (T1表示第1乾燥輥的表面溫度(℃)，V1表示自第1乾燥輥剝離時之薄膜的揮發分率(質量%；但為10~30)，T2表示由第2乾燥輥至最後的乾燥輥為止之各乾燥輥的表面溫度之平均值(℃)，V2表示自最後的乾燥輥剝離時之薄膜的揮發分率(質量%))。
简体摘要：本发明系提供一种可制造长波长区域之吸光度高，而且偏光度高之偏光薄膜的PVA系聚合物薄膜、以及其制造方法。本发明系在水中之结晶长周期为14.5~16.0nm的PVA系聚合物薄膜。又，本发明为一种PVA系聚合物薄膜之制造方法，其系于使用具备旋转轴相互平行之多个干燥辊与热处理辊的制膜设备而将PVA系聚合物薄膜制膜时，使式(I)所示的T1→2成为60~75而予以干燥，T1→2={T1×(40-V1)+T2×(V1-V2)}/(40-V2) (I) (T1表示第1干燥辊的表面温度(℃)，V1表示自第1干燥辊剥离时之薄膜的挥发分率(质量%；但为10~30)，T2表示由第2干燥辊至最后的干燥辊为止之各干燥辊的表面温度之平均值(℃)，V2表示自最后的干燥辊剥离时之薄膜的挥发分率(质量%))。

4. 发明专利

TWI526292B 偏光薄膜之製造方法有权
简体标题：偏光薄膜之制造方法
公开(公告)号：TWI526292B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW103130975
申请日：2012-03-27
申请人：可樂麗股份有限公司 , KURARAY CO., LTD.
发明人：森保二郎 , MORI, YASUJIRO , 風藤修 , KAZETO, OSAMU , 日笠慎太郎 , HIKASA, SHINTARO , 勝野良治 , KATSUNO, RYOJI
IPC分类号： B29C55/04 , G02B5/30 , B29K29/00 , B29L7/00 , B29L11/00
CPC分类号： B29C41/26 , B29K2029/04 , B29K2995/0034 , G02B5/3025 , G02B5/3083

5. 发明专利

TW201446470A 偏光薄膜之製造方法审中-公开
简体标题：偏光薄膜之制造方法
公开(公告)号：TW201446470A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103130975
申请日：2012-03-27
申请人：可樂麗股份有限公司 , KURARAY CO., LTD.
发明人：森保二郎 , MORI, YASUJIRO , 風藤修 , KAZETO, OSAMU , 日笠慎太郎 , HIKASA, SHINTARO , 勝野良治 , KATSUNO, RYOJI
IPC分类号： B29C55/04 , G02B5/30 , B29K29/00 , B29L7/00 , B29L11/00
CPC分类号： B29C41/26 , B29K2029/04 , B29K2995/0034 , G02B5/3025 , G02B5/3083
摘要：本發明提供一種PVA薄膜及其製造方法，其係極限延伸倍率高、能夠以高生產性、良好產率製造之以高倍率單軸延伸也不斷裂，光學性能優異的偏光薄膜。本發明提供滿足下列式(I)及(II)之PVA薄膜：Δn(MD)Ave-0.1×10-3≦Δn(TD)Ave≦Δn(MD)Ave+0.25×10-3 (I) Δn(TD)Ave≦2.5×10-3 (II) [式中，Δn(MD)Ave表示PVA薄膜之長度方向之複折射率沿薄膜厚度方向平均化之值、Δn(TD)Ave表示PVA薄膜之寬度方向之複折射率沿薄膜厚度方向平均化之值]，並提供該PVA薄膜之製造方法，包含：(a)於具備多數乾燥輥之製膜裝置之第1乾燥輥上，吐出含PVA之製膜原液為薄膜狀，部分乾燥後以後續的乾燥輥依序乾燥並製造時，(b)使乾燥輥的周速(ST)相對於PVA薄膜之揮發分率成為13質量%時之第1乾燥輥的周速(S1)之比值(ST/S1)為0.990~1.050，(c)使最終乾燥輥的周速(SL)相對於周速(ST)之比值(SL/ST)為0.960~0.980，(d)比值(SL/S1)為0.970~1.010。
简体摘要：本发明提供一种PVA薄膜及其制造方法，其系极限延伸倍率高、能够以高生产性、良好产率制造之以高倍率单轴延伸也不断裂，光学性能优异的偏光薄膜。本发明提供满足下列式(I)及(II)之PVA薄膜：Δn(MD)Ave-0.1×10-3≦Δn(TD)Ave≦Δn(MD)Ave+0.25×10-3 (I) Δn(TD)Ave≦2.5×10-3 (II) [式中，Δn(MD)Ave表示PVA薄膜之长度方向之复折射率沿薄膜厚度方向平均化之值、Δn(TD)Ave表示PVA薄膜之宽度方向之复折射率沿薄膜厚度方向平均化之值]，并提供该PVA薄膜之制造方法，包含：(a)于具备多数干燥辊之制膜设备之第1干燥辊上，吐出含PVA之制膜原液为薄膜状，部分干燥后以后续的干燥辊依序干燥并制造时，(b)使干燥辊的周速(ST)相对于PVA薄膜之挥发分率成为13质量%时之第1干燥辊的周速(S1)之比值(ST/S1)为0.990~1.050，(c)使最终干燥辊的周速(SL)相对于周速(ST)之比值(SL/ST)为0.960~0.980，(d)比值(SL/S1)为0.970~1.010。

6. 发明专利

TW201402306A 乙烯改性聚乙烯醇系聚合物薄膜审中-公开
公开(公告)号：TW201402306A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102108762
申请日：2013-03-13
申请人：可樂麗股份有限公司 , KURARAY CO., LTD.
发明人：森保二郎 , MORI, YASUJIRO , 中居壽夫 , NAKAI, TOSHIO , 真田恭太 , SANADA, KYOTA , 風藤修 , KAZETO, OSAMU , 日笠慎太郎 , HIKASA, SHINTARO , 勝野良治 , KATSUNO, RYOJI
IPC分类号： B29C55/04 , G02B5/30 , B29K29/00 , B29L7/00 , B29L11/00
CPC分类号： C08J5/18 , B29C55/04 , C08J2329/04 , G02B5/3083
摘要：本發明課題為提供一種PVA系聚合物薄膜，其係即使以高速且高倍率進行延伸，薄膜也不易破裂、能夠以良好的作業性、高產率、低成本且生產性良好地製造出具有與以往產品同等以上的光學性能的偏光薄膜等的延伸薄膜。解決手段為一種乙烯改性PVA系聚合物薄膜，其特徵為：含有乙烯單元含有率為1~4莫耳%的乙烯改性PVA系聚合物，並且滿足下述式(I)及(II)：Δn(MD)Ave-0.1×10-3≦Δn(TD)Ave≦Δn(MD)Ave+0.25×10-3 (I) Δn(TD)Ave≦2.5×10-3 (II) [上述式中，Δn(MD)Ave表示將乙烯改性PVA系聚合物薄膜的機械加工方向的雙折射率沿該薄膜的厚度方向平均化之值，△n(TD)Ave表示將乙烯改性PVA系聚合物薄膜的寬度方向的雙折射率沿該薄膜的厚度方向平均化之值]。
简体摘要：本发明课题为提供一种PVA系聚合物薄膜，其系即使以高速且高倍率进行延伸，薄膜也不易破裂、能够以良好的作业性、高产率、低成本且生产性良好地制造出具有与以往产品同等以上的光学性能的偏光薄膜等的延伸薄膜。解决手段为一种乙烯改性PVA系聚合物薄膜，其特征为：含有乙烯单元含有率为1~4莫耳%的乙烯改性PVA系聚合物，并且满足下述式(I)及(II)：Δn(MD)Ave-0.1×10-3≦Δn(TD)Ave≦Δn(MD)Ave+0.25×10-3 (I) Δn(TD)Ave≦2.5×10-3 (II) [上述式中，Δn(MD)Ave表示将乙烯改性PVA系聚合物薄膜的机械加工方向的双折射率沿该薄膜的厚度方向平均化之值，△n(TD)Ave表示将乙烯改性PVA系聚合物薄膜的宽度方向的双折射率沿该薄膜的厚度方向平均化之值]。

7. 发明专利

TW201708268A 聚乙烯醇系聚合物薄膜审中-公开
公开(公告)号：TW201708268A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105116201
申请日：2016-05-25
申请人：可樂麗股份有限公司 , KURARAY CO., LTD.
发明人：森保二郎 , MORI, YASUJIRO , 井下翔平 , INOSHITA, SHOHEI
IPC分类号： C08F16/06 , C08J5/18 , B29C41/26 , B29C41/28 , B29C41/52 , G02B5/30 , B29C55/04 , B29K29/00 , B29L7/00 , B29L11/00
CPC分类号： B29C41/26 , B29C41/52 , B29C55/06 , G02B5/30
摘要：本發明係關於一種PVA薄膜，其係厚度為55μm以下的PVA薄膜，其中使凹凸以0.01~10mm的周期朝薄膜的流動方向呈略直線狀地排列10cm以上而成之虛線條紋係於薄膜的寬度方向每1m為5條以下；以及一種PVA薄膜之製造方法，其係厚度為55μm以下的PVA薄膜之製造方法，其中使用具備旋轉軸互相平行的多個乾燥輥之製膜裝置，在該製膜裝置的第1乾燥輥上將含PVA的製膜原液吐出成膜狀後乾燥，在其接續的第2乾燥輥以後的乾燥輥上進一步乾燥而製成PVA薄膜時，將製膜原液的吐出速度(S0)設定成2.5~5.0m/分。
简体摘要：本发明系关于一种PVA薄膜，其系厚度为55μm以下的PVA薄膜，其中使凹凸以0.01~10mm的周期朝薄膜的流动方向呈略直线状地排列10cm以上而成之虚线条纹系于薄膜的宽度方向每1m为5条以下；以及一种PVA薄膜之制造方法，其系厚度为55μm以下的PVA薄膜之制造方法，其中使用具备旋转轴互相平行的多个干燥辊之制膜设备，在该制膜设备的第1干燥辊上将含PVA的制膜原液吐出成膜状后干燥，在其接续的第2干燥辊以后的干燥辊上进一步干燥而制成PVA薄膜时，将制膜原液的吐出速度(S0)设置成2.5~5.0m/分。

8. 发明专利

TW201708267A 聚乙烯醇薄膜审中-公开
公开(公告)号：TW201708267A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105114653
申请日：2016-05-12
申请人：可樂麗股份有限公司 , KURARAY CO., LTD.
发明人：森保二郎 , MORI, YASUJIRO , 佐藤直人 , SATO, NAOTO , 村上晃 , MURAKAMI, AKIRA
IPC分类号： C08F16/06 , C08J5/18 , B26D3/00 , G02B5/30
CPC分类号： B26D1/14 , B26D1/15 , B26D3/00 , B65H27/00 , G02B5/30
摘要：本發明係關於一種聚乙烯醇薄膜1，其係厚度為55μm以下且長度為500m以上之長形的聚乙烯醇薄膜1，其中沿著薄膜的長度方向的2個端部之至少一者為藉由切斷刀片所形成的切斷端部A、A’，該切斷端部的切斷端面B、B’的最大高度粗糙度(Rz)在薄膜的長度500m以上的區間內為2.5μm以下；以及一種將該聚乙烯醇薄膜捲取成輥狀而成之輥。
简体摘要：本发明系关于一种聚乙烯醇薄膜1，其系厚度为55μm以下且长度为500m以上之长形的聚乙烯醇薄膜1，其中沿着薄膜的长度方向的2个端部之至少一者为借由切断刀片所形成的切断端部A、A’，该切断端部的切断端面B、B’的最大高度粗糙度(Rz)在薄膜的长度500m以上的区间内为2.5μm以下；以及一种将该聚乙烯醇薄膜卷取成辊状而成之辊。

9. 发明专利

TWI558748B 偏光薄膜之製造方法、偏光板及其製造方法有权
简体标题：偏光薄膜之制造方法、偏光板及其制造方法
公开(公告)号：TWI558748B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW104100477
申请日：2013-03-27
申请人：可樂麗股份有限公司 , KURARAY CO., LTD.
发明人：森保二郎 , MORI, YASUJIRO , 中居壽夫 , NAKAI, TOSHIO
IPC分类号： C08J5/18 , B29C55/06 , G02B5/30 , B29K29/00
CPC分类号： B29C41/26 , B29D11/00644 , B29K2029/04 , B29K2995/0034 , C08J5/18 , C08J2429/04 , G02B5/3033

10. 发明专利

TW201514222A 偏光薄膜之製造方法、偏光板其製造方法审中-公开
简体标题：偏光薄膜之制造方法、偏光板其制造方法
公开(公告)号：TW201514222A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW104100477
申请日：2013-03-27
申请人：可樂麗股份有限公司 , KURARAY CO., LTD.
发明人：森保二郎 , MORI, YASUJIRO , 中居壽夫 , NAKAI, TOSHIO
IPC分类号： C08J5/18 , B29C55/06 , G02B5/30 , B29K29/00
CPC分类号： B29C41/26 , B29D11/00644 , B29K2029/04 , B29K2995/0034 , C08J5/18 , C08J2429/04 , G02B5/3033
摘要：本發明係提供一種可製造長波長區域之吸光度高，而且偏光度高之偏光薄膜的PVA系聚合物薄膜、以及其製造方法。本發明係在水中之結晶長週期為14.5~16.0nm的PVA系聚合物薄膜。又，本發明為一種PVA系聚合物薄膜之製造方法，其係於使用具備旋轉軸相互平行之多個乾燥輥與熱處理輥的製膜裝置而將PVA系聚合物薄膜製膜時，使式(I)所示的T1→2成為60~75而予以乾燥，T1→2={T1×(40-V1)+T2×(V1-V2)}/(40-V2) (I)(T1表示第1乾燥輥的表面溫度(℃)，V1表示自第1乾燥輥剝離時之薄膜的揮發分率(質量%；但為10~30)，T2表示由第2乾燥輥至最後的乾燥輥為止之各乾燥輥的表面溫度之平均值(℃)，V2表示自最後的乾燥輥剝離時之薄膜的揮發分率(質量%))。
简体摘要：本发明系提供一种可制造长波长区域之吸光度高，而且偏光度高之偏光薄膜的PVA系聚合物薄膜、以及其制造方法。本发明系在水中之结晶长周期为14.5~16.0nm的PVA系聚合物薄膜。又，本发明为一种PVA系聚合物薄膜之制造方法，其系于使用具备旋转轴相互平行之多个干燥辊与热处理辊的制膜设备而将PVA系聚合物薄膜制膜时，使式(I)所示的T1→2成为60~75而予以干燥，T1→2={T1×(40-V1)+T2×(V1-V2)}/(40-V2) (I)(T1表示第1干燥辊的表面温度(℃)，V1表示自第1干燥辊剥离时之薄膜的挥发分率(质量%；但为10~30)，T2表示由第2干燥辊至最后的干燥辊为止之各干燥辊的表面温度之平均值(℃)，V2表示自最后的干燥辊剥离时之薄膜的挥发分率(质量%))。

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