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1. 发明授权

CN111433921B 一种发光二极管有权
公开(公告)号：CN111433921B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201980006009.4
申请日：2019-12-16
申请人：厦门三安光电有限公司
发明人：王庆 , 马全扬 , 陈大钟 , 洪灵愿 , 彭康伟 , 林素慧
IPC分类号： H01L33/46
摘要：本发明提供如下发光二极管，其包括：透明衬底，该透明衬底具备第一表面；半导体垒晶叠层，包括在透明衬底的第一表面依次堆叠的第一导电型半导体层、活性层和第二导电型半导体层；DBR反射层，覆盖所述半导体垒晶叠层的顶表面以及侧壁，具有第一开口和第二开口；第一电极和第二电极，分别通过所述第一开口和第二开口与所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电连接；DBR反射层中含有空洞。本发明通过在DBR反射层中引入空洞使DBR叠层之间具有更大的折射率差，使反射率得到了提升，从而提高发光效率。

2. 发明授权

CN113380940B 发光二极管芯片及其制备方法有权
公开(公告)号：CN113380940B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202110630631.1
申请日：2021-06-07
申请人：厦门三安光电有限公司
发明人：曾江斌 , 何安和 , 彭康伟 , 林素慧 , 张中英 , 刘鹏 , 詹宇 , 卢超 , 王庆 , 洪灵愿
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/64 , H01L33/00
摘要：本公开涉及一种LED芯片及其制备方法。所述LED芯片包括：衬底、外延结构、电极金属层和共晶金属层；其中，共晶金属层的延伸率大于电极金属层的延伸率，共晶金属层的硬度小于电极金属层的硬度。所述LED芯片能够提升LED芯片的柔韧性，以降低LED芯片中共晶金属层剥离的风险，提高LED芯片的使用可靠性；并且，还能增强LED芯片中电极金属层的抗电迁移能力，以避免电极金属层因长期工作发热而出现功能退化或失效的问题。

3. 发明公开

CN114824014A 一种紫外发光二极管及发光装置审中-实审
公开(公告)号：CN114824014A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210473236.1
申请日：2022-04-29
申请人：厦门三安光电有限公司
发明人：江宾 , 臧雅姝 , 张中英 , 彭康伟 , 陈思河 , 陈功 , 曾炜竣 , 曾明俊 , 龙思怡
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/06 , H01L33/32
摘要：本发明涉及发光二极管芯片技术领域，特别涉及一种紫外发光二极管及发光装置，包括：外延层，外延层具有依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，电连接第一半导体层；第二电极，电连接第二半导体层；衬底，衬底具有相对的第一表面和第二表面，外延层设于衬底的第一表面，第二表面上设有图形化微结构，其中，微结构的底部外接圆的直径D大于400nm并且小于1000nm。与现有技术相比，本发明通过改变衬底出光一侧设置的图形化微结构的尺寸，使之适应于紫外发光二极管的发光波段，使得紫外光更易散射出，以提高紫外发光二极管的光提取效率。

4. 发明授权

CN112928188B 一种发光二极管、光电模块及显示装置有权
公开(公告)号：CN112928188B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202110096258.6
申请日：2021-01-25
申请人：厦门三安光电有限公司
发明人：何安和 , 林素慧 , 彭康伟 , 刘小亮 , 曾江斌 , 黄敏
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/38 , G09G3/32
摘要：本发明涉及发光二极管制造技术领域，特别涉及一种发光二极管、光电模块及显示装置，其中发光二极管包括衬底和外延结构，包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；分别位于第一半导体层和第二半导体层上的第一电极和第二电极；第一电极包括第一焊盘电极以及延伸的第一接触电极，第二电极包括第二焊盘电极；第一接触电极与第二焊盘电极在竖直面上的投影最短距离大于零。本发明通过控制第一接触电极与第二焊盘电极在竖直面上的投影最短距离，消除锡膏渗入导致不同电极导通漏电从而致使芯片失效的问题。

5. 发明公开

CN113659048A 倒装发光二极管及其制备方法有权
公开(公告)号：CN113659048A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110831415.3
申请日：2021-07-22
申请人：厦门三安光电有限公司
发明人：林素慧 , 黄敏 , 张中英 , 彭康伟 , 江宾 , 曾明俊 , 曾炜竣
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/00
摘要：本申请公开了一种倒装发光二极管及其制备方法，包括外延主体层、挡墙和保护层；外延主体层包括在第一表面和第二表面之间依次排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层；位于有源层和第二半导体层侧壁处的挡墙与外延主体层之间存在第一间隙；第一间隙的深度大于有源层和第二半导体层的总厚度；保护层至少覆盖外延主体层的第二表面和第一间隙的内表面；保护层包括第一绝缘层、第二绝缘层和金属层，金属层位于由第一绝缘层和第二绝缘层所围合成的封闭空间内。挡墙位于切割处与外延主体层之间，其能够在切割时减小外延主体层侧壁处的保护层所产生的应力，避免外延主体层侧壁处的保护层在应力作用下断裂，提高倒装发光二极管的可靠性。

6. 发明授权

CN110491980B 一种紫外LED芯片及其制备方法有权
公开(公告)号：CN110491980B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201910704177.2
申请日：2019-07-31
申请人：厦门三安光电有限公司
发明人：黄敏 , 刘小亮 , 彭康伟 , 林素慧
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/00
摘要：本发明提供一种紫外LED芯片及其制备方法，该紫外LED芯片包括发光外延层，所述发光外延层包括第一台面和第二台面，形成在第一台面和所述第二台面的表面以及侧面上的绝缘保护层，绝缘保护层包括含Al的绝缘层，并且可以形成单层或者多层堆叠结构。采用含Al的绝缘保护层可以减少外延层中的Al离子被置换，同时可以有效补偿芯片制程中外延层缺失的Al离子，且不会影响外延层中的Si掺杂，从而不会损伤外延层，避免外延层老化失效。含Al的绝缘保护层在紫外波段的吸收率较低，同时形成多层结构的含Al绝缘层时，可以形成高低折射率的绝缘膜层叠结构，由此可达到提亮的目的。

7. 发明公开

CN113169259A 发光二极管及其制作方法无效
公开(公告)号：CN113169259A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980006016.4
申请日：2019-11-04
申请人：厦门三安光电有限公司
发明人：何安和 , 林素慧 , 王锋 , 王庆 , 黄禹杰 , 彭康伟
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/48 , H01L33/38
摘要：一种发光二极管及其制作方法，其扩大倒装型发光二极管芯片的固晶电极的表面积，改善芯片焊接特性。该发光二极管包括：透明基板（210），具有相对的第一表面（210A）和第二表面（210B）；透明基板（210）的第一表面（210A）的外周边具有台阶（211），该台阶（211）具有一介于第一表面（210A）和第二表面（210B）之间的第三表面（210D），及连接第一表面（210A）和第三表面（210D）之间的侧壁（210E）；发光外延叠层，形成于所述透明基板（210）的第一表面（210A）之上，包括自所述透明基板（210）的第一表面（210A）堆叠的第一导电类型半导体层（221）、有源层（222）和第二导电类型半导体层（223）；绝缘层（230），至少覆盖所述发光外延叠层的顶表面（220B）及侧壁，并且具有第一开口（271）和第二开口（272）；第一电极（241），配置到所述绝缘层（230）的上部，通过所述第一开口（271）电连接到所述第一导电类型半导体层（221）；第二电极（242），配置到所述绝缘层（230）的上部，通过所述第二开口（272）电连接到所述第二导电类型半导体层（223）；其中所述第一电极（241）和/或第二电极（242）延伸至该台阶（211），至少部分覆盖连接所述第一表面（210A）和第三表面（210D）之间的侧壁（210E）及第三表面（210D）。

8. 发明公开

CN112928188A 一种发光二极管、光电模块及显示装置有权
公开(公告)号：CN112928188A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110096258.6
申请日：2021-01-25
申请人：厦门三安光电有限公司
发明人：何安和 , 林素慧 , 彭康伟 , 刘小亮 , 曾江斌 , 黄敏
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/38 , G09G3/32
摘要：本发明涉及发光二极管制造技术领域，特别涉及一种发光二极管、光电模块及显示装置，其中发光二极管包括衬底和外延结构，包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；分别位于第一半导体层和第二半导体层上的第一电极和第二电极；第一电极包括第一焊盘电极以及延伸的第一接触电极，第二电极包括第二焊盘电极；第一接触电极与第二焊盘电极在竖直面上的投影最短距离大于零。本发明通过控制第一接触电极与第二焊盘电极在竖直面上的投影最短距离，消除锡膏渗入导致不同电极导通漏电从而致使芯片失效的问题。

9. 发明公开

CN112840468A 一种发光装置审中-实审
公开(公告)号：CN112840468A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202080005596.8
申请日：2020-04-27
申请人：厦门三安光电有限公司
发明人：刘士伟 , 郑高林 , 何安和 , 王庆 , 林素慧 , 彭康伟 , 洪灵愿 , 曾江斌
IPC分类号： H01L33/40 , H01L33/62
摘要：一种发光元件，包括：倒装发光二极管和承载基板，倒装发光二极管通过锡膏固定于承载基板上；所述的倒装发光二极管包括半导体发光序列、位于半导体发光序列的同一侧且电性相反的第一结合电极和第二结合电极；其中第一结合电极和第二结合电极自半导体发光序列一侧开始，依次包括过渡金属层、结合层；从半导体发光序列的堆叠方向上看，结合层包括第一部分和第二部分；共晶层，介于倒装发光二极管与承载基板之间，为所述第一结合电极和第二结合电极的结合层的第一部分与锡膏中的锡共晶形成，结合层第二部分介于共晶层与过渡金属层之间。

10. 发明公开

CN110707203A 发光器件及其制作方法和含该发光器件的发光器件模组无效
公开(公告)号：CN110707203A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910830127.9
申请日：2019-09-04
申请人：厦门三安光电有限公司
发明人：王锋 , 何安和 , 夏章艮 , 詹宇 , 聂恩松 , 彭康伟 , 林素慧
IPC分类号： H01L33/62 , H01L25/075
摘要：本发明提供一种发光器件及其制作方法和含该发光器件的发光器件模组，发光器件包括芯片支架和安装在芯片支架上的芯片，芯片支架包括：绝缘衬底，绝缘衬底上设置有相对的第一表面和第二表面；设置在第二表面上的第一支架电极和第二支架电极，第一支架电极和第二支架电极的间距与安装基板的电极间距相对应匹配；设置在第一表面上的第一固晶电极和第二固晶电极；设置在绝缘衬底内的第一电接结构和第二电接结构；芯片固定安装在芯片支架的上部，芯片的两电极分别和第一固晶电极和第二固晶电极相电连。本发明发光器件能够有效解决芯片电极间距较小与安装基板上电极间距不相匹配导致的固晶困难及短路风险。

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