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1. 发明专利

JP6474548B2 非水電解質二次電池用負極材及び負極活物質粒子の製造方法有权
公开(公告)号：JP6474548B2
公开(公告)日：2019-02-27
申请号：JP2014031273
申请日：2014-02-21
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：加茂博道 , 廣瀬貴一 , 吉川博樹
IPC分类号： C01B33/113 , H01M4/36 , H01M4/587 , H01M4/48

3. 发明专利

JP6413007B2 非水電解質二次電池用負極材の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP6413007B2
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：JP2017232452
申请日：2017-12-04
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：古屋昌浩 , 高橋広太 , 吉川博樹 , 加茂博道 , 廣瀬貴一
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/48

5. 发明专利

JP6374348B2 リチウムリン系バナジウム複合酸化物炭素複合体、及びその製造方法、リチウムイオン二次電池、並びに、電気化学デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP6374348B2
公开(公告)日：2018-08-15
申请号：JP2015101229
申请日：2015-05-18
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：粟野英和 , 松野拓史 , 吉川博樹
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/48 , H01M10/0525 , C01B25/45 , H01M4/58
CPC分类号： Y02E60/122 , Y02T10/7011

6. 发明专利

JPWO2017022734A1 リチウムイオン二次電池用負極及びこれを含むリチウムイオン二次電池、並びにリチウムイオン二次電池用負極の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017022734A1
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：JP2017533073
申请日：2016-08-02
申请人：三井化学株式会社 , 信越化学工業株式会社
发明人：西浦克典 , 猿山雅亮 , 坂田佳広 , 大西仁志 , 江田昭 , 大橋健 , 古屋昌浩 , 廣瀬貴一 , 吉川博樹
IPC分类号： H01M4/133 , H01M4/13 , H01M4/134 , H01M4/139 , H01M4/1393 , H01M4/1395 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/48 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M10/052 , H01M10/0566
CPC分类号： H01M4/13 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/1393 , H01M4/1395 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/48 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M10/052 , H01M10/0566
摘要：本発明は、初回充放電効率が高く、エネルギー密度の高いリチウムイオン二次電池用負極、及びこれを含むリチウムイオン二次電池、並びにリチウム等のアルカリ金属やアルカリ土類金属を効率良くプレドープすることが可能なリチウムイオン二次電池用負極の製造方法を提供することを課題とする。上記課題を解決するため、リチウムを吸蔵可能なケイ素またはスズを含む合金系材料(A)と、炭素粒子(B)と、イミド結合含有ポリマー(C)と、多環芳香族化合物(D)と、を少なくとも含む負極合材層を有し、前記負極合材層中の前記イミド結合含有ポリマー(C)の量が、3質量%以上13質量%以下である、リチウムイオン二次電池用負極とする。

7. 发明专利

JP6312213B2 回転式筒状炉、及び非水電解質二次電池用負極活物質の製造方法有权
公开(公告)号：JP6312213B2
公开(公告)日：2018-04-18
申请号：JP2014233736
申请日：2014-11-18
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：高橋広太 , 古屋昌浩 , 吉川博樹 , 渡邊浩一朗 , 廣瀬貴一 , 加茂博道
IPC分类号： H01M4/36 , F27B7/08 , F27B7/14 , H01M4/48

9. 发明专利

JP2016170447A フォトマスクブランク、フォトマスク及び光パターン照射方法有权
标题翻译：照片空白，光照和光图案照射方法
公开(公告)号：JP2016170447A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2016127196
申请日：2016-06-28
申请人：信越化学工業株式会社 , 凸版印刷株式会社
发明人：吉川博樹 , 稲月判臣 , 小板橋龍二 , 金子英雄 , 原口崇 , 小嶋洋介 , 廣瀬智一
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/32
摘要：【解決手段】モリブデンと、ケイ素と、酸素及び窒素とを含有し、4×C Si /100−6×C M /100>1(式中、C Si はケイ素の含有率(原子%)、C M は遷移金属の含有率(原子%)を示す)を満たすモリブデンケイ素系材料で構成されたハーフトーン位相シフト膜を有するフォトマスクブランク及びフォトマスク並びにフォトマスクを用いた光パターン照射方法。【効果】遷移金属ケイ素系材料で形成されたハーフトーン位相シフト膜や遮光膜などにおいて、ArFエキシマレーザー光等の高エネルギー光の累積照射によるMoSi系材料膜等の遷移金属ケイ素系材料膜の変質を伴うパターン寸法変動劣化が大きく抑制され、従来と比べて高エネルギー光の照射が累積した場合であっても、露光装置のパターン露光条件を変更せずに、光リソグラフィーにおける光パターン照射を実施することができる。【選択図】なし
摘要翻译：解决方案：提供一种光掩模坯料，其具有由含有钼，硅，氧和氮的钼硅基材料构成的半色调相移膜，并满足4×C / 100-6×C / 100> 1，其中Cis百分比硅含量（原子％），C是过渡金属的含量百分含量（原子％），光掩模和使用光掩模的光图案照射方法。可以在不改变图案的情况下进行光学光刻的光图案照射曝光装置的曝光条件即使当与常规技术相比，与常规技术相比，通过显着减少通过累积的诸如MoSi基材料膜的过渡金属硅基材料膜的退化而显着减少图案尺寸变化的劣化，将诸如ArF准分子激光的高能量光照射在半色调相移膜上或由过渡金属硅 - 基底形成的遮光膜材料选择：无

10. 发明专利

JP5947198B2 蓄電デバイス用負極材および蓄電デバイス用電極の製造方法有权
标题翻译：制备负极材料和存储装置电极的蓄电装置的方法
公开(公告)号：JP5947198B2
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：JP2012254907
申请日：2012-11-21
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：吉川博樹
IPC分类号： H01M4/38 , H01M4/48 , H01M4/36 , H01M4/62 , H01M4/1395 , H01M4/134 , H01M4/1397 , H01M4/136 , H01M4/139 , H01M4/13 , H01M4/58
CPC分类号： Y02P70/54

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