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    • 8. 发明专利
    • 阻劑處理方法 METHOD FOR TREATING A RESIST
    • 阻剂处理方法 METHOD FOR TREATING A RESIST
    • TW201009516A
    • 2010-03-01
    • TW098119874
    • 2009-06-15
    • 住友化學股份有限公司
    • 畑光宏平岡崇志重松淳二
    • G03FC07C
    • G03F7/0035G03F7/0045G03F7/0046G03F7/0397G03F7/40
    • 本發明之目的在於提供一種於雙重圖型構成法等多重圖型構成法中,以極微細且精度良好之方式形成由第1次的阻劑圖型形成用阻劑組成物製得之圖型之阻劑處理方法。詳言之,本發明為一種包含:將含有具有對酸不安定的基、對鹼水溶液為不溶或難溶、與酸作用後能溶解於鹼水溶液之樹脂(A)、光酸產生劑(B)、以及交聯劑(C)之第1阻劑組成物塗佈於基體上、乾燥製得第1阻劑膜、第1阻劑膜之預烘烤處理、曝光處理、曝光後烘烤處理、顯像、將所得之第1阻劑圖型在較第1阻劑組成物的玻璃化溫度為低的溫度下保持既定時間然後在較前述玻璃化溫度為高的溫度下保持既定時間之硬烘烤處理、於其上進行第2阻劑組成物之塗佈並乾燥以製得第2阻劑膜、預烘烤處理、曝光處理、曝光後烘烤處理、以及顯影等步驟之阻劑處理方法。
    • 本发明之目的在于提供一种于双重图型构成法等多重图型构成法中,以极微细且精度良好之方式形成由第1次的阻剂图型形成用阻剂组成物制得之图型之阻剂处理方法。详言之,本发明为一种包含:将含有具有对酸不安定的基、对碱水溶液为不溶或难溶、与酸作用后能溶解于碱水溶液之树脂(A)、光酸产生剂(B)、以及交联剂(C)之第1阻剂组成物涂布于基体上、干燥制得第1阻剂膜、第1阻剂膜之预烘烤处理、曝光处理、曝光后烘烤处理、显像、将所得之第1阻剂图型在较第1阻剂组成物的玻璃化温度为低的温度下保持既定时间然后在较前述玻璃化温度为高的温度下保持既定时间之硬烘烤处理、于其上进行第2阻剂组成物之涂布并干燥以制得第2阻剂膜、预烘烤处理、曝光处理、曝光后烘烤处理、以及显影等步骤之阻剂处理方法。