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1. 发明专利

JP5826443B1 半導体装置及びその製造方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP5826443B1
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：JP2015529366
申请日：2015-01-30
申请人：三菱電機株式会社
发明人：山竹厚
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/12
CPC分类号： H01L23/12 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L24/48 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/85385 , H01L2924/00014 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/19107
摘要：本発明は、部分放電を抑制する構造を有する半導体装置において、従来に比べて絶縁信頼性がより高い半導体装置、及びその製造方法を提供する。本発明は、回路電極(2)を接合した絶縁基板(3)と、回路電極に隣接して形成したベース用絶縁物(10a)と、ベース用絶縁物上に形成され上記回路電極と同電位とした導電物(13)と、導電物における反回路電極側端部(35)を覆う放電防止用絶縁物(10b)と、を有する。
摘要翻译：本发明是提供一种具有用于抑制局部放电，绝缘可靠性与现有技术以提供更高的半导体装置，以及它们的制造方法相比，作为一个结构的半导体装置。本发明包括的绝缘衬底接合的电路电极（2）（3），形成在基底处于相同的电位绝缘材料的电路电极上的基底绝缘材料，其邻近所述电路电极和（10a）的形成，有和导电地为（13），所述导电材料的计数器电路电极侧的端部（35）放电防止绝缘覆盖材料和（10b）中，所述。

2. 发明专利

JP2015152407A 絶縁欠陥の検査方法审中-公开
标题翻译：绝缘缺陷检查方法
公开(公告)号：JP2015152407A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：JP2014026073
申请日：2014-02-14
申请人：三菱電機株式会社
发明人：山竹厚
IPC分类号： G01R31/26 , G01R31/12
摘要：【課題】画像信号の取得期間に複数の箇所で部分放電が発生した場合でも、部分放電の放電位相特性と発生箇所とを特定できる絶縁欠陥の検査方法を得ることを目的とする。【解決手段】1つの位相区間の画像信号に複数の発光を検出した場合、第1の周波数の1/2となる第2の周波数の交流電圧を用いて電圧印加ステップ、電信号検出ステップ、画像信号検出ステップおよび絶縁欠陥判定ステップを繰り返し、最後に取得した画像信号において、1つの位相区間に1つの発光を検出するまで、交流電圧の周波数を1/2とすることを繰り返して、絶縁欠陥の位置および位相放電特性を判定する【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：即使在图像信号的采集周期中的多个地方发生局部放电，也可以提供能够确定放电相位特性和局部放电的发生位置的绝缘缺陷的检查方法。解决方案：当使用第二频率的AC电压重复在一个相位间隔中检测图像信号的多个发光，电压施加步骤，电信号检测步骤，图像信号检测步骤和绝缘缺陷确定步骤，这是第一个频率的一半。重复将AC电压的频率降低到一半，直到在最终获取的图像信号中的一个相位部分中检测到一个发光。因此，确定绝缘缺陷的位置和相位放电特性。

3. 发明专利

JP6602519B1 半導体装置、半導体装置の劣化診断装置及び半導体装置の劣化診断方法有权
公开(公告)号：JP6602519B1
公开(公告)日：2019-11-06
申请号：JP2019541209
申请日：2019-05-09
申请人：三菱電機株式会社
发明人：山竹厚 , 塩田裕基
IPC分类号： G01R31/12 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/56 , H01L21/66 , G01R31/26
摘要：絶縁基板(3)電極(4)を介して搭載された半導体チップ(2)が絶縁樹脂(8)により封止された半導体装置(1)であって、半導体チップの端部(2a)に対向した上方の絶縁樹脂(8)内で、半導体チップ(2)と離間して配置され、外部から電圧を印加可能な電極部(13)を備え、劣化診断時に、電極部(13)に電圧を印加した後に、半導体チップに対して逆方向電圧を印加し、半導体チップを流れるリーク電流を計測する。電極部(13)からの電界の影響で、半導体チップ(2)の耐圧が低下し、リーク電流が増加するので、劣化診断の感度が向上する。

4. 发明专利

JP6081042B1 半導体装置およびその製造方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP6081042B1
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：JP2016565089
申请日：2016-07-28
申请人：三菱電機株式会社
发明人：山竹厚
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/28 , H01L23/12 , H01L21/56 , H01L25/07
摘要：絶縁基板(1)上の沿面(1c)と電極(2)の側面(2a)とに液状樹脂(11)を塗布し、沿面(1c)の液状樹脂(11)を樹脂部材(12)により電極(2)の方向に移動させ、電極(2)の側面(2a)と樹脂部材(12)との間に液状樹脂(11)を溜めるようにしたので、低粘度の液状樹脂(11)を高電界部位である沿面(1c)の電極(2)周辺に厚く塗ることができる。また、液状樹脂(11)は電極(2)の側面(2a)に押し付けられるため、液状樹脂(11)の内部のボイド(10)が上方へ押し上げられて抜け易くなり、ボイド(10)に起因する部分放電を抑制することができる。また、樹脂部材(12)にスペーサ(13、15)または溝(14)を設けることにより、樹脂部材(12)と電極(2)または絶縁基板(1)との隙間を確保することが可能となる。
摘要翻译：匍匐在绝缘基板（1）至（1c）中，并施加（2）（2a）的电极侧和液体树脂（11），电极的爬电和（1c）由树脂构件的液态树脂（11）（12）上它是在（2）。电极的侧表面（2）和（2a）和所述树脂部件（12）之间。因此积聚液体树脂（11）的方向移动，高和低粘度的液体树脂（11）可以涂满附近的爬电（1C）的电极（2）是一个字段的网站。此外，由于液态树脂（11）被压靠在所述电极的侧表面（2a）的（2），容易逸出液体树脂（11）（10）的内部空隙被向上推动时，由于空隙（10）它可以抑制局部放电。另外，通过设置树脂件（12）的间隔件（13，15）或凹槽（14），它能够确保树脂部件（12）和所述电极（2）或所述绝缘基板之间的间隙（1）这让。

5. 发明专利

JP2018006569A 半導体装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018006569A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2016131289
申请日：2016-07-01
申请人：三菱電機株式会社
发明人：山竹厚 , 塩田裕基
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/56 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/29
CPC分类号： H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要：【課題】絶縁基板上に設けられた電極の上側角部における放電を抑制することが可能な絶縁信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板2に接合された電極3の上面端部に沿って、固形の絶縁物で構成された流動制御部材11を設置し、流動制御部材11の側面11c、電極3の側面3c、および絶縁基板2の沿面に、液状の絶縁樹脂10を塗布する。絶縁樹脂10には、絶縁耐圧が高く、且つ未硬化時の粘度が比較的低いエポキシ系やポリイミド系等の樹脂材料が用いられる。流動制御部材11は、電極3の上側角部3b付近の液状の絶縁樹脂10の流動を抑制するため、電極3の上側角部3bに十分な厚さの絶縁樹脂10を塗布することができ、電極3の下側角部3aのみならず上側角部3bにおける放電を抑制することが可能である。【選択図】図2

6. 发明专利

JP2016212052A 欠陥検出装置および欠陥検出方法审中-公开
标题翻译：缺陷检测装置和缺陷检测方法
公开(公告)号：JP2016212052A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：JP2015098311
申请日：2015-05-13
申请人：三菱電機株式会社
发明人：山竹厚
IPC分类号： G01R31/12
摘要：【課題】部分放電で検知された欠陥の種類を推定できる部分放電検出装置を得るものである。【解決手段】電圧印加手段から測定対象物に対して正極性の電圧が印加されたときの部分放電開始電圧を第1部分放電開始電圧として検出し、電圧印加手段から測定対象物に対して負極性の電圧が印加されたときの部分放電開始電圧を第2部分放電開始電圧として検出し、第1部分放電開始電圧および第2部分放電開始電圧に基づいて測定対象物に存在する欠陥の種類を推定するものである。【選択図】図1
摘要翻译：甲旨在获得能估计局部放电检测到的缺陷的种类的局部放电检测设备。的检测当正极性的电压被施加到测量从施加单元作为第一局部放电起始电压时，负电极，以测量从所述电压施加单元在对象的电压对象局部放电起始电压当性电压作为第二局部放电起始电压，存在于测量对象基于第一局部放电起始电压和第二局部放电起始电压的缺陷的类型施加检测局部放电起始电压它的目的是估计。点域1

7. 发明专利

JP5921723B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5921723B2
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：JP2014556364
申请日：2013-12-20
申请人：三菱電機株式会社
发明人：塩田裕基 , 山竹厚 , 菅健一 , 山口義弘 , 上田哲也
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/28 , H01L23/31 , H01L23/12
CPC分类号： H01L23/3737 , H01L23/08 , H01L23/36 , H01L23/4334 , H01L23/482 , H01L23/495 , H01L23/49558 , H01L23/49586 , H01L23/49838 , H01L23/49861 , H01L23/564 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L2224/2929 , H01L2224/32245 , H01L23/3121 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055

8. 发明专利

JPWO2020225897A1 半導体装置、半導体装置の劣化診断装置及び半導体装置の劣化診断方法有权
公开(公告)号：JPWO2020225897A1
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：JP2019018514
申请日：2019-05-09
申请人：三菱電機株式会社
发明人：山竹厚 , 塩田裕基
IPC分类号： G01R31/28 , G01R31/26
摘要：絶縁基板(3)電極(4)を介して搭載された半導体チップ(2)が絶縁樹脂(8)により封止された半導体装置(1)であって、半導体チップの端部(2a)に対向した上方の絶縁樹脂(8)内で、半導体チップ(2)と離間して配置され、外部から電圧を印加可能な電極部(13)を備え、劣化診断時に、電極部(13)に電圧を印加した後に、半導体チップに対して逆方向電圧を印加し、半導体チップを流れるリーク電流を計測する。電極部(13)からの電界の影響で、半導体チップ(2)の耐圧が低下し、リーク電流が増加するので、劣化診断の感度が向上する。

9. 发明专利

JP5766347B2 半導体モジュール及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP5766347B2
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：JP2014505966
申请日：2012-11-19
申请人：三菱電機株式会社
发明人：山竹厚 , 塩田裕基
IPC分类号： H01L23/12
CPC分类号： H01L23/3735 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L25/072 , H01L23/24 , H01L23/3121 , H01L2924/0002

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