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1. 发明专利

JP2018121014A 絶縁回路基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018121014A
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：JP2017012992
申请日：2017-01-27
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：西川仁人
IPC分类号： H05K1/03 , H05K1/09 , H05K3/06
摘要：【課題】セラミックス基板の一方の面に形成された銅又は銅合金からなる回路層をエッチングして回路パターンを形成する際において、Ti含有層が回路パターンからはみ出すことを抑制でき、耐電圧特性に優れた絶縁回路基板を製造することができる絶縁回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】銅又は銅合金からなる回路層とセラミックス基板との界面にTiを含有するTi含有層が形成されており、第1エッチング液を用いて前記回路層を前記回路パターン状にエッチングする第1エッチング工程S22と、第1エッチング工程後に、過酸化水素を含む第2エッチング液を用いて前記Ti含有層をエッチングする第2エッチング工程S24と、を有し、第2エッチング工程S24においては、前記第2エッチング液のpHを7超え13以下の範囲内とするともに、前記第2エッチング液における過酸化水素の含有量を1.5質量%以上20質量%以下の範囲内とする。【選択図】図3

2. 发明专利

JP6149654B2 パワーモジュール用基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6149654B2
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：JP2013201998
申请日：2013-09-27
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：大開智哉 , 大井宗太郎 , 西川仁人
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/36

4. 发明专利

JP2016152386A パワーモジュール用基板及びパワーモジュール有权
标题翻译：电源模块和电源模块的基板
公开(公告)号：JP2016152386A
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：JP2015030527
申请日：2015-02-19
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：西川仁人 , 加藤浩和
IPC分类号： H01L23/36 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/28 , H01L23/12
CPC分类号： H01L2224/40
摘要：【課題】容易に、モールド樹脂により封止されるパワーモジュール用基板の回路層とモールド樹脂との密着性を向上させることができ、半導体素子の良好な接合性を維持することができ、長期的に信頼性の高いパワーモジュール用基板及びそのパワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを提供する。【解決手段】セラミックス基板20の一方の面に積層された回路層10と他方の面に積層された放熱層30とを備えるパワーモジュール用基板70であって、回路層10の表面の一部に、多孔質金属層40が積層されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种功率模块用基板，其能够提高由模制树脂密封的功率模块用基板的电路层与模具树脂之间的密合性，保持半导体元件的良好的接合性，以及实现长时间的高可靠性，并且提供使用该功率模块用基板的功率模块。解决方案：用于功率模块的基板70包括：层叠在陶瓷基板20的一个表面上的电路层10和散热层30层压在另一表面上。多孔金属层40层叠在电路层10的表面的一部分上。图示：图1

5. 发明专利

JP5962025B2 導電性組成物及び接合体の製造方法有权
标题翻译：用于制备导电组合物和缀合物的方法
公开(公告)号：JP5962025B2
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：JP2012011138
申请日：2012-01-23
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：仙石文衣理 , 西川仁人 , 西元修司 , 長友義幸
IPC分类号： B22F1/00 , H01B1/00 , H01L21/52 , H01B1/22
CPC分类号： H01L24/29 , H01L2924/15787

6. 发明专利

JP2015180600A パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法、並びに、銅部材接合用ペースト有权
标题翻译：功率模块基板，具有散热器的功率模块基板，功率模块，用于制造功率模块基板的方法和用于粘合铜构件的焊料
公开(公告)号：JP2015180600A
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：JP2015127751
申请日：2015-06-25
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：寺▲崎▼ 伸幸 , 長友義幸 , 西川仁人 , 黒光祥郎
IPC分类号： H05K1/02 , H01L23/36 , H01L23/12 , C04B37/02
CPC分类号： H01L2224/32225 , H01L2924/01322
摘要：【課題】セラミックス基板に銅または銅合金からなる銅板が接合されてなり、冷熱サイクル負荷時におけるセラミックス基板の割れの発生を抑制できるパワーモジュール用基板を提供する。【解決手段】セラミックス基板11の表面に銅または銅合金からなる銅板12が積層されて接合されたパワーモジュール用基板であって、Ag及び窒化物形成元素層を介して前記セラミックス基板と前記銅板とを積層し、積層された前記セラミックス基板と前記銅板を積層方向に1〜35kgf/cm 2 で加圧するとともに加熱して、前記セラミックス基板と前記銅板とが接合されており、銅板12とセラミックス基板11との間において、セラミックス基板11の表面に窒化物層31が形成されているとともに、窒化物層31に積層するようにAg−Cu共晶組織層32が形成され、Ag−Cu共晶組織層32の厚さが14μm以下とされている。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种功率模块基板，其包括陶瓷基板和与陶瓷基板接合的铜或铜合金制成的铜板，并且能够抑制在施加冷却时的陶瓷基板中产生裂纹，加热循环。解决方案：功率模块基板包括由铜或铜合金制成的铜板12，层压并结合到陶瓷基板11的表面，陶瓷基板和铜板通过层压陶瓷基板和铜板通过Ag层和氮化物形成元件，并且在层叠方向上以1至35kgf / cmin加压叠层陶瓷基板和铜板而加热。在陶瓷基板11的铜板12与陶瓷基板11之间的表面上形成有氮化物层31，在氮化物层31上层压形成Ag-Cu共晶结构层32; Ag-Cu共晶结构层32的厚度为14μm以下。

7. 发明专利

JP6790915B2 絶縁回路基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6790915B2
公开(公告)日：2020-11-25
申请号：JP2017038148
申请日：2017-03-01
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：松尾拓也 , 西川仁人
IPC分类号： H01L23/12 , B23K20/00 , B23K20/24 , H01L23/36

8. 发明专利

JP2020161524A 絶縁回路基板の製造方法及びその絶縁回路基板审中-公开
公开(公告)号：JP2020161524A
公开(公告)日：2020-10-01
申请号：JP2019056280
申请日：2019-03-25
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：西川仁人
IPC分类号： C04B37/02 , H05K3/26 , H01L23/12
摘要：【課題】ろう染みを除去してはんだ濡れ性等の良好な絶縁回路基板を提供する。【解決手段】セラミックス基板と銅又は銅合金からなる銅板とをろう材を介して接合してセラミックス基板の表面に銅層を形成する接合工程と、接合工程後に銅層の表面を塩化鉄又は塩化銅を含む水溶液によって洗浄する一次洗浄工程と、該一次洗浄工程後に銅層の表面を、塩化鉄及び塩化銅以外の塩化物、アンモニア、シアン化物、チオ硫酸塩のいずれか一つ以上を含む水溶液で洗浄する二次洗浄工程と、二次洗浄工程の後に、硫酸、過硫酸塩、硫酸と過酸化水素の混合液のいずれか一つ以上を含む水溶液で洗浄する三次洗浄工程とを有する。【選択図】図1

9. 发明专利

JP6481409B2 パワーモジュール用基板及びパワーモジュール有权
公开(公告)号：JP6481409B2
公开(公告)日：2019-03-13
申请号：JP2015030527
申请日：2015-02-19
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：西川仁人 , 加藤浩和
IPC分类号： H01L23/36 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/28 , H01L23/12

10. 发明专利

JP6477386B2 めっき付パワーモジュール用基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6477386B2
公开(公告)日：2019-03-06
申请号：JP2015185994
申请日：2015-09-18
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：石塚博弥 , 中林明 , 西川仁人
IPC分类号： C23C18/31

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