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1. 发明专利

JP2017191882A HfN膜の製造方法およびHfN膜审中-公开
公开(公告)号：JP2017191882A
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：JP2016081254
申请日：2016-04-14
申请人：株式会社ワコム研究所
发明人：都田昌之 , 佐々木善和 , 梅田優 , 楠原昌樹
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/34 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/34 , C23C16/44 , H01L21/31
摘要：【課題】安定的な原料供給が可能で、長期使用が可能であるHfN膜の製造方法およびHfN膜を提供する。【解決手段】気化器で気化された原料ガスが配管14を経して供給されると共にその原料ガスをノズル表面に対向配置された被成膜基板へと噴射するシャワーノズル15を備え、シャワーノズルを、配管の導入口を中心として拡開する外壁15aと、外壁の拡開端部から立ち上がる周壁15cと、周壁の端部を覆うノズル表面15bとで構成した成膜装置を用いるHfN膜の製造方法である。反応ガスを直接、反応チャンバーに供給するようにガス供給口を設け、サセプタの上に、ウエハが搭載され、原料ガスTEMAHの流量が、0.2CCM、反応チャンバーの圧力4Torrにおいて、サセプタの温度が、250℃以上、270℃以下の範囲であり、反応ガスNH 3 の流量が、9.0CCM以上、15.0CCM以下の範囲とする。【選択図】図8

2. 发明专利

JP2016195214A MOCVD装置による窒化膜を成膜する成膜方法及び成膜装置、並びにシャワーヘッド审中-公开
标题翻译：薄膜成型方法和薄膜成型装置，使用MOCVD装置和淋浴头形成氮化膜
公开(公告)号：JP2016195214A
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：JP2015075217
申请日：2015-04-01
申请人：株式会社ワコム研究所
发明人：楠原昌樹 , 都田昌之 , 梅田優
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC分类号： C23C16/455 , H01L21/31
摘要：【課題】本発明は、窒化物(Nb 3 N 5 等)の膜を成膜することができるように、反応部への安定的な原料供給が可能であり、また長期使用が可能であるMOCVD用成膜装置及び成膜方法を提供することを目的とする。【解決手段】図3(A)において、11は気化器、12はヒータ、13は反応容器、14は配管、15は略円錐状のシャワーノズル、16は反応ガスを直接、反応チャンバー(反応容器)に供給するためのガス供給口、17はヒータを有する成膜装置である。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种MOCVD膜形成装置，其能够将反应部分的原料稳定地供给到能够形成氮化物（例如NbN）的膜并且能够长时间使用的膜，以提供成膜方法。在图3（A）中，标号11表示蒸发器; 附图标记12表示加热器; 附图标记13表示反应容器; 附图标记14表示管道; 附图标记15表示大致锥形的喷淋喷嘴; 附图标记16表示用于将反应气体直接供应到反应室（反应容器）的气体供给口; 附图标记17表示包括加热器的成膜装置

4. 发明专利

JP2018014484A 半導体記憶素子その他の素子およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018014484A
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：JP2017092894
申请日：2017-05-09
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 株式会社ワコム研究所
发明人：高橋光恵 , 酒井滋樹 , 楠原昌樹 , 都田昌之 , 梅田優 , 佐々木善和
IPC分类号： H01L27/11587 , H01L27/1159
CPC分类号： H01L21/0337 , H01L27/11587 , H01L27/1159
摘要：【課題】幅が100nm以下で高さが幅の2倍以上の高アスペクトな形状の記憶体を用いた半導体記憶素子とその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1の上に記憶体2と導体3を重ねた積層構造を有し、記憶体2の底面12は半導体基板1に接し、記憶体2の上面10は導体3に接し、記憶体2の側面11は隔壁4に接して囲まれ、記憶体2の底面12の幅は100nm以下であって、導体3と半導体基板1の間の最も短い距離は、記憶体2の底面12の幅の2倍以上であって、記憶体2の側面11の幅は底面12よりも上のいずれの位置でも底面12の幅と同じで一定か、もしくは、底面12以外の底面12よりも上の位置で最も広いことを特徴とする半導体記憶素子。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2016175453A 水素生成システム及び水素回収システム审中-公开
标题翻译：氢气发电系统和氢气回收系统
公开(公告)号：JP2016175453A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：JP2015055400
申请日：2015-03-18
申请人：株式会社ワコム研究所
发明人：楠原昌樹
IPC分类号： B63J99/00 , B63B29/02 , B63B25/14 , C01B3/04 , C01B3/00 , B63B35/44
CPC分类号： B63B25/14 , B63B29/02 , B63B35/44 , B63J99/00 , C01B3/00 , C01B3/04 , Y02E60/324 , Y02E60/364
摘要：【課題】電気分解のような外部電源を必要とせず、また、豊富な太陽光を有効に利用するが可能な水素生成システムを提供すること。【解決手段】甲板3と甲板3の下部に設けられた浮体4とからなるポンツーンと、ポンツーンの甲板3上に施設された、光半導体に太陽光が照射されることによって水を分解して水素を生成する複数の光水素生成パネル1と、浮体の内部空間に施設された、光水素生成パネル1において生成した水素を貯蔵するための水素貯蔵手段である水素貯蔵タンクと、水素生成パネル1に供給する水を貯蔵するための水貯蔵手段である水貯蔵タンクと、水貯蔵手段内の水を水素生成パネル1に供給するための手段である水供給ポンプと水供給パイプと、を有し、甲板3上に降る雨水を収集し、雨水を水貯蔵手段に貯蔵するようにしたことを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种氢能产生系统，其能够有效地利用充足的太阳光而不使用诸如电解的任何外部电源。解决方案：氢气产生系统包括浮筒，该浮筒包括设置在下部的甲板3和浮体4 设置在浮筒的甲板3上的多个光学氢生成板1，其构造为通过向光学半导体施加阳光而分解水以产生氢;在内部空间中设置为氢存储装置的氢存储箱的浮体，以储存由光氢生成板1产生的氢;作为供给到氢生成板1的水的蓄水装置的蓄水箱，供水泵和供水管，作为装置用于在储水装置中供水以将储水装置中的水供给到氢气生成板1上 r落在甲板3上，收集储存在储水装置中。图1：

6. 发明专利

JP2019183284A MOCVD装置による窒化膜を成膜する成膜方法及び成膜装置、並びにシャワーヘッド审中-公开
公开(公告)号：JP2019183284A
公开(公告)日：2019-10-24
申请号：JP2019132336
申请日：2019-07-17
申请人：株式会社ワコム研究所
发明人：楠原昌樹 , 都田昌之 , 梅田優
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , C23C16/34
摘要：【課題】本発明は、窒化物(Nb 3 N 5 等)の膜を成膜することができるように、反応部への安定的な原料供給が可能であり、また長期使用が可能であるMOCVD用成膜装置及び成膜方法を提供することを目的とする。【解決手段】図3(A)において、11は気化器、12はヒータ、13は反応容器、14は配管、15は略円錐状のシャワーノズル、16は反応ガスを直接、反応チャンバー(反応容器)に供給するためのガス供給口、17はヒータを有する成膜装置である。【選択図】図3

7. 发明专利

JP6539900B2 強誘電体デバイス及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6539900B2
公开(公告)日：2019-07-10
申请号：JP2015528337
申请日：2014-07-24
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 株式会社ワコム研究所
发明人：酒井滋樹 , 高橋光恵 , 楠原昌樹 , 都田昌之 , 梅田優
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/31 , H01L27/1159

8. 发明专利

JP2017195348A 半導体強誘電体記憶素子の製造方法及び半導体強誘電体記憶トランジスタ审中-公开
公开(公告)号：JP2017195348A
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：JP2016086570
申请日：2016-04-22
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 株式会社ワコム研究所
发明人：酒井滋樹 , 高橋光恵 , 楠原昌樹 , 都田昌之 , 梅田優 , 佐々木善和
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/788 , H01L21/336 , H01L29/792 , H01L21/316 , H01L21/8246
CPC分类号： H01L21/28291 , G11C11/223 , H01L21/02181 , H01L21/02197 , H01L21/02271 , H01L21/02337 , H01L29/513 , H01L29/516 , H01L29/6684 , H01L29/78391 , H01L27/1159 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/518
摘要：【課題】FeFETが持つ10 5 秒以上のデータ保持特性と10 8 回以上のデータ書換え耐性特性を損なわずに強誘電体の膜厚(d f )を微細化に適するように59nm f 【解決手段】半導体基体上に絶縁体とビスマス層状ペロブスカイト結晶の強誘電体の構成元素で構成された膜と金属をこの順序で形成した後に強誘電体結晶化アニールを行い製造された半導体基体と絶縁体と強誘電体と金属から成る素子の製造方法であって、前記膜はCaとSrとBiとTaと酸素原子で構成し、前記金属はIrあるいはPtあるいはIrとPtの合金あるいはRuで構成し、前記強誘電体結晶化アニールは、窒素に酸素を足した混合ガス中あるいはアルゴンに酸素を足した混合ガス中で行う。【選択図】図5

9. 发明申请

WO2010016131A1 記録媒体及び記録媒体成形方法审中-公开
标题翻译：记录介质和记录介质的形成方法
公开(公告)号：WO2010016131A1
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：PCT/JP2008/064222
申请日：2008-08-07
申请人：パイオニア株式会社 , 株式会社ワコム研究所 , 尾上篤 , 藤本健二郎 , 河野高博 , 楠原昌樹 , 梅田優 , 都田昌之 , 田村正裕
发明人：尾上篤 , 藤本健二郎 , 河野高博 , 楠原昌樹 , 梅田優 , 都田昌之 , 田村正裕
IPC分类号： G11B9/02
CPC分类号： G11B9/02
摘要：　高い量産性を維持しつつプリフォーマットを予め作成し、プリフォーマット作業を不要とすることができる記録媒体を提供する。　強誘電体の分極の向きに基づいて高密度に情報を記録するために、少なくとも、基板１１と、基板１１の上層に位置する電極膜１２と、電極膜１２の上層に位置する強誘電体膜１３と、を備え、強誘電体膜１３の下層側特定部位の膜厚を変調することによって記録再生制御用信号が記録されている。セクター情報やアドレス情報といったプリフォーマットを、強誘電体膜の下層側特定部位の膜厚変調として予め形成することにより、書き込み可能な記録媒体の一部にＲＯＭ機能を具備することができ、プリフォーマット作業を不要とすることができる。
摘要翻译：提供了一种记录介质，其可以预先创建预格式，同时保持高批量生产并且消除对预格式化工作的需要。为了在铁电体极化方向记录高密度的信息，记录介质至少包括基板（11），位于基板（11）的上层上的电极膜（12）和铁电体膜（13）布置在电极膜（12）的上层上。通过预先形成诸如扇形信息和地址信息的预格式，作为强电介质膜的下层侧的特定部分的膜厚度调制，可以在可写入记录介质的一部分中提供ROM功能，这消除了对预格式化工作的需要。

10. 发明申请

WO2010016132A1 情報記録再生メモリ媒体及びその製造方法审中-公开
标题翻译：信息记录/复制记忆媒体及其制造方法
公开(公告)号：WO2010016132A1
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：PCT/JP2008/064223
申请日：2008-08-07
申请人：パイオニア株式会社 , 株式会社ワコム研究所 , 尾上篤 , 藤本健二郎 , 河野高博 , 楠原昌樹 , 梅田優 , 都田昌之 , 田村正裕
发明人：尾上篤 , 藤本健二郎 , 河野高博 , 楠原昌樹 , 梅田優 , 都田昌之 , 田村正裕
IPC分类号： G11B9/02
CPC分类号： G11B9/02
摘要：　容易に成膜が可能でありながら、局所的な読み取り時におけるバラツキの発生を抑制し得て、粒界の内読み取り特性を向上することができる情報記録再生メモリ媒体を提供する。　基板１の上層に電極層２と記録層３とが積層されると共に、記録層３よりも上層に積層された最上層部がアモルファス層４で構成されている。このとき、最上層部の化学変化を抑制することができる。　情報記録再生メモリ媒体をプローブメモリ用のメモリ媒体とすることもできる。このとき、メモリ媒体の上面には上部電極が無く、剥き出しの状態となっている。かかる状態において、記録層に導電性部が存在することにより媒体表面のチャージアップを防止するという作用は特に有効ある。
摘要翻译：提供一种信息记录/再现存储介质，其可以容易地形成胶片，同时抑制局部读取中的不规则的产生，并提高晶界的读取特性。在基板（1）的上层，层叠有电极层（2）和记录层（3）。层叠在记录层（3）上方的层上的最上层部分由非晶层（4）形成。这里，可以抑制最上层部分的化学变化。信息记录/再现存储介质可以用作探针存储器的存储介质。在这种情况下，在存储介质的上表面上不存在上电极，露出上表面。在这种状态下，由于记录层具有导电部分，所以防止在介质表面上充电的功能是特别有利的。

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