会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 6. 发明申请
    • 薄膜形成用スパッタリングターゲット、誘電体薄膜、光ディスク及びその製造方法
    • 薄膜形成用溅射靶,介质薄膜,光盘及其制造方法
    • WO2006001138A1
    • 2006-01-05
    • PCT/JP2005/009101
    • 2005-05-18
    • パイオニア株式会社細田 康雄樋口 隆信上野 崇
    • 細田 康雄樋口 隆信上野 崇
    • C23C14/34
    • G11B7/266C23C14/3414
    •  誘電体保護膜としての特性を維持しながら、酸化物薄膜中の遊離酸素を無くし、誘電体保護膜中に存在する水や酸素の拡散を抑制する。光ディスクなどの誘電体保護膜を形成する誘電体材料として、酸化ニオブと、酸化ケイ素又は酸化チタンとの混合酸化物薄膜を使用する。好適な例では、スパッタリングによる酸化物薄膜の形成において、酸化ニオブを主成分として酸化ケイ素を1~30重量%添加されてなるターゲットを使用する。また、上記の酸化物薄膜は好ましくは窒素雰囲気中で成膜される。酸素を欠損させたターゲットを使用し、微量に窒素を添加してスパッタリングを行うことにより窒素含有酸化物薄膜を作製する。これにより、完全な酸化物と同等の特性を持ちながら、還元作用が少なくバリヤ性の高い薄膜を作製することができる。
    • 在保持作为电介质保护膜的性能的同时能够消除氧化物薄膜中的游离氧并能够抑制介电保护膜中存在的水和氧的扩散的电介质薄膜。 使用由氧化铌和氧化硅或氧化钛构成的混合氧化物薄膜作为用于形成光盘等的介电保护膜的电介质材料。 在优选的实施方案中,在通过溅射形成氧化物薄膜时,使用包含氧化铌作为主要成分的靶和1至30重量%的氧化硅作为添加剂。 氧化物薄膜优选在氮气气氛中形成。 提供氧缺乏的靶,同时在加入极少量的氮以形成含氧氧化物薄膜的同时进行溅射,由此不具有显着还原作用并具有高水平阻隔性的薄膜可以是 同时保持与完全氧化物相同的性质。
    • 8. 发明申请
    • 重合性球状遷移金属錯体、球状遷移金属錯体、及びそれらの製造方法
    • 可聚合球形过渡金属复合物,球形过渡金属复合物,以及生产二氧化碳的方法
    • WO2007102501A1
    • 2007-09-13
    • PCT/JP2007/054313
    • 2007-03-06
    • 国立大学法人東京大学パイオニア株式会社藤田 誠佐藤 宗太村瀬 隆史飯田 哲哉樋口 隆信田中 覚
    • 藤田 誠佐藤 宗太村瀬 隆史飯田 哲哉樋口 隆信田中 覚
    • C07D213/30C07F15/00
    • C07D401/10C07F15/0066
    • 【課題】遷移金属原子と二座有機配位子とから形成されてなり、前記二座有機配位子が、末端に重合性基部分をもつ置換基を有するものであり、かつ、前記置換基が中空の殻内部に配向するように形成されてなる中空の殻を有する重合性球状遷移金属錯体、該錯体の中空の殻内において前記重合性基が重合してなる球状遷移金属錯体、及びその製造方法を提供する。 【解決手段】中空の殻を有する球状遷移金属錯体であって、前記中空の殻がa個(aは、6~60の整数を表す。)の遷移金属原子と、2a個の二座有機配位子とから形成されてなり、前記二座有機配位子が、末端に少なくとも1以上の重合性基部分をもつ置換基を有するものであり、かつ、前記置換基が中空の殻内部に配向するように形成されていることを特徴とする重合性球状遷移金属錯体、この錯体の中空の殻内において前記重合性基部分が重合してなる球状遷移金属錯体、及びその製造方法。
    • 本发明提供一种具有由过渡金属原子构成的中空壳结构的聚合性球状过渡金属络合物和末端具有可聚合基团的具有取代基的二齿有机配体,其中取代基排列在壳体的内部; 如上所述的球形过渡金属络合物,其中可聚合基团在壳体的内部聚合; 和两者的生产过程。 解决问题的手段具有中空壳结构的聚合性球状过渡金属络合物,其特征在于,所述壳由过渡金属原子(其中a为6〜60的整数)和具有各自具有取代基的取代基的2a二齿有机配体构成 末端有一个或多个可聚合基团,取代基排列在壳体的内部; 如上所述的球形过渡金属络合物,其中可聚合基团在壳体的内部聚合; 和两者的生产过程。