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1. 发明申请

WO2003083924A1 強誘電体薄膜の作製方法审中-公开
标题翻译：电磁薄膜生产方法
公开(公告)号：WO2003083924A1
公开(公告)日：2003-10-09
申请号：PCT/JP2003/003908
申请日：2003-03-27
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：黒川賢一 , 名取栄治
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02282 , H01L21/02197 , H01L21/31691 , H01L28/55 , H01L41/1876 , H01L41/317
摘要：二種類以上の原料溶液からなる強誘電体薄膜が基板のある一平面内，膜厚方向において均一に混合されたものとなるようにする。または一平面内に，膜厚方向において原料溶液が分布を持つように混合されたものとなるようにする。二つ以上のインクジェットヘッドを持つインクジェット装置によって，二種類の原料溶液105，106を別々のインクジェットヘッドにて一定吐出量で打ち分けることで，一平面内において均一に混合された強誘電体薄膜を作製でき，これを繰り返すことにより薄膜厚方向にも均一に混合された強誘電体薄膜を作製できる。また，膜厚方向や面内方向の吐出量を変化させることで原料溶液が分布を持つように混合された強誘電体薄膜を作製できる。
摘要翻译：由至少两种材料溶液构成的铁电薄膜在基板的平面内的膜厚度方向上均匀混合。或者混合，使得材料溶液在平面内以膜厚度方向分布。通过具有至少两个喷墨头的喷墨装置以恒定的喷射量通过单独的喷墨头选择性地喷射两种材料溶液（105,106），从而在一个平面内产生均匀混合的铁电薄膜，并重复该步骤以产生在薄膜厚度方向上均匀混合的铁电薄膜。改变膜厚度方向和面内方向的喷射量可以产生混合的铁电薄膜，从而适当地分配材料溶液。

2. 发明申请

WO2004017410A1 強誘電体メモリおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：电磁记忆及其制造方法
公开(公告)号：WO2004017410A1
公开(公告)日：2004-02-26
申请号：PCT/JP2003/010306
申请日：2003-08-13
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：名取栄治 , 下田達也 , 木島健
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： H01L25/0657 , G11C11/22 , H01L21/6835 , H01L21/84 , H01L24/73 , H01L25/50 , H01L27/105 , H01L27/11502 , H01L27/1203 , H01L2221/6835 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2225/06572 , H01L2924/01012 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：本発明の強誘電体メモリは、基体１００と、基体１００上に接着層２００を介して形成されたシート状デバイス３００とを含んで構成される。また、シート状デバイス３００は、ライン状に形成された複数の下部電極３０１及び上部電極３０２の少なくとも交叉領域３０３に強誘電体層が配置されたメモリセルアレイ３０４と、前記メモリセルアレイ３０４用の周辺回路部３０７と、を含んで構成される。
摘要翻译：铁电存储器包括衬底（100）和设置在衬底（100）上的片状器件（300），其间插入有粘合剂层（200）。片状装置（300）具有存储单元阵列（304），其中铁电层至少形成在线性形成的下电极（301）的交点（303）和线性形成的上电极（302）之间，并且外围电路用于存储单元阵列（304）的部分（307）。

3. 发明申请

WO2004038733A1 強誘電体膜、強誘電体キャパシタ、強誘電体メモリ、圧電素子、半導体素子、強誘電体膜の製造方法、及び強誘電体キャパシタの製造方法审中-公开
标题翻译：电介质膜，电介质电容器，电磁存储器，压电元件，半导体器件，制造电介质膜的方法以及制造电介质电容器的方法
公开(公告)号：WO2004038733A1
公开(公告)日：2004-05-06
申请号：PCT/JP2003/013556
申请日：2003-10-23
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：木島健 , 濱田泰彰 , 名取栄治 , 大橋幸司
IPC分类号： H01B3/12
CPC分类号： C01G33/006 , C01G35/006 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2004/04 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , C01P2006/80 , H01B1/08 , H01G4/1254 , H01G4/33 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/316 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/57 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/318
摘要： A ferroelectric film is composed of an oxide represented by a general formula of AB1-xNbxO3. The component A comprises at least Pb, and the component B comprises at least one of Zr, Ti, V, W, Hf, and Ta. The ferroelectric film contains Nb in an amount of 0.05
摘要翻译：铁电体膜由通式AB1-xNbxO3表示的氧化物构成。组分A至少包含Pb，组分B包括Zr，Ti，V，W，Hf和Ta中的至少一种。铁电体膜含有0.05 <= x <1的Nb。该铁电体膜可以用于1T1C，2T2C和简单矩阵铁电存储器中的任一种。

4. 发明申请

WO2002102712A1 セラミックス及びその製造方法、ならびに誘電体キャパシタ、半導体装置及び素子审中-公开
标题翻译：陶瓷及其制备方法，介质电容器，半导体和元件
公开(公告)号：WO2002102712A1
公开(公告)日：2002-12-27
申请号：PCT/JP2002/005902
申请日：2002-06-13
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：名取栄治 , 木島健 , 古山晃一 , 田崎雄三
IPC分类号： C01B33/00
CPC分类号： C04B35/457 , C04B35/01 , C04B35/16 , C04B35/42 , C04B35/4521 , C04B35/465 , C04B35/472 , C04B35/475 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/495 , C04B35/497 , C04B35/624 , C04B35/6264 , C04B35/62645 , C04B35/64 , C04B2235/3205 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3287 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/3436 , C04B2235/3445 , C04B2235/3454 , C04B2235/3463 , C04B2235/664 , C04B2235/76 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C16/409 , C23C18/1208 , C23C18/1225 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L41/1878 , H01L41/318
摘要： A method for preparing a ceramic which comprises forming a film in which a composite oxide material having an oxygen octahedral structure and a paraelectric material having a catalytic action towards the composite oxide material are mixedly present, and then subjecting the film to a heat treatment, wherein the paraelectric material comprises a layered catalytic substance containing Si as a constituent element or containing Si and Ge as constituent elements, and the heat treatment comprises firing and post-annealing, wherein at least the post-annealing is preferably carried out in a pressurized atmosphere containing at least one of oxygen and ozone; and a ceramic which comprises a composite oxide having an oxygen octahedral structure and containing Si and Ge in the oxygen octahedral structure.
摘要翻译：一种制备陶瓷的方法，其包括形成其中混合存在具有氧八面体结构的复合氧化物材料和对复合氧化物材料具有催化作用的顺电材料的膜，然后对该膜进行热处理，其中顺电材料包括含有Si作为构成元素或含有Si和Ge作为构成元素的层状催化物质，热处理包括烧成和后退火，其中至少后退火优选在含有氧和臭氧中的至少一种; 以及包含具有氧八面体结构并在氧八面体结构中含有Si和Ge的复合氧化物的陶瓷。

5. 发明申请

WO2004017391A1 強誘電体メモリ、半導体装置、強誘電体メモリの製造方法、及び半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：微电子存储器，半导体器件，用于电介质存储器的生产方法和用于半导体器件的生产方法
公开(公告)号：WO2004017391A1
公开(公告)日：2004-02-26
申请号：PCT/JP2003/010305
申请日：2003-08-13
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：沢崎立雄 , 名取栄治 , 古林智一 , 濱田泰彰
IPC分类号： H01L21/26
CPC分类号： H01L27/11502 , H01L27/11507
摘要：　本発明の強誘電体メモリの製造方法は、基板１０上に少なくとも強誘電体キャパシタ１０５が形成された状態で、強誘電体キャパシタ１０５の上方からパルス状のレーザー光７０を照射する。
摘要翻译：一种铁电存储器的制造方法，其特征在于，在至少形成在基板（10）上的强电介质电容器（105）的状态下，从强电介质电容器（105）的上方施加脉冲激光束（70）。

6. 发明申请

WO2003023858A1 強誘電体メモリ装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：电磁存储器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2003023858A1
公开(公告)日：2003-03-20
申请号：PCT/JP2002/009032
申请日：2002-09-05
申请人：セイコーエプソン株式会社 , 名取栄治 , 木島健
发明人：名取栄治 , 木島健
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
摘要： A ferroelectric memory device comprises a first electrode 102, second electrodes 103 arrayed in a direction perpendicular to the first electrode 102, and a ferroelectric film 101 disposed at least in an intersection area of the first electrode 102 and the second electrodes 103. Capacitors constituted of the first electrode 102, the ferroelectric film 101, and the second electrodes 103 are arranged in a matrix. In the ferroelectric film 101, a ferroelectric phase and a paraelectric phase are mixedly present.
摘要翻译：铁电存储器件包括第一电极102，沿垂直于第一电极102的方向排列的第二电极103和至少设置在第一电极102和第二电极103的交叉区域中的铁电膜101.电容器由第一电极102，铁电体膜101和第二电极103以矩阵形式布置。在铁电体膜101中，混合存在铁电相和顺电相。

7. 发明申请

WO2002102709A1 セラミックス膜およびその製造方法、ならびに強誘電体キャパシタ、半導体装置、その他の素子审中-公开
标题翻译：陶瓷薄膜及其生产方法，以及电解电容器，半导体器件，其他元件
公开(公告)号：WO2002102709A1
公开(公告)日：2002-12-27
申请号：PCT/JP2002/005903
申请日：2002-06-13
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：名取栄治 , 木島健 , 古山晃一 , 田崎雄三
IPC分类号： C01B13/14
CPC分类号： C04B35/457 , C04B35/01 , C04B35/16 , C04B35/42 , C04B35/4521 , C04B35/465 , C04B35/472 , C04B35/475 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/495 , C04B35/497 , C04B35/624 , C04B35/6264 , C04B35/62645 , C04B35/64 , C04B2235/3205 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3287 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/3436 , C04B2235/3445 , C04B2235/3454 , C04B2235/3463 , C04B2235/664 , C04B2235/76 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C16/409 , C23C18/1208 , C23C18/1225 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L41/1878 , H01L41/318
摘要： A method of producing a ceramics film comprising the step of forming a ceramics film by crystallizing a ceramics source solution containing a first source solution and a second source solution. The first source solution is different in category from the second source solution, the former being used to produce ferroelectrics and the latter being used to produce oxides such as ABO system, a solvent contained in the former is different in polarity from that contained in the latter, and the first source solution and the second source solution are formed into films with phases separated to thereby form first crystals consisting of the first source solution intermittently in the plane direction of the ceramics film and form second crystals consisting of the second source solution so as to intervene between the first crystals.
摘要翻译：一种制造陶瓷膜的方法，包括通过使包含第一源溶液和第二源溶液的陶瓷源溶液结晶而形成陶瓷膜的步骤。第一源解决方案与第二源解决方案不同，前者用于生产铁电体，后者用于生产诸如ABO体系的氧化物，前者中所含的溶剂的极性与后者中的含量不同并且将第一源溶液和第二源溶液形成为具有相分离的膜，从而在陶瓷膜的平面方向上间断地形成由第一源溶液组成的第一晶体，并形成由第二源溶液组成的第二晶体，以便介入第一个晶体之间。

8. 发明专利

JP2016068307A 液体吐出ヘッド、及び、液体吐出装置、並びに液体吐出ヘッドの製造方法审中-公开
标题翻译：液体排出头，液体排出装置和液体排出头的制造方法
公开(公告)号：JP2016068307A
公开(公告)日：2016-05-09
申请号：JP2014198004
申请日：2014-09-29
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：中尾元 , 名取栄治
IPC分类号： B41J2/14 , B41J2/16
摘要：【課題】振動板におけるクラックやこれに伴う液体の漏れを抑制することが可能な液体吐出ヘッド、及び、液体吐出装置、並びに液体吐出ヘッドの製造方法、並びに液体吐出ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】圧力室15等の流路空部が形成された基板本体10aと、流路空部の開口に対応する部分が変位可能な振動板10bと、がセラミックスの焼結体により一体的に形成され、振動板10bにおける撓み変形可能な領域上に、この領域を撓み変形させる圧電素子12が形成され、振動板10bは、少なくとも圧電素子12側の表面に、酸素欠損相30を有し、当該酸素欠損相30は平坦化処理が施されている。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制隔膜中的裂纹和与裂纹相关的液体泄漏的液体排出头，并且还提供了液体排出装置和液体排出头的制造方法。解决方案：基板形成有诸如压力室15和隔膜10b的流动通道中空部分的主体10a，其中对应于流动通道中空部分的开口的部分可移动，由烧结陶瓷体整体形成。在该区域上形成有使在膜片10b中能够偏转和变形的区域偏转和变形的压电元件12。隔膜10b至少在压电元件12侧的表面上具有缺氧相30。缺氧阶段30采用平面化处理。选择图：图4

9. 发明专利

JP6197321B2 液体噴射装置有权
公开(公告)号：JP6197321B2
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：JP2013060578
申请日：2013-03-22
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：中尾元 , 名取栄治
IPC分类号： B41J2/01 , B41J2/14

10. 发明专利

JP6136424B2 流路ユニット、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び、流路ユニットの製造方法有权
公开(公告)号：JP6136424B2
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：JP2013060576
申请日：2013-03-22
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：中尾元 , 名取栄治 , 臼田秀範
IPC分类号： B41J2/16 , B41J2/14

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