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1. 发明专利

JP2016117642A 浮遊帯から単結晶を結晶化させることによって単結晶を成長させる方法有权
标题翻译：通过从浮动区域结晶单晶生长单晶的方法
公开(公告)号：JP2016117642A
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：JP2015246155
申请日：2015-12-17
申请人：ジルトロニックアクチエンゲゼルシャフト , Siltronic AG
发明人：ゲオルク・ラミンク , ルードビヒ・アルトマンショーファー , グンダース・ラトニークス , マルティン・メーラー , フランク・ミュムラー
IPC分类号： C30B13/20
CPC分类号： C30B13/32 , C30B13/20 , C30B13/26 , C30B29/06
摘要：【課題】浮遊帯から単結晶を結晶化させることによって単結晶を成長させる方法を提供する。【解決手段】浮遊帯から単結晶を結晶化させることによって単結晶を成長させる方法であって、浮遊帯は、誘導加熱され、結晶化する単結晶は、ある回転方向に回転され、回転方向は、間をおいて交互に反転され、回転方向の反転のために単結晶が静止状態にある滞留時間は、60ミリ秒以下に制限されることを特徴とする。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供通过从浮动区域结晶单晶来生长单晶的方法。解决方案：该方法包括通过从浮动区域结晶单晶来生长单晶; 浮区为感应加热; 要结晶的单晶在一定的旋转方向旋转; 旋转方向以时间间隔交替反转; 并且为了使旋转方向反转，单晶体处于静止状态的停留时间被限制为60毫秒以下。选择图：图2

2. 发明专利

JP2016000685A 半導体材料の結晶を作製するための装置およびプロセス有权
标题翻译：用于制造半导体材料晶体的器件和工艺
公开(公告)号：JP2016000685A
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：JP2015114880
申请日：2015-06-05
申请人：ジルトロニックアクチエンゲゼルシャフト , Siltronic AG
发明人：ゲオルク・ブレニンガー , ゲオルク・ラミンク
IPC分类号： C30B13/08 , C01B33/021 , F27B14/10 , F27B14/14 , F27D11/06 , C30B29/06
CPC分类号： C30B13/20 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B11/10 , C30B13/08 , C30B13/14 , C30B13/30 , C30B29/06 , Y10T117/108
摘要：【課題】FZプロセスに類似し、半導体材料の結晶を作製するための新規な装置およびプロセスの提供。【解決手段】坩堝底部5は、頂面9と、下側10と、坩堝壁8と、坩堝底部5の中心との間に配設される多数の開口11とを有し、坩堝底部5の頂面9および下側10上に配設される凸部12が存在し、坩堝1の下に配設され、半導体材料を溶融し、且つ、半導体材料の成長中の結晶を覆う半導体材料(供給原材料16)の融液安定化するための誘導加熱コイル7を備える半導体材料の結晶作製装置。前記装置を用い、坩堝底部5の頂面9上に半導体材料の層を生成し、誘導加熱コイル7により半導体材料の層を溶融し、溶融した半導体材料を坩堝底部5の頂面9から坩堝底部5中の開口11を通って坩堝底部5の下側10へ通し、成長中の結晶を覆い、且つ、溶融ゾーンの領域2である融液へと、坩堝底部5の下側10上の凸部12の下を通過させる半導体材料の結晶作製プロセス。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供类似于用于制备半导体材料的晶体的FZ工艺的新型器件和工艺。解决方案：在用于半导体材料的晶体制备装置中，坩埚底部5包括多个开口11，其布置在顶面9，下侧10和坩埚壁8以及坩埚底部5的中心。在坩埚底部5的上表面9和下侧10上设置有盐12。坩埚底部5还包括感应加热线圈7，用于使坩埚1下方的半导体材料（或供给原料16）的熔融液稳定化，使半导体材料熔融并覆盖半导体材料中生长的晶体。通过使用所述晶体制备装置，半导体材料晶体制备方法包括：在坩埚底部5的顶面9上形成半导体材料层; 通过感应加热线圈7熔化半导体材料的层; 将熔融的半导体材料从坩埚底部5的上表面9通过坩埚底部5中的开口11流到坩埚底部5的下侧10; 涵盖生长晶体; 并将坩埚底部5的下侧10上的突出物12下方的晶体通过熔融液体或熔融区域的区域2。

4. 发明专利

JP6022000B2 半導体材料の結晶を作製するための装置およびプロセス有权
标题翻译：装置和方法用于制造半导体材料的晶体
公开(公告)号：JP6022000B2
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：JP2015114880
申请日：2015-06-05
申请人：ジルトロニックアクチエンゲゼルシャフト , Siltronic AG
发明人：ゲオルク・ブレニンガー , ゲオルク・ラミンク
IPC分类号： C30B13/08 , C01B33/021 , F27B14/10 , F27B14/14 , F27D11/06 , C30B29/06
CPC分类号： C30B13/20 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B11/10 , C30B13/08 , C30B13/14 , C30B13/30 , C30B29/06 , Y10T117/108

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