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    • 6. 发明专利
    • 基板処理方法および基板処理装置
    • 用于处理基板的方法和装置
    • JP2015088740A
    • 2015-05-07
    • JP2014185063
    • 2014-09-11
    • オルガノ株式会社
    • 矢野 大作山下 幸福村山 雅美山中 弘次
    • C02F1/68C02F1/70B01J23/44H01L21/304
    • 【課題】基板表面に露出した金属配線の腐食や酸化を、より一層抑制できる、基板処理方法及び基板処理装置を提供する。 【解決手段】本発明は、基板Wが配置され、基板Wを処理する基板処理液が供給される処理室2を有する基板処理装置1に係る。この装置は、基板Wが配置された処理室2の中に不活性ガスを充填する不活性ガス充填機構(18,39,41)と、処理室2の近傍または内部に設置され、超純水に水素を添加してなる水素溶解水を通液する白金族系金属触媒が充填された触媒ユニット21と、を備え、該水素溶解水を白金族系金属触媒に通液して得た水素溶解処理液を前記基板処理液として処理室(2)内に供給するものである。 【選択図】図2
    • 要解决的问题:提供一种能够进一步抑制暴露在基板表面上的金属丝的腐蚀或氧化的基板的处理方法和装置。解决方案:本发明涉及一种基板处理装置1,其具有处理室 2,其中设置有基板W,并且供应用于处理基板W的基板处理液体。 该装置包括:惰性气体填充机构(18,39,41),用于在其中设置有基底W的处理室2的内部填充惰性气体; 以及安装在处理室2附近或内部的催化单元21,并且填充有允许氢溶解的水通过的铂族金属催化剂,所述氢溶解的水包含加入氢的超纯水。 将氢溶解处理液作为基板处理液体供给到处理室2中,通过使溶解了氢的水通过铂族金属催化剂得到氢溶解处理液。
    • 7. 发明专利
    • モリブデン露出基板の処理方法
    • 用于处理暴露于茂氏基底的方法
    • JP2015088726A
    • 2015-05-07
    • JP2014097459
    • 2014-05-09
    • オルガノ株式会社
    • 矢野 大作山下 幸福村山 雅美山中 弘次
    • H01L21/308H01L21/304
    • 【課題】基板表面に露出したモリブデンの腐食を、より一層抑制できる、モリブデン露出基板の処理方法を提供する。 【解決手段】本発明の方法は、基板Wが配置され、基板Wを処理する基板処理液が供給される処理室2を有する基板処理装置1により実現できる。この装置は、基板Wが配置された処理室2の中に不活性ガスを充填する不活性ガス充填機構(18,39,41)と、水素が添加された超純水である水素溶解水を通す白金族系金属触媒が充填された触媒ユニット21と、水素溶解水を触媒ユニット22に通水して得た水素溶解処理液を通す膜分離ユニット22と、を備え、膜分離ユニット22を通った水素溶解処理液を前記基板処理液として処理室2に向けて供給するものである。 【選択図】図2
    • 要解决的问题:提供一种处理暴露于钼的基板的方法,能够进一步抑制暴露在基板表面上的钼的腐蚀。解决方案:本发明的方法可以通过具有处理的基板处理装置1来实现 其中设置有基板W并且供应用于处理基板W的基板处理液体的腔室2。 该装置包括:惰性气体填充机构(18,39,41),用于在其中设置有基底W的处理室2的内部填充惰性气体; 填充有允许氢溶解的水通过的铂族金属催化剂的催化单元21,所述氢溶解的水包含加入氢的超纯水; 以及使氢溶解处理液通过的膜分离单元22,通过使氢溶解的水通过催化单元21而获得的溶解氢的处理液。通过膜分离单元22的氢溶解处理液 作为基板处理液体朝向处理室2供给。