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1. 发明申请

WO9943147A2 DUAL COMPRESSED VIDEO BITSTREAM CAMERA FOR UNIVERSAL SERIAL BUS CONNECTION 审中-公开
标题翻译：双压缩视频比特相机通用串行总线连接
公开(公告)号：WO9943147A2
公开(公告)日：1999-08-26
申请号：PCT/US9903417
申请日：1999-02-17
申请人： WINBOND ELECTRONICS CORP AMERI
发明人： GADJALI HASAN , HSIEH PETER H
IPC分类号： H04N7/32 , H04N7/14 , H04N7/26 , H04N7/50 , H04N21/2343 , H04N21/4143 , H04N21/4223 , H04N21/4363 , H04N21/4788 , H04N
CPC分类号： H04N21/234327 , H04N7/148 , H04N19/30 , H04N19/61 , H04N21/4143 , H04N21/4223 , H04N21/43632 , H04N21/4788
摘要： A method for presenting video on a local monitor (318) and a remote monitor (300') includes encoding (312) an original video signal (V) to produce a first compressed video signal (LLV_1). Using the first compressed video signal, the video signal is also encoded to produce a second compressed video signal (ELV_1). Both the first and second compressed video signals are transmitted to a local terminal (314) where they are decoded to produce first (DVL_1) and second decoded video signals. A first decoded version of the video signal (DVE_1) is produced from a combination of the first and second decoded video signals. Only the first compressed video (LLV_1; LLV_r) signal is transmitted to the remote terminal at which a second decoded version (DVL_r) of the video signal is recovered from only the first compressed video signal (LLV_r). The first compressed video signal may be produced by motion compensation temporally encoding (460) and spatially encoding (430) the original video signal (V). The second compressed video signal may be produced by both spatially and motion compensation temporally decoding the first compressed video signal and subtracting (418) each pixel of each picture thereof from a corresponding, spatially and temporally aligned pixel of a picture of the original video signal (V) to form a difference video signal. The difference video signal is then only spatially encoded to produce the second compressed video signal. To produce the first decoded version of the original video signal, the first compressed video signal may be both spatially (504, 506, 508) and motion compensation temporally (510, 512, SW) decoded and the second compressed video signal may be only spatially decoded. Each pixel of each picture of the second decoded video signal may be added (514) to a corresponding temporally and spatially aligned picture pixel of the first decoded video signal.
摘要翻译：用于在本地监视器（318）和远程监视器（300'）上呈现视频的方法包括对原始视频信号（V）进行编码（312）以产生第一压缩视频信号（LLV_1）。使用第一压缩视频信号，视频信号也被编码以产生第二压缩视频信号（ELV_1）。第一和第二压缩视频信号都被发送到本地终端（314），在那里它们被解码以产生第一（DVL_1）和第二解码视频信号。从第一和第二解码视频信号的组合产生视频信号（DVE_1）的第一解码版本。仅将第一压缩视频（LLV_1; LLV_r）信号发送到仅从第一压缩视频信号（LLV_r）恢复视频信号的第二解码版本（DVL_r）的远程终端。可以通过对原始视频信号（V）进行时间编码（460）和空间编码（430）的运动补偿来产生第一压缩视频信号。第二压缩视频信号可以通过时间上解码第一压缩视频信号的空间和运动补偿来产生，并且从原始视频信号的图像的对应的空间和时间对齐的像素中减去（418）每个图像的每个像素（ V）以形成差分视频信号。差视频信号然后仅被空间编码以产生第二压缩视频信号。为了产生原始视频信号的第一解码版本，第一压缩视频信号可以在空间上（504,506,508）和时间上的运动补偿（510,512，SW）被解码，并且第二压缩视频信号可以仅在空间上解码。可以将第二解码视频信号的每个图像的每个像素（514）添加到第一解码视频信号的对应的时间和空间对准的图像像素。

2. 发明公开

KR20200140716A 전압생성회로 审中-公开
公开(公告)号：KR20200140716A
公开(公告)日：2020-12-16
申请号：KR20200064590
申请日：2020-05-28
申请人： WINBOND ELECTRONICS CORP
发明人： NAKATANI MASAFUMI
IPC分类号： G11C5/14 , G05F1/56 , G11C16/08
摘要： [과제] 동적인기준전압을이용해서생성되는전압의상승을고정밀도로제어하는전압생성회로를제공한다. [해결수단] 본발명의전압생성회로(100)는, 전압(Vpump)을출력하는차지펌프(110)와, 레귤레이터(120)와, 제어회로(140)를포함한다. 레귤레이터(120)는, 차지펌프(110)에서생성된전압(Vdivide)과기준전압(Vref)을비교하고, 비교결과(CMP_OUT)를출력하는비교기(122)와, 차지펌프(110)에서생성된전압(Vdivide2)과상승속도가제어된기준전압(VrefRRC)을비교하고, 비교결과(CMP2_OUT)를출력하는비교기(132)를포함한다. 제어회로(140)는 CMP_OUT 및 CMP2_OUT에의거해서차지펌프(110)를제어한다.

3. 发明公开

KR20180025261A 보안형 메모리 칩의 롤백 방지 버전 업그레이드 审中-公开
标题翻译：反向版本升级在受保护的内存片中
公开(公告)号：KR20180025261A
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：KR20170109686
申请日：2017-08-29
申请人： WINBOND ELECTRONICS CORP
发明人： TASHER NIR , ADMON ITAY
IPC分类号： G06F21/78 , G06F9/44 , G06F21/33 , G06F21/73
CPC分类号： G06F21/64 , G06F8/65 , G06F21/57 , G06F21/602 , H04L9/3247
摘要： 보안형저장시스템은비휘발성메모리와제어기를포함한다. 비휘발성메모리는, 제1 데이터아이템및 제1 데이터아이템에배정된각각의제1 버전식별자를저장하도록구성된다. 제어기는, 비휘발성메모리의제1 데이터아이템을교체하도록제2 버전식별자와서명이동반되는제2 데이터아이템을수신하고, 서명을이용하여적어도제2 버전식별자를인증하고, 저장된제1 버전식별자와제2 버전식별자간의비교를행하고, (i) 제2 버전식별자가성공적으로인증되었으며 (ii) 저장된제1 버전식별자와인증된제2 버전식별자간의비교에의해표시되는바와같이제2 데이터아이템이제1 데이터아이템보다최근의것이라는검증에만응답하여, 제1 데이터아이템을제2 데이터아이템으로교체하도록구성된다.
摘要翻译：安全存储系统包括非易失性存储器和控制器。非易失性存储器被配置为存储第一数据项和分配给第一数据项的相应的第一版本标识符。控制器被配置为接收伴随有第二版本标识符和签名的第二数据项以替换非易失性存储器中的第一数据项，使用签名来认证至少第二版本标识符，以在所存储的第一版本标识符和第二版本标识符，并且仅响应于验证（i）第二版本标识符被成功认证，以及（ii）第二数据项更多，用第二数据项替换第一数据项如通过存储的第一版本标识符和经认证的第二版本标识符之间的比较所指示的，比第一数据项更近。

4. 发明公开

KR20200131749A 반도체 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20200131749A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：KR20200054461
申请日：2020-05-07
申请人： WINBOND ELECTRONICS CORP
发明人： SUDO NAOAKI
IPC分类号： G11C16/30 , G06F1/3296 , G11C5/14
摘要： [과제] 딥파워다운모드에있어서소비전력을삭감하면서휘발성회로의데이터를유지하는반도체장치를제공한다. [해결수단] 본발명의반도체장치(50)는, 공급전압(Vcc)과, 데이터를유지가능한제1 레지스터및 체크비트를유지가능한제2 레지스터를포함하는복수의레지스터(14)와, 공급전압(Vcc)과복수의레지스터(14) 사이에접속되어, 복수의레지스터(14)에의공급전압(Vcc)의공급을제어하는 PMOS 트랜지스터(P) 및 AND 게이트(12)와, DPD 모드에있어서제2 레지스터에유지된체크비트의정오를판정하는판정회로(16)를포함한다. 제2 레지스터의동작마진은제1 레지스터의동작마진보다도나쁘고, PMOS 트랜지스터(P)는, 제2 레지스터에서유지된체크비트의잘못이판정회로(16)에서검출되었을때, 공급전압(Vcc)을복수의레지스터(14)에공급한다.

5. 发明公开

KR20200131748A 반도체 기억장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20200131748A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：KR20200054460
申请日：2020-05-07
申请人： WINBOND ELECTRONICS CORP
发明人： SUDO NAOAKI
IPC分类号： G11C29/12 , G11C5/14 , G11C16/30
摘要： [과제] 소비전력을저감하면서테스트동작시에정확하게파워다운동작을실행할수 있는반도체기억장치를제공한다. [해결수단] 본발명의플래시메모리는, 공급전압이일정전압으로강하된것을검출하는저전력전압검출회로(210)와, 공급전압이일정전압으로강하된것을고정밀도전압검출회로(220)와, 내부회로가테스트상태일때 고정밀도전압검출회로(220)를선택하고, 내부회로가테스트상태가아닐때 저전력전압검출회로(210)를선택하고, 저전력전압검출회로(210) 또는고정밀도전압검출회로(220)의검출결과에응답해서파워다운동작을실행하는제어기(140)를포함한다.

6. 发明公开

KR20180025134A 메모리 디바이스의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：制造存储器件的方法
公开(公告)号：KR20180025134A
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：KR20170044733
申请日：2017-04-06
申请人： WINBOND ELECTRONICS CORP
发明人： CHEN CHUN HSU , CHO HSU CHI
IPC分类号： H01L27/11546 , H01L21/762 , H01L21/8234 , H01L27/088
CPC分类号： H01L27/11546 , H01L21/28273 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L29/7883
摘要： 플로팅게이트및 접점의저항을저감하고얻어지는제품의성능, 신뢰성및 수율을더욱높이기위해버퍼산화층을형성하지않고메모리디바이스를제조하는방법을제공한다. 메모리디바이스를제조하는방법이제공된다. 본방법에서는, 제1 게이트유전체층이제1 영역내의기판상에형성된다. 제2 게이트유전체층이제2 및제3 영역내의기판상에형성된다. 제1 도전층이기판상에형성된다. 제1 유전체층이직접제1 도전층상에형성된다. 제2 영역내의제1 유전체층의일부분, 제1 도전층의일부분및 제2 게이트유전체층의일부분이제거된다. 제3 도전층및 제2 게이트유전체층이제2 영역내의기판상에순차적으로형성된다. 제3 도전층및 제2 유전체층이기판상에순차적으로형성된다. 절연분리구조가기판내에형성된다. 여기서, 절연분리구조는제2 유전체층을관통하여기판내까지연장된다.
摘要翻译：提供了一种用于制造存储器件的方法。在该方法中，在第一区域中的衬底上形成第一栅极电介质层。第二栅极介电层在第二区域和第三区域中形成在衬底上。在基板上形成第一导电层。第一介电层直接形成在第一导电层上。第二区域中的第一介电层的一部分，第一导电层的一部分以及第二栅极介电层的一部分被去除。在第二区域中的衬底上顺序形成第三栅极介电层和第二导电层。在衬底上顺序形成第三导电层和第二介电层。隔离结构形成在衬底中。这里，隔离结构穿透第二介电层并延伸到衬底中。

7. 发明专利

JP2017085078A 抵抗性メモリおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JP2017085078A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2016135592
申请日：2016-07-08
申请人：華邦電子股▲ふん▼有限公司Winbond Electronics Corp. , Huabang Electronic Co Ltd , 華邦電子股▲ふん▼有限公司Winbond Electronics Corp.
发明人： HSU PO-YEN , SHEN TING-YING , HO CHIA-HUA , FU CHIH-CHENG , CHIN TATSU
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/146 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1253 , H01L45/16 , H01L45/1675 , H01L45/1683
摘要：【課題】メモリセルの側壁を保護して、リセット失敗を防ぎ、高温データ保護(HTDR)をさらに高めることのできる抵抗性メモリおよびその製造方法を提供する。【解決手段】抵抗性メモリ100は、第1電極106a、第2電極118a、可変抵抗層108a、酸素交換層114a、および保護層112aを含む。第1電極および第2電極は、互いに対向して配置される。可変抵抗層は、第1電極と第2電極の間に配置される。酸素交換層は、可変抵抗層と第2電極の間に配置される。保護層は、酸素交換層の少なくとも側壁に配置される。【選択図】図1—5

8. 发明公开

KR20200144495A 전압 발생 회로, 반도체 스토리지 디바이스 및 그 비트 라인 충전 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200144495A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：KR20200072706
申请日：2020-06-16
申请人： WINBOND ELECTRONICS CORP
发明人： OKABE SHO
IPC分类号： G11C16/30 , G11C16/10 , G11C16/24 , G11C16/26
摘要： 전압발생회로, 반도체스토리지디바이스및 그비트라인충전방법이제공된다. 전압발생회로는, 외부전원전압(EXVDD)으로부터내부전원전압(INTVDD)을발생시키기위한 INTVDD 발생회로; 외부전원전압(EXVDD)으로부터내부전원전압(VDD_V1)을발생시키기위한 VDD_V1 발생회로; 및내부전원전압(VDD_V1)을이용하여출력노드에서비트라인을충전하기위한충전전압을발생시키는 V1_구동회로를포함한다. V1_구동회로는다른구동용량을갖는전압(V1)을발생시킬수 있다. V1_구동회로는비트라인의제1 충전기간동안약한구동용량을갖는전압(V1)으로비트라인을충전하고, 제2 충전기간동안강한구동용량을갖는(전압) V1으로비트라인을충전한다.

9. 发明公开

KR20200135153A 반도체 장치 및 연속 독출 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200135153A
公开(公告)日：2020-12-02
申请号：KR20200030105
申请日：2020-03-11
申请人： WINBOND ELECTRONICS CORP
发明人： SUDO NAOAKI , KASAI TAKAMICHI , KAGA HIROYUKI
IPC分类号： G11C16/26 , G06F11/10 , G11C16/04 , G11C16/32
摘要： 연속독출의고속화를도모할수 있는반도체기억장치를제공한다. 본발명에따른 NAND형플래시메모리의연속독출방법은, 연속독출시의메모리셀 어레이의독출타이밍에관한설정정보를레지스터에유지하는단계와, 설정정보에기초하는독출타이밍으로메모리셀 어레이로부터데이터를독출하는단계와, 독출된데이터를래치(L1, L2)에유지하는단계와, 설정정보에대응하는외부클럭신호에동기하여유지된데이터를출력하는단계를가진다.

10. 发明公开

KR20180065890A 반도체 장치 및 그 조정 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180065890A
公开(公告)日：2018-06-18
申请号：KR20170150884
申请日：2017-11-13
申请人： WINBOND ELECTRONICS CORP
发明人： YANO MASARU
IPC分类号： G11C29/12 , G11C29/02
CPC分类号： G11C13/00 , G11C16/02 , G11C16/10 , G11C16/30 , G11C29/02 , G11C29/12 , G11C29/38
摘要： 출하후의열적영향에의한신뢰성저하를방지하는반도체장치및 그조정방법을제공한다. 본발명의반도체장치는, BIST 회로(110)와저항변화형메모리를포함한다. BIST 회로(110)는, 저항변화형메모리의재포밍을행하기위한재포밍정보설정부(230)를포함하고, 포밍실행부(220) 또는테스트실행부(210)에의한동작이이루어졌을때, 재포밍정보설정부(230)에플래그「1」이설정된다. 그리고, IR 리플로우에의해회로기판에의실장후에전원이투입되었을때, BIST 제어부(200)는, 재포밍정보설정부(230)의플래그를참조하여플래그가「1」이면포밍실행부(220)에저항변화형메모리의재포밍을실행시킨다.

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