会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 5. 发明申请
    • HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR HALBLEITERBASIERTE OPTISCHE WELLENLEITER STRUKTUREN MIT SPEZIELLEN GEOMETRISCHEN FORMEN
    • 方法特殊形状的几何基于半导体光纤结构
    • WO2008089944A2
    • 2008-07-31
    • PCT/EP2008/000433
    • 2008-01-22
    • UNIVERSITÄT KARLSRUHE (TH)FREUDE, WolfgangKOOS, ChristianLEUTHOLD, Jürgen
    • FREUDE, WolfgangKOOS, ChristianLEUTHOLD, Jürgen
    • G02B6/136
    • G02B6/136
    • Es wird ein mehrstufiges Herstellungsverfahren für Wellenleiterstrukturen vorgestellt. Die Wellenleiterstruktur wird in Abschnitte unterteilt, die mit unterschiedlichen Ätzverfahren aus einer einkristallinen Bauteilschicht erzeugt werden. Dabei ist mindestens ein Ätzverfahren kristallographisch-anisotrop. Das Verfahren erlaubt es, die hohe Präzision von kristallographisch- anisotropen Ätzverfahren mit der geometrischen Vielfalt zu verbinden, die durch andere Ätzverfahren hergestellte Strukturen hinsichtlich ihrer Geometrie aufweisen. Die Kanten der Wellenleiterstruktur sind im kristallorientierten Abschnitt so orientiert, dass die späteren Seitenwände im wesentlichen mit stabilen Ebenen des Kristallgitters übereinstimmen. Dadurch ist die Lage der Seitenwände sehr genau definiert und es lassen sich mit hoher Präzision Querschnittsgeometrien erzeugen, die mit herkömmlichen, beispielsweise trockenchemischen Verfahren nicht erreichbar sind. Ein solches Verfahren kann insbesondere für die Strukturierung von Wellenleitern in der einkristallinen Bauteilschicht von SOI-Wafern verwendet werden. Es können bekannte kristallographisch-anisotrope Ätzverfahren verwendet werden, bei denen die (111) -Ebenen stabile Kristallebenen darstellen. Dadurch lassen sich verschiedenartige Querschnittsgeometrien erzeugen, die sowohl von der Kristallorientierung der Bauteilschicht also auch davon abhängen, ob und in wieweit dem kristallographisch-anisotropen Ätzverfahren vorgelagerte Ätzprozesse durchgeführt wurden.
    • 我们提出了波导结构的多阶段生产过程。 波导结构被分成多个部分,其产生具有单晶器件层不同的蚀刻方法。 它是至少一个蚀刻结晶各向异性。 该方法使得有可能高精度地通过各向异性蚀刻法与几何kristallographisch-多样性连接,通过其它蚀刻技术所产生的结构在它们的几何形状的术语。 波导结构的边缘被定向,所述后侧壁基本上与晶格的稳定的平面重合的晶体定向的部分。 由此,侧壁的位置被很好地定义,并且有可能产生不符合常规实现的横截面几何形状,例如,具有精度高的干化学过程。 这样的方法可特别地用于波导的SOI晶片的单晶器件层中的图案化。 它可用于在其中(111)面表示稳定的晶面结晶学已知各向异性蚀刻法。 这种多元横截面几何形状可以通过该装置层的两个晶体取向来生成因此还依赖于是否和晶体各向异性蚀刻上游蚀刻工艺进行到什么程度。