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1. 发明申请

WO2011050336A3 SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING AN ENHANCED ABSORPTION REGION AND ASSOCIATED METHODS 审中-公开
公开(公告)号：WO2011050336A3
公开(公告)日：2011-04-28
申请号：PCT/US2010/053867
申请日：2010-10-22
申请人： SIONYX, INC. , CAREY, James , SICKLER, Jason
发明人： CAREY, James , SICKLER, Jason
IPC分类号： H01L31/101
摘要： Photosensitive semiconductor devices and associated methods are provided. In one aspect, for example, a photosensitive semiconductor device can include an electromagnetic radiation absorption layer having a thickness of less than or equal to about 200 µm, wherein the electromagnetic radiation absorption layer includes a semiconductor material and an enhanced absorption region. The electromagnetic radiation absorption layer is operable to absorb greater than or equal to about 40% of incident electromagnetic radiation having at least one wavelength greater than or equal to about 1064 nm.

2. 发明申请

WO2010127298A3 LOW OXYGEN CONTENT SEMICONDUCTOR MATERIAL FOR SURFACE ENHANCED PHOTONIC DEVICES ASSOCIATED METHODS 审中-公开
标题翻译：表面增强光电器件的低氧含量半导体材料相关方法
公开(公告)号：WO2010127298A3
公开(公告)日：2011-02-24
申请号：PCT/US2010033253
申请日：2010-04-30
申请人： SIONYX INC , CAREY JAMES , LI XIA , ALIE SUSAN , PRALLE MARTIN U
发明人： CAREY JAMES , LI XIA , ALIE SUSAN , PRALLE MARTIN U
IPC分类号： H01L31/101 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/268 , H01L21/223 , H01L21/324 , H01L31/0256 , H01L31/101 , H01L31/18
摘要： Radiation-absorbing semiconductor devices and associated methods of making and using are provided. In one aspect, for example, a method for making a radiation- absorbing semiconductor device having enhanced photoresponse can include forming an active region on a surface of a low oxygen content semiconductor, and annealing the low oxygen content semiconductor to a temperature of from about 300° C to about 1100° C, wherein the forming of the active region and the annealing of the low oxygen content semiconductor are performed in a substantially oxygen-depleted environment.
摘要翻译：提供了辐射吸收半导体器件及相关的制造和使用方法。一方面，例如，制造具有增强的光响应的辐射吸收半导体器件的方法可以包括在低氧含量半导体的表面上形成有源区，并将低氧含量半导体退火至约300 ℃至约1100℃，其中活性区域的形成和低氧含量半导体的退火在基本上耗氧的环境中进行。

3. 发明申请

WO2010071638A1 METHOD AND APPARATUS FOR LASER-PROCESSING A SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC APPARATUS 审中-公开
标题翻译：用于激光加工半导体光电装置的方法和装置
公开(公告)号：WO2010071638A1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：PCT/US2008/087091
申请日：2008-12-17
申请人： SIONYX, INC. , CAREY, James , PRALLE, Martin
发明人： CAREY, James , PRALLE, Martin
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/268
CPC分类号： H01L31/186 , H01L21/268 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： The present disclosure is directed to a method for automated manufacturing thin film solar cells including a laser processed layer. The method includes depositing a plurality of substantially planar layers in proximity with one another, including at least a first semiconductor layer, feeding the plurality of layers through a plurality of processing steps, irradiating at least a portion of a layer of the plurality of layers with a source of laser radiation, and using a control computer to control at least one of the acts of feeding and irradiating in the automated manufacture of the thin film solar cells.
摘要翻译：本公开涉及一种用于自动化制造包括激光加工层的薄膜太阳能电池的方法。该方法包括沉积彼此邻近的多个基本平坦的层，包括至少第一半导体层，通过多个处理步骤馈送多个层，将多层的至少一部分层与激光辐射源，以及使用控制计算机来控制在薄膜太阳能电池的自动化制造中进给和照射的动作中的至少一个。

4. 发明专利

TW201501277A 淺溝槽紋理化區域及相關方法审中-公开
简体标题：浅沟槽纹理化区域及相关方法
公开(公告)号：TW201501277A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW102142822
申请日：2013-11-25
申请人：矽安尼克斯股份有限公司 , SIONYX, INC.
发明人：哈達赫梅恩 , HADDAD, HOMAYOON , 蔣巨濤 , JIANG, JUTAO
IPC分类号： H01L27/14 , H01L21/762
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14689 , H01L31/02327 , H01L31/028 , H01L31/182
摘要：本發明提供了光敏裝置及相關聯的方法。例如，在一觀點中，一光敏成像器裝置可包含：一半導體層，該半導體層具有形成至少一接面之多個摻雜區；以及被耦合到該半導體層之一紋理化區，該紋理化區定位成與電磁輻射交互作用。自一系列的淺溝槽隔離特徵形成該紋理化區。
简体摘要：本发明提供了光敏设备及相关联的方法。例如，在一观点中，一光敏成像器设备可包含：一半导体层，该半导体层具有形成至少一接面之多个掺杂区；以及被耦合到该半导体层之一纹理化区，该纹理化区定位成与电磁辐射交互作用。自一系列的浅沟槽隔离特征形成该纹理化区。

5. 发明专利

TW201502463A 利用堆疊的成像器裝置及關聯的方法之三維成像审中-公开
简体标题：利用堆栈的成像器设备及关联的方法之三维成像
公开(公告)号：TW201502463A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103109579
申请日：2014-03-14
申请人：矽安尼克斯股份有限公司 , SIONYX, INC.
发明人：哈達赫梅恩 , HADDAD, HOMAYOON , 馮琛 , FENG, CHEN , 弗貝斯雷歐納德 , FORBES, LEONARD
IPC分类号： G01B11/02 , H04N13/02
CPC分类号： G01B11/026 , G06T7/571 , G06T2207/10148 , H01L27/1464 , H04N13/236 , H04N13/271
摘要：本發明提供能判定距離而產生主體的三維表現的堆疊成像器裝置，及其關聯的方法。在一態樣中，成像器系統可包括具有第一入射光表面的第一成像器陣列以及具有第二入射光表面的一第二成像器陣列。第二成像器陣列可在對向於第一入射光表面的表面而耦合到第一成像器陣列，伴隨第二入射光表面朝向第一成像器陣列，並至少實質均勻地相距。系統亦可包括系統透鏡，經定位而沿光學路徑將入射光引導上至第一入射光表面。第一成像器陣列為可操作以偵測出沿著光學路徑而通過之光的第一部分，並使該光的第二部分通過，其中第二成像器陣列為可操作以偵測出光的第二部分的至少一部分。
简体摘要：本发明提供能判定距离而产生主体的三维表现的堆栈成像器设备，及其关联的方法。在一态样中，成像器系统可包括具有第一入射光表面的第一成像器数组以及具有第二入射光表面的一第二成像器数组。第二成像器数组可在对向于第一入射光表面的表面而耦合到第一成像器数组，伴随第二入射光表面朝向第一成像器数组，并至少实质均匀地相距。系统亦可包括系统透镜，经定位而沿光学路径将入射光引导上至第一入射光表面。第一成像器数组为可操作以侦测出沿着光学路径而通过之光的第一部分，并使该光的第二部分通过，其中第二成像器数组为可操作以侦测出光的第二部分的至少一部分。

6. 发明授权

US09209345B2 Shallow trench textured regions and associated methods 有权
标题翻译：浅沟纹理区域及相关方法
公开(公告)号：US09209345B2
公开(公告)日：2015-12-08
申请号：US14084392
申请日：2013-11-19
申请人： SiOnyx, Inc.
发明人： Homayoon Haddad , Jutao Jiang
IPC分类号： H01L21/00 , H01L31/18 , H01L31/028 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14689 , H01L31/02327 , H01L31/028 , H01L31/182
摘要： Photosensitive devices and associated methods are provided. In one aspect, for example, a photosensitive imager device can include a semiconductor layer having multiple doped regions forming a least one junction, a textured region coupled to the semiconductor layer and positioned to interact with electromagnetic radiation. The textured region can be formed from a series of shallow trench isolation features.
摘要翻译：提供光敏设备及相关方法。在一个方面，例如，光敏成像器件可以包括具有形成至少一个结的多个掺杂区域的半导体层，耦合到半导体层并被定位成与电磁辐射相互作用的纹理区域。纹理化区域可以由一系列浅沟槽隔离特征形成。

7. 发明申请

US20150270306A1 PHOTOSENSITIVE IMAGING DEVICES AND ASSOCIATED METHODS 有权
标题翻译：感光成像装置及相关方法
公开(公告)号：US20150270306A1
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：US14223938
申请日：2014-03-24
申请人： SiOnyx, Inc.
发明人： Homayoon Haddad , Jutao Jiang , Jeffrey McKee , Drake Miller , Leonard Forbes , Chintamani Palsule
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14638 , H01L27/14609 , H01L27/1462 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H01L27/14698
摘要： Photosensitive devices and associated methods are provided. In one aspect, for example, a photosensitive imager device can include a semiconductor substrate having multiple doped regions forming at least one junction, a textured region coupled to the semiconductor substrate and positioned to interact with electromagnetic radiation, and an electrical transfer element coupled to the semiconductor substrate and operable to transfer an electrical signal from the at least one junction. In one aspect, the textured region is operable to facilitate generation of an electrical signal from the detection of infrared electromagnetic radiation. In another aspect, interacting with electromagnetic radiation further includes increasing the semiconductor substrate's effective absorption wavelength as compared to a semiconductor substrate lacking a textured region.
摘要翻译：提供光敏设备和相关方法。在一个方面，例如，光敏成像器件可以包括具有形成至少一个结的多个掺杂区域的半导体衬底，耦合到半导体衬底并被定位成与电磁辐射相互作用的纹理区域以及耦合到半导体衬底并且可操作以从所述至少一个结转移电信号。在一个方面，纹理化区域可操作以便于从红外线电磁辐射的检测中产生电信号。在另一方面，与电磁辐射相互作用进一步包括与缺少纹理区域的半导体衬底相比增加半导体衬底的有效吸收波长。

8. 发明申请

US20140154891A1 Beam Delivery Systems for Laser Processing Materials and Associated Methods 审中-公开
标题翻译：激光加工材料和相关方法的光束传输系统
公开(公告)号：US20140154891A1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：US13931624
申请日：2013-06-28
申请人： SiOnyx, Inc.
发明人： Keith Donaldson , Jason Sickler , James E. Carey , Romek Nowak
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67 , G21K5/08
摘要： Devices, systems, and methods for laser processing semiconductor materials are provided. In one aspect, a system for uniformly laser irradiating at least one wafer can include a wafer platter operable to receive and support a one or more wafers, a rotational movement system coupled to the wafer platter, the rotational movement system being operable to rotate the wafer platter in at least one of a clockwise or a counter clockwise direction, and a linear movement system coupled to the wafer platter and operable to move the wafer platter along one or more linear axes. The system can also include a laser source oriented to deliver laser radiation onto a wafer supported by the wafer platter at a fixed angle relative to the surface of the wafer, where the rotational movement system and the linear movement system are operable to maintain the fixed angle across the entirety of the wafer surface.
摘要翻译：提供了用于激光加工半导体材料的装置，系统和方法。在一个方面，用于均匀激光照射至少一个晶片的系统可以包括可操作以接收和支撑一个或多个晶片的晶片盘片，连接到晶片片的旋转运动系统，所述旋转运动系统可操作以使晶片在顺时针或逆时针方向中的至少一个盘片上，以及耦合到晶片盘片的线性移动系统，并且可操作以沿着一个或多个直线轴线移动晶片盘片。该系统还可以包括激光源，其定向为以相对于晶片表面固定的角度将激光辐射传送到由晶片片支撑的晶片上，其中旋转运动系统和线性运动系统可操作以保持固定角度跨越整个晶片表面。

9. 发明申请

US20150372040A1 Pixel Isolation Elements, Devices and Associated Methods 有权
标题翻译：像素隔离元件，器件和相关方法
公开(公告)号：US20150372040A1
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：US14747875
申请日：2015-06-23
申请人： SiOnyx, Inc.
发明人： Martin U. Pralle , Jeffrey McKee , Jason Sickler
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/14607 , H01L27/1462 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14689
摘要： Light trapping pixels, devices incorporating such pixels, and various associated methods are provided. In one aspect, for example, a light trapping pixel device can include a light sensitive pixel having a light incident surface, a backside surface opposite the light incident surface, and a peripheral sidewall disposed into at least a portion of the pixel and extending at least substantially around the pixel periphery. The pixel can also include a backside light trapping material substantially covering the backside surface and a peripheral light trapping material substantially covering the peripheral sidewall. The light contacting the backside light trapping material or the peripheral light trapping material is thus reflected back toward the pixel.
摘要翻译：提供了光捕获像素，并入这些像素的装置以及各种相关的方法。在一个方面，例如，光捕获像素装置可以包括具有光入射表面的光敏像素，与光入射表面相对的背面，以及设置在像素的至少一部分中的外围侧壁，至少延伸基本上围绕像素周边。像素还可以包括基本上覆盖背面的背面光捕获材料和基本覆盖周边侧壁的外围光捕获材料。因此，与背面的光捕获材料或周围的光捕获材料接触的光被反射回到像素。

10. 发明申请

US20140313386A1 HIGH DYNAMIC RANGE CMOS IMAGE SENSOR HAVING ANTI-BLOOMING PROPERTIES AND ASSOCIATED METHODS 有权
标题翻译：高动态范围CMOS图像传感器，具有抗真空性能和相关方法
公开(公告)号：US20140313386A1
公开(公告)日：2014-10-23
申请号：US14183338
申请日：2014-02-18
申请人： SiOnyx, Inc.
发明人： Jutao Jiang , Matt Borg
IPC分类号： H04N5/374
CPC分类号： H04N5/374 , H01L27/14654 , H04N5/35581 , H04N5/3591
摘要： A method of providing blooming protection to a CMOS imager having a pixel array of a plurality of pixels arranged in rows and columns, where the CMOS imager is operable to capture high dynamic range images using a rolling shutter, is provided. Such a method can include reading out charge accumulated by the pixels in a readout row of a first integration time, applying a reset to the readout row for a reset time sufficient to allow readout and reset to occur in at least one subsequent row, and starting a second integration time of the pixels in the readout row, wherein the second integration time is shorter than the first integration time, and wherein the at least one subsequent row is a sufficient number of rows to have a combined reset to preclude blooming effects from the pixel array during the second integration time.
摘要翻译：提供了一种对具有排列成行和列的多个像素的像素阵列的CMOS成像器提供防晕保护的方法，其中CMOS成像器可操作以使用滚动快门捕获高动态范围图像。这种方法可以包括读出由第一积分时间的读出行中的像素积累的电荷，向读出行施加一个复位时间的复位时间，足以允许在至少一个后续行中发生读出和复位，并且启动所述读出行中的所述像素的第二积分时间，其中所述第二积分时间比所述第一积分时间短，并且其中所述至少一个后续行是足够数量的行以具有组合复位以排除来自所述第一积分时间像素阵列在第二个积分时间。

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