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    • 8. 发明专利
    • Solar cell contact fingers and solder pad arrangement for enhanced efficiency
    • 太阳能电池接点指示器和焊盘安装方式提高效率
    • JP2013239725A
    • 2013-11-28
    • JP2013140804
    • 2013-07-04
    • Sunpower Corpサンパワー コーポレイション
    • DENIS DE CEUSTER
    • H01L31/04
    • H01L31/022433H01L31/18Y02E10/50
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide solar cell contact fingers and solder pad arrangement allowing high efficiency.SOLUTION: A solar cell comprises: negative metal contact fingers 413 electrically connected to N-type diffusion regions of the solar cell; and positive metal contact fingers 414 electrically connected to P-type diffusion regions of the solar cell. Both the N-type and P-type diffusion regions are on the backside of the solar cell. The solar cell includes a front side that faces the sun during normal operation. The negative and positive metal contact fingers 413, 414 may be interdigitated. For increased solar radiation collection, the metal contact fingers may be arranged to face a solder pad 410 and to cover portions of a perimeter of the solder pad with the entire metal contact fingers. For example, the negative metal contact fingers 413 may be arranged to face the solder pad 410 and to cover two or three sides of the solder pad 410 with the entire negative metal contact fingers 413.
    • 要解决的问题:提供允许高效率的太阳能电池接触指和焊盘布置。解决方案:太阳能电池包括:电连接到太阳能电池的N型扩散区的负金属接触指413; 以及与太阳能电池的P型扩散区域电连接的正极金属接触指状物414。 N型和P型扩散区都在太阳能电池的背面。 太阳能电池包括在正常操作期间面向太阳的前侧。 负的和正的金属接触指413,414可以是交叉的。 为了增加太阳辐射收集,金属接触指可以布置为面对焊料垫410并且覆盖焊料垫的整个金属接触指的周边部分。 例如,负金属接触指413可以布置为面对焊料焊盘410并且覆盖焊料垫410的整个负金属接触指413的两侧或三侧。
    • 10. 发明专利
    • イオン注入を使用した太陽電池エミッタ領域製造
    • JP2020092269A
    • 2020-06-11
    • JP2019229344
    • 2019-12-19
    • SUNPOWER CORP
    • TIMOTHY WEIDMANDAVID D SMITH
    • H01L31/18H01L31/0747
    • 【課題】イオン注入を用いた太陽電池エミッタ領域の製造方法、及び太陽電池を提供する。【解決手段】イオン注入を使用した太陽電池エミッタ領域の製造方法において、太陽電池の交互のN型及びP型エミッタ領域の製造方法は、基板上にシリコン層を形成するステップ202を含む。第1の導電型のドーパント不純物原子が、第1のシャドーマスクを介して、シリコン層内に注入され、第1の注入領域を形成し、シリコン層の非注入領域が生じる。第2の反対の導電型のドーパント不純物原子が、第2のシャドーマスクを介して、シリコン層の非注入領域の一部に注入され、第2の注入領域を形成し、シリコン層の残留非注入領域が生じる。シリコン層の残留非注入領域は選択的エッチングプロセスによって除去される一方で、シリコン層の第1及び第2の注入領域はアニールされ、ドープされた多結晶シリコンエミッタ領域が形成される。【選択図】図2