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1. 发明授权

US08889436B2 Method for manufacturing optoelectronic devices 有权
标题翻译：制造光电器件的方法
公开(公告)号：US08889436B2
公开(公告)日：2014-11-18
申请号：US13455207
申请日：2012-04-25
申请人： Wu-Tsung Lo , Yu-Chih Yang , Rong-Ren Lee
发明人： Wu-Tsung Lo , Yu-Chih Yang , Rong-Ren Lee
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/0304 , H01L31/0543 , H01L31/1892 , H01L33/0062 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02P70/521 , H01L2924/00
摘要： A method for manufacturing optoelectronic devices comprising the steps of: providing a common growth substrate; forming a light-emitting epitaxy structure on the common growth substrate; forming a stripping layer on the light-emitting epitaxy structure; forming a solar cell epitaxy structure on the stripping layer; forming an adhesive layer on the solar cell epitaxy structure; proving a solar cell permanent substrate on the adhesive layer; and removing the stripping layer to form a light-emitting device and a solar cell device separately.
摘要翻译：一种制造光电器件的方法，包括以下步骤：提供共同的生长衬底; 在共同生长衬底上形成发光外延结构; 在发光外延结构上形成剥离层; 在剥离层上形成太阳能电池外延结构; 在太阳能电池外延结构上形成粘合剂层; 在粘合剂层上证明太阳能电池永久性基板; 并且去除剥离层以分开形成发光器件和太阳能电池器件。

2. 发明申请

US20110220190A1 SOLAR CELL HAVING A GRADED BUFFER LAYER 审中-公开
标题翻译：具有分级缓冲层的太阳能电池
公开(公告)号：US20110220190A1
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：US13051266
申请日：2011-03-18
申请人： Rong-Ren LEE , Shiuan-Leh Lin , Shin-Chang Lee
发明人： Rong-Ren LEE , Shiuan-Leh Lin , Shin-Chang Lee
IPC分类号： H01L31/06
CPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/03046 , H01L31/06875 , H01L31/0735 , H01L31/078 , H01L31/1844 , H01L31/1852 , Y02E10/544
摘要： An IMM solar cell includes a substrate, a bottom cell on the substrate; a graded buffer layer on the bottom cell; a middle cell on the graded buffer layer; a top cell on the middle cell.
摘要翻译： IMM太阳能电池包括衬底，衬底上的底部电池; 底部单元上的渐变缓冲层; 分级缓冲层上的中间单元; 中间单元格的顶部单元格。

3. 发明授权

US09130107B2 Light emitting device 有权
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：US09130107B2
公开(公告)日：2015-09-08
申请号：US13223033
申请日：2011-08-31
申请人： Yi Chieh Lin , Rong Ren Lee
发明人： Yi Chieh Lin , Rong Ren Lee
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/14
CPC分类号： H01L33/14 , H01L33/0079
摘要： This disclosure discloses a light-emitting device. The light-emitting device comprises: a substrate; a first light-emitting stack comprising a first active layer; a bonding interface formed between the substrate and the first light-emitting stack; and a contact structure formed on the first light-emitting stack and comprising first, second and third contact layers. Each of the first, second and third contact layers comprises a doping material.
摘要翻译：本公开公开了一种发光装置。发光装置包括：基板; 包括第一有源层的第一发光堆叠; 形成在所述基板和所述第一发光叠层之间的接合界面; 以及形成在第一发光叠层上并包括第一，第二和第三接触层的接触结构。第一，第二和第三接触层中的每一个包括掺杂材料。

4. 发明授权

US08884267B2 Light-emitting element with multiple light-emitting stacked layers 有权
标题翻译：具有多个发光堆叠层的发光元件
公开(公告)号：US08884267B2
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：US13546636
申请日：2012-07-11
申请人： Yi-Chieh Lin , Rong-Ren Lee
发明人： Yi-Chieh Lin , Rong-Ren Lee
IPC分类号： H01L29/06 , H01L27/15 , H01L29/66 , H01L33/06 , H01L33/00 , H01L33/08 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/06 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/32
摘要： A light-emitting element, comprises: a first active layer, generating a first light comprising a first dominant wavelength, wherein the first active layer comprises a first quantum well comprising a first quantum-well band gap and a second quantum well comprising a second quantum-well band gap, and the first quantum well and the second quantum well are alternately stacked to form the first active layer, wherein a difference between the first quantum-well band gap and the second quantum-well band gap is between 0.06eV and 0.1eV, and each of the first quantum-well and the second quantum-well is devoid of a barrier; and a second active layer on the first active layer, generating a second light comprising a second dominant wavelength; wherein a difference between the first dominant wavelength and the second dominant wavelength is 150nm to 220nm.
摘要翻译：发光元件包括：第一有源层，产生包括第一主波长的第一光，其中所述第一有源层包括第一量子阱，所述第一量子阱包括第一量子阱带隙和包括第二量子阱的第二量子阱并且第一量子阱和第二量子阱交替堆叠以形成第一有源层，其中第一量子阱带隙和第二量子阱带隙之间的差在0.06eV与0.1之间 eV，第一量子阱和第二量子阱中的每一个都没有屏障; 和在所述第一有源层上的第二有源层，产生包括第二主波长的第二光; 其中所述第一主波长和所述第二主波长之间的差为150nm至220nm。

5. 发明申请

US20130286634A1 METHOD FOR MANUFACTURING OPTOELECTRONIC DEVICES 有权
标题翻译：制造光电器件的方法
公开(公告)号：US20130286634A1
公开(公告)日：2013-10-31
申请号：US13455207
申请日：2012-04-25
申请人： Wu-Tsung LO , Yu-Chih Yang , Rong-Ren Lee
发明人： Wu-Tsung LO , Yu-Chih Yang , Rong-Ren Lee
IPC分类号： G09F13/04 , H01L21/20 , F21L4/00
CPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/0304 , H01L31/0543 , H01L31/1892 , H01L33/0062 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02P70/521 , H01L2924/00
摘要： A method for manufacturing optoelectronic devices comprising the steps of: providing a common growth substrate; forming a light-emitting epitaxy structure on the common growth substrate; forming a stripping layer on the light-emitting epitaxy structure; forming a solar cell epitaxy structure on the stripping layer; forming an adhesive layer on the solar cell epitaxy structure; proving a solar cell permanent substrate on the adhesive layer; and removing the stripping layer to form a light-emitting device and a solar cell device separately.
摘要翻译：一种制造光电器件的方法，包括以下步骤：提供共同的生长衬底; 在共同生长衬底上形成发光外延结构; 在发光外延结构上形成剥离层; 在剥离层上形成太阳能电池外延结构; 在太阳能电池外延结构上形成粘合剂层; 在粘合剂层上证明太阳能电池永久性基板; 并且去除剥离层以分开形成发光器件和太阳能电池器件。

6. 发明申请

US20130049042A1 LIGHT EMITTING DEVICE 有权
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：US20130049042A1
公开(公告)日：2013-02-28
申请号：US13223033
申请日：2011-08-31
申请人： Yi Chieh Lin , Rong Ren Lee
发明人： Yi Chieh Lin , Rong Ren Lee
IPC分类号： H01L33/60
CPC分类号： H01L33/14 , H01L33/0079
摘要： This disclosure discloses a light-emitting device. The light-emitting device comprises: a substrate; a first light-emitting stack comprising a first active layer; a bonding interface formed between the substrate and the first light-emitting stack; and a contact structure formed on the first light-emitting stack and comprising first, second and third contact layers. Each of the first, second and third contact layers comprises a doping material.
摘要翻译：本公开公开了一种发光装置。发光装置包括：基板; 包括第一有源层的第一发光堆叠; 形成在所述基板和所述第一发光叠层之间的接合界面; 以及形成在第一发光叠层上并包括第一，第二和第三接触层的接触结构。第一，第二和第三接触层中的每一个包括掺杂材料。

7. 发明申请

US20110278537A1 SEMICONDUCTOR EPITAXIAL STRUCTURES AND SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONIC DEVICES COMPRISING THE SAME 审中-公开
标题翻译：半导体外延结构和包含其的半导体光电装置
公开(公告)号：US20110278537A1
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：US13103412
申请日：2011-05-09
申请人： Shih-Chang Lee , Rong-Ren Lee
发明人： Shih-Chang Lee , Rong-Ren Lee
IPC分类号： H01L33/04 , H01L31/0248 , H01L29/15
CPC分类号： H01L33/12 , H01L21/0237 , H01L21/02463 , H01L21/02505 , H01L21/02513 , H01L31/03046 , H01L31/036 , H01L31/0687 , H01L33/04 , H01L33/22 , Y02E10/544
摘要： A semiconductor epitaxial structure includes a substrate; a semiconductor epitaxial stack layers formed on the substrate; and a plurality of semiconductor buffer layers deposited between the substrate and the semiconductor epitaxial layer with a gradually varied composition along one direction; wherein more than one of the semiconductor buffer layers have a patterned surface.
摘要翻译：半导体外延结构包括：基板; 在衬底上形成的半导体外延层叠层; 以及沿着一个方向以逐渐变化的组成沉积在所述衬底和所述半导体外延层之间的多个半导体缓冲层; 其中多于一个半导体缓冲层具有图案化表面。

8. 发明授权

US08829486B2 Light-emitting device having active layers stacked alternately 有权
标题翻译：具有交替堆叠的有源层的发光装置
公开(公告)号：US08829486B2
公开(公告)日：2014-09-09
申请号：US13313645
申请日：2011-12-07
申请人： Rong-Ren Lee , Shih-Chang Lee , Chien-Fu Huang , Tsen-Kuei Wang
发明人： Rong-Ren Lee , Shih-Chang Lee , Chien-Fu Huang , Tsen-Kuei Wang
IPC分类号： H01L29/06 , H01L33/08 , H01L27/15 , H01L33/32
CPC分类号： H01L27/15 , H01L33/08 , H01L33/32
摘要： A light-emitting device comprises a substrate, and a light-emitting structure formed on the substrate. The light-emitting structure comprises a first active layer emitting the light with a first wavelength, and a second active layer emitting the light with a second wavelength. The light-emitting structure is formed by the first active layer and the second active layer stacked alternately.
摘要翻译：发光器件包括衬底和形成在衬底上的发光结构。发光结构包括发射具有第一波长的光的第一有源层和发射具有第二波长的光的第二有源层。发光结构由交替堆叠的第一有源层和第二有源层形成。

9. 发明申请

US20120138892A1 LIGHT-EMITTING DEVICE 有权
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：US20120138892A1
公开(公告)日：2012-06-07
申请号：US13313645
申请日：2011-12-07
申请人： Rong-Ren Lee , Shih-Chang Lee , Chien-Fu Huang , Tsen-Kuei Wang
发明人： Rong-Ren Lee , Shih-Chang Lee , Chien-Fu Huang , Tsen-Kuei Wang
IPC分类号： H01L33/04
CPC分类号： H01L27/15 , H01L33/08 , H01L33/32
摘要： A light-emitting device comprises a substrate, and a light-emitting structure formed on the substrate. The light-emitting structure comprises a first active layer emitting the light with a first wavelength, and a second active layer emitting the light with a second wavelength. The light-emitting structure is formed by the first active layer and the second active layer stacked alternately.
摘要翻译：发光器件包括衬底和形成在衬底上的发光结构。发光结构包括发射具有第一波长的光的第一有源层和发射具有第二波长的光的第二有源层。发光结构由交替堆叠的第一有源层和第二有源层形成。

10. 发明申请

US20130334551A1 LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
标题翻译：发光装置及其制造方法
公开(公告)号：US20130334551A1
公开(公告)日：2013-12-19
申请号：US13517830
申请日：2012-06-14
申请人： Rong-Ren LEE , Cheng-Hong CHEN , Chih-Peng NI , Chun-Yu LIN
发明人： Rong-Ren LEE , Cheng-Hong CHEN , Chih-Peng NI , Chun-Yu LIN
IPC分类号： H01L33/60 , H01L33/48
CPC分类号： H01L27/15 , H01L33/025 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A light-emitting device comprising: a substrate having a first surface and a second surface, wherein the second surface is opposite to the first surface; a semiconductor structure formed on the first surface of the substrate, comprising a first type semiconductor layer, an active layer and a second type semiconductor layer; and an isolation region separating at least the active layer into a first part and a second part, wherein the first part is capable of generating the electromagnetic radiation, and the second part comprises a breakdown diode.
摘要翻译： 1.一种发光装置，包括：具有第一表面和第二表面的基板，其中所述第二表面与所述第一表面相对; 形成在所述基板的第一表面上的半导体结构，包括第一类型半导体层，有源层和第二类型半导体层; 以及至少将有源层分为第一部分和第二部分的隔离区域，其中第一部分能够产生电磁辐射，第二部分包括击穿二极管。

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