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热词
    • 1. 发明申请
    • PERMANENT DATA HARDWARE INTEGRITY
    • 永久数据硬件完整性
    • WO2007010009A3
    • 2008-06-19
    • PCT/EP2006064425
    • 2006-07-19
    • GEMPLUS CARD INTBENOIT OLIVIERTUNSTALL MICKAELQUOC NGUYEN KHANH
    • BENOIT OLIVIERTUNSTALL MICKAELQUOC NGUYEN KHANH
    • G06F11/10H03M13/05
    • G06F11/10
    • The invention relates to the field of data securisation in an electronic component. The invention concerns a method for processing digital data X of an item of software that are coded on I x bits for detecting faults in an electronic circuit comprising at least one bus, a processing unit, a memory for running the software, and a hardware architecture provided to this end. The method comprises: a step for transforming the digital data X into digital data Z coded on l x + l y bits, the additional l y bits being the result of an integrity function f applied to said data X; a step for processing digital data Z by the set of hardware resources of the circuit, these hardware resources working on words l x + l y bits, and; at least one step for verifying the integrity of data Z during the processing step.
    • 本发明涉及电子元件中数据安全的领域。 本发明涉及一种用于处理在I / O比特上编码的软件项的数字数据X的方法,用于检测电子电路中的故障,包括至少一个总线,处理单元,用于运行的存储器 软件和为此提供的硬件架构。 该方法包括:用于将数字数据X变换为以1×1×1×1位编码的数字数据Z的步骤,附加的I / 位是对所述数据X施加的完整性函数f的结果; 用于通过电路的硬件资源集合来处理数字数据Z的步骤,这些硬件资源用于处理单词1和/或更多位,以及; 在处理步骤期间验证数据Z的完整性的至少一个步骤。
    • 2. 发明申请
    • INTEGRITE MATERIELLE PERMANENTE DES DONNEES
    • 永久数据硬件完整性
    • WO2007010009A2
    • 2007-01-25
    • PCT/EP2006/064425
    • 2006-07-19
    • GEMPLUSBENOIT, OlivierTUNSTALL, MickaelQUOC NGUYEN, Khanh
    • BENOIT, OlivierTUNSTALL, MickaelQUOC NGUYEN, Khanh
    • G06F11/10
    • La présente invention se rapporte au domaine de la sécurisation des données dans un composant électronique. La présente invention se rapporte à un procédé de traitement de données numériques X d'un logiciel codées sur Ix bits pour la détection de faute dans un circuit électronique comprenant au moins un bus, une unité de traitement et une mémoire pour l'exécution du logiciel et une architecture matérielle prévue à cet effet. Le procédé comprend : - une étape de transformation des données numériques X en des données numériques Z codées sur I x + l y bits, les l y bits additionnels étant le résultat d'une fonction f d'intégrité appliquée sur lesdites données X ; - une étape de traitement des données numériques Z par l'ensemble des ressources matérielles du circuit, ces ressources matérielles travaillant sur des mots de I x + l y bits ; - au moins une étape de vérification de l'intégrité desdites données Z pendant ladite étape de traitement .
    • 本发明涉及电子部件中的数据安全领域。 本发明涉及一种用于处理编码在I比特上用于检测电子电路中的故障的软件项的数字数据X的方法,包括至少一个总线,处理单元,用于运行的存储器 软件和为此提供的硬件架构。 该方法包括:用于将数字数据X变换为以1×1×1×1位编码的数字数据Z的步骤,附加的1 / 位是对所述数据X施加的完整性函数f的结果; 用于通过电路的硬件资源集合来处理数字数据Z的步骤,这些硬件资源用于处理单词1和/或1个比特,以及 在处理步骤期间验证数据Z的完整性的至少一个步骤。
    • 7. 发明授权
    • Method of programming a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate
    • 编程具有单独的擦除栅极的分离栅极非易失性浮动栅极存储单元的方法
    • US08488388B2
    • 2013-07-16
    • US13286933
    • 2011-11-01
    • Viktor MarkovJong-Won YooHung Quoc NguyenAlexander Kotov
    • Viktor MarkovJong-Won YooHung Quoc NguyenAlexander Kotov
    • G11C16/04H01L29/788
    • G11C16/0416G11C16/3418H01L21/28273H01L29/42328
    • A non-volatile memory cell includes first and second regions and a channel region therebetween, a word line gate over a first portion of the channel region, a floating gate over another portion of the channel region and adjacent to the word line gate, a coupling gate over the floating gate, and an erase gate adjacent to the floating gate on an opposite side to the word line gate and over the second region. Programming the memory cell includes applying a first positive voltage to the word line gate, applying a voltage differential between the first and second regions, applying a second positive voltage to the coupling gate (where the voltages and the voltage differential are applied substantially at the same time), and applying a third positive voltage to the erase gate after a period of delay from the application of the first and second positive voltages and the voltage differential.
    • 非易失性存储单元包括第一和第二区域以及它们之间的沟道区域,沟道区域的第一部分上的字线栅极,沟道区域的另一部分上的浮动栅极,并且与字线栅极相邻,耦合 在浮动栅极上方的栅极,以及与该字线栅极相反侧和第二区域上方的浮动栅极相邻的擦除栅极。 对存储器单元进行编程包括对第一和第二区域施加第一正电压到第一和第二区域之间施加第一正电压,向耦合栅极施加第二正电压(其中施加电压和电压差异基本相同 时间),并且在施加第一和第二正电压和电压差之后延迟一段时间后,向擦除栅极施加第三正电压。
    • 8. 发明申请
    • Method Of Programming A Split Gate Non-volatile Floating Gate Memory Cell Having A Separate Erase Gate
    • 具有独立擦除门的分离门非易失性浮动栅极存储单元的编程方法
    • US20130107631A1
    • 2013-05-02
    • US13286933
    • 2011-11-01
    • Viktor MarkovJong-Won YooHung Quoc NguyenAlexander Kotov
    • Viktor MarkovJong-Won YooHung Quoc NguyenAlexander Kotov
    • G11C16/04
    • G11C16/0416G11C16/3418H01L21/28273H01L29/42328
    • A non-volatile memory cell includes first and second regions and a channel region therebetween, a word line gate over a first portion of the channel region, a floating gate over another portion of the channel region and adjacent to the word line gate, a coupling gate over the floating gate, and an erase gate adjacent to the floating gate on an opposite side to the word line gate and over the second region. Programming the memory cell includes applying a first positive voltage to the word line gate, applying a voltage differential between the first and second regions, applying a second positive voltage to the coupling gate (where the voltages and the voltage differential are applied substantially at the same time), and applying a third positive voltage to the erase gate after a period of delay from the application of the first and second positive voltages and the voltage differential.
    • 非易失性存储单元包括第一和第二区域以及它们之间的沟道区域,沟道区域的第一部分上的字线栅极,沟道区域的另一部分上的浮动栅极,并且与字线栅极相邻,耦合 在浮动栅极上方的栅极,以及与该字线栅极相反侧和第二区域上方的浮动栅极相邻的擦除栅极。 对存储器单元进行编程包括对第一和第二区域施加第一正电压到第一和第二区域之间施加第一正电压,向耦合栅极施加第二正电压(其中施加电压和电压差异基本相同 时间),并且在施加第一和第二正电压和电压差之后延迟一段时间后,向擦除栅极施加第三正电压。