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    • 8. 发明公开
    • 방사선 감지 디바이스
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    • 개시된광 검출디바이스는반도체물질의제 1 층(101)과, 2 차원물질의제 2 층(102) - 제 1 층및 제 2 층은전위에너지장벽을갖는전기접합부(104)를형성하도록구성됨 - 과, 입사전자기방사선(106)의흡수시하나이상의여기자(105)를생성하도록구성된물질의제 3 층(103)을포함한다. 제 3 층(103)에서생성된하나이상의여기자(105)로부터의전하분리는제 2 층(102)의페르미에너지에영향을주어전기접합부의전위에너지장벽높이를변화시킨다. 이러한광 검출디바이스는입사전자기방사선에대해높은민감도를갖는다. 이러한광 검출디바이스의어레이는영상디바이스로서적용될수 있다.
    • 所公开的光电检测器件被配置成形成半导体材料的第一层(101)和二维材料的第二层(102) - 第一和第二层形成具有势能屏障的电结(104) 以及被配置为在吸收入射电磁辐射(106)时产生一个或多个激子(105)的材料的第三层(103)。 与在第三层103中产生的一个或多个激子105分离的电荷影响第二层102的费米能量以改变电结的势能高度。 这种光电检测装置对入射电磁辐射具有高灵敏度。 这种光检测装置的阵列可以用作成像装置。