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1. 发明申请

WO2008028458A2 LITHOGRAPHIEVERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER STRUKTUR 审中-公开
标题翻译：光刻法用于生产结构
公开(公告)号：WO2008028458A2
公开(公告)日：2008-03-13
申请号：PCT/DE2007/001543
申请日：2007-08-29
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , MARSO, Michel , MOERS, Jürgen
发明人： MARSO, Michel , MOERS, Jürgen
IPC分类号： G03F7/095 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/095 , G03F7/203 , G03F7/2059
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Struktur durch Lithographie in einem auf einem Substrat übereinander angeordnetem Schichtsystem aus wenigstens zwei Lagen aus einem Negativlack und einem Positivlack. Das Verfahren umfasst die nachfolgenden Schritte: beide Lacke werden bestrahlt, derartig, dass ein größerer Bereich des Positivlacks als im Negativlack modifiziert wird, beide Lacke werden entwickelt, eine Struktur, deren Abmessungen durch den entfernten Bereich des Positivlacks abzüglich des modifizierten, nicht entfernten Bereichs des Negativlacks definiert sind, wird gebildet. Auf diese Weise ist es möglich, zu sehr eng benachbarten Strukturen im Schichtsystem zu gelangen.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于在设置一个在另一个之上的负的至少两个层的一个基片层系统上通过光刻制造结构抗蚀剂和正性抗蚀剂。该方法包括以下步骤：两种涂层被照射，使得在使用正光致抗蚀剂的更大的区域作为由正色调光致抗蚀剂减去改性，非去除部分的被除去的部分，其尺寸改性的负性抗蚀剂，两涂层的开发，一个结构负性抗蚀剂被定义形成。以这种方式，有可能实现非常紧密相邻的结构在该层系统。

2. 发明申请

WO1994004721A1 PROCESS AND GRANULATE FOR ELECTROLYSIS OF LIQUIDS 审中-公开
标题翻译：法电解液和颗粒电解过程
公开(公告)号：WO1994004721A1
公开(公告)日：1994-03-03
申请号：PCT/DE1993000758
申请日：1993-08-20
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , MARSO, Michel , LÜTH, Hans
发明人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
IPC分类号： C25B01/00
CPC分类号： H01L31/0236 , C25B1/003 , Y02E10/50
摘要： A process and granulate are disclosed for carrying out electrolysis. The object of the invention is to create an electrolytic process which can be carried out by more simple means then known methods. For that purpose, a material with a solar cell function is introduced into the liquid. In particular, a series of layers having a p-n transition formed on a substrate is selected. It is particularly advantageous to select a granulate as material with solar cell function. In order to achieve a higher efficiency, the lateral extension of each individual particle of granulate in at least one direction perpendicular to the normal of the substrate surface is smaller than the thickness of the series of layers.

3. 发明申请

WO2006084428A1 PHOTODETEKTOR 审中-公开
标题翻译：光电探测器
公开(公告)号：WO2006084428A1
公开(公告)日：2006-08-17
申请号：PCT/DE2006/000071
申请日：2006-01-19
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , MARSO, Michel , CALARCO, Raffaella , LÜTH, Hans
发明人： MARSO, Michel , CALARCO, Raffaella , LÜTH, Hans
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L31/035281 , H01L31/09 , Y02E10/50
摘要： Die Erfindung betrifft einen Photodetektor aus einem Halbleiter-Material mit mindestens zwei Kontakten. Er ist dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiter- Material eine so geringe Dicke aufweist, dass an der Oberfläche des Halbleiter-Materials eine Verarmungsrandschicht sich derartig ausbildet, dass das Innere des Halbleiter-Materials keine beweglichen Ladungsträger aufweist. Dieser Photodetektor reagiert schnell auf Änderungen in der Beleuchtung und/oder weist einen niedrigen Dunkelstrom auf .
摘要翻译：本发明涉及一种具有至少两个触点的半导体材料的光电检测器。它的特征在于，所述半导体材料具有这样小的厚度时所形成的耗尽层以这样的方式在所述半导体材料的表面上，即不具有可动的载流子在半导体材料的内部。该光电探测器迅速响应变化的照明和/或具有低暗电流。

4. 发明申请

WO2005101529A1 PHOTODETEKTOR MIT SPANNUNGSABHÄNGIGER SPEKTRALER EMPFINDLICHKEIT 审中-公开
标题翻译：与电压有关的光谱灵敏度光电探测器
公开(公告)号：WO2005101529A1
公开(公告)日：2005-10-27
申请号：PCT/EP2005/051339
申请日：2005-03-23
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , MARSO, Michel , WOLTER, Mike , KORDOS, Peter
发明人： MARSO, Michel , WOLTER, Mike , KORDOS, Peter
IPC分类号： H01L31/112
CPC分类号： H01L31/1085
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft einen Photodetektor. Dieser weist wenigstens eine erste und zweite Halbleiterschicht aus. Es sind Mittel zur Kontaktierung einer Spannung an die Halbleiterschichten vorgesehen. Dabei ist die Spannung in einem ersten Spannungsbereich so einstellbar, dass ein im Wesentlichen auf die erste Halbleiterschicht begrenztes elektrisches Feld zum Abtransport photogenerierter Ladungsträger erzeugt wird. Der obere Grenzwert des ersten Bereichs ist von der Schichtdicke und dem verwendeten Material abhängig. Bei Einstellung der Spannung in einem zweiten Bereich, beispielsweise im Vergleich zum ersten Bereich von höherer Spannung, dehnt sich das elektrische Feld zusätzlich in die zweite oder weitere Halbleiterschicht zum Abtransport photogenerierter Ladungsträger aus. Dadurch wird erreicht, dass durch Variation der anliegenden Spannung bei unveränderter Intensität des einstrahlenden Lichtes die Anzahl der photogenerierten Ladungsträger erhöht wird und damit der Photostrom sprunghaft ansteigt. Die Empfindlichkeit des Photodetektors ist somit im Vergleich einfach und effektiv zu regeln. In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung unterscheiden sich die erste und zweite Halbleiterschicht in ihrer spektralen Empfindlichkeit. Dadurch wird erreicht, dass sich die spektralen Empfindlichkeiten durch Variation der anliegenden Spannung verändern und einstellen lassen. In Abhängigkeit der anliegenden Halbleiterschichten tragen unterschiedliche Halbleiterschichten zum Photostrom bei und ihre Empfindlichkeiten addieren sich. So kann es in Abhängigkeit der gewählten Materialien zu einer ausgeprägten spektralen Abhängigkeit der Empfindlichkeit kommen, die insbesondere spannungsabhängig unterschiedliche Verläufe zeigt.
摘要翻译：本发明涉及光检测器。这具有至少从第一和第二半导体层。装置被提供用于提供电压给所述半导体层接触。的电压在第一电压范围内进行调节，即在所述第一半导体层限定电场基本上是用于传输光生载流子生成。第一范围的上限依赖于层的厚度和所使用的材料。在调整在第二区域中的张力，例如，相比于较高的电压，光生电荷载流子的从除了用于去除第二或另外的半导体层膨胀的电场的所述第一范围。特征在于，光生电荷载流子的数目增加，通过改变与入射光的强度不变的施加电压，因此，光电流突然增加得以实现。光电检测器的灵敏度因此简单而有效的比较来调节。在另一有利的实施例中，第一和第二半导体层在它们的光谱灵敏度不同。这确保了通过改变所施加的电压改变它的光谱灵敏度，并且可以被设置。取决于不同的半导体层的相邻的半导体层上向光电流和它们的灵敏度是累加的。这可能导致的灵敏度的显着光谱相关，特别是示出了根据所选择的材料依赖于电压的不同的波形。

5. 发明申请

WO1998025311A1 OPTICAL RECEIVER AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
标题翻译：光接收器及其制造方法
公开(公告)号：WO1998025311A1
公开(公告)日：1998-06-11
申请号：PCT/DE1997002808
申请日：1997-12-02
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , MARSO, Michel , HORSTMANN, Manfred , LÜTH, Hans
发明人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
IPC分类号： H01L31/0232
CPC分类号： G02B6/42 , G02B2006/12173 , G02B2006/12176 , G02B2006/12178 , G02B2006/12195 , H01L31/1085
摘要： An optical component, in particular an optical receiver, has waveguides on a substrate suitable for a semiconductor material. The waveguide is bevelled at least at one end and the bevelled end has a photodetector. A Schottky contact can be provided at least partially on the bevelled end of the waveguide to form the detector. An MSM diode can be selected as detector.
摘要翻译：本发明涉及的光学部件，特别是光接收机，对用于半导体的合适的衬底材料的光学波导。在这种情况下，波导是倾斜的至少一个端部，并且该锥形端包括一个光电检测器。为了形成所述检测器，可以提供一个在波导肖特基接触的斜切端至少部分的版本。作为检测器，MSM二极管可以被选择。

6. 发明申请

WO0021118A3 METHOD FOR PRODUCING A DOUBLE GATE OF A VERTICAL MOSFET 审中-公开
标题翻译：用于生产垂直MOSFET
公开(公告)号：WO0021118A3
公开(公告)日：2001-01-11
申请号：PCT/DE9903208
申请日：1999-10-05
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH , MARSO MICHEL , MOERS JUERGEN , KLAES DIRK , KORDOS PETER , LUETH HANS
发明人： MARSO MICHEL , MOERS JUERGEN , KLAES DIRK , KORDOS PETER , LUETH HANS
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66666 , H01L29/7827
摘要： The invention relates to a method for producing a component with sub-100 nm structuring. Only one sub-100 nm structuring is provided for when initial geometric configuring occurs. A double gate MOSFET with sub-100 nm structuring can be chosen as said component, whereby the gate thereof encloses the channel.
摘要翻译：本发明涉及一种用低于100nm-结构化的制造部件的方法。在这种情况下，在装置的几何构型的开头提供一个单个子100nm的结构。作为组分的一个MOSFET可被选择，其栅极包围的通道。

7. 发明申请

WO9733302A2 COLOUR-SELECTIVE Si DETECTOR ARRAY 审中-公开
标题翻译：颜色选择性的Si检测器阵列
公开(公告)号：WO9733302A2
公开(公告)日：1997-09-12
申请号：PCT/DE9700457
申请日：1997-03-08
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH , MARSO MICHEL , KRUEGER MICHAEL , BERGER MICHAEL , THOENISSEN MARKUS , LUETH HANS
发明人： MARSO MICHEL , KRUEGER MICHAEL , BERGER MICHAEL , THOENISSEN MARKUS , LUETH HANS
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/0216 , H01L31/11 , H01L
CPC分类号： H01L31/02161 , H01L27/146 , H01L31/1105 , Y10S438/96
摘要： The invention relates to a colour-selective Si detector array. It is attractively simple and cheap to manufacture a photodetector array triggered by line and column while ensuring individual spectral sensitivity for each detector in the array. This simplifies production of an integrated colour camera. The claimed pnp-structure can be used to produce a read-out logic system and an electronic further processing system. It is also possible to apply MOS technology on the substrate.
摘要翻译：本发明涉及一种彩色选择性的Si检测器阵列。有可能在一个非常简单和廉价的方式来使具有行和列状控制的光电检测器阵列和实现对阵列中的每个检测器的个体光谱灵敏度。这就可以很容易制造集成彩色摄像机。本发明的PNP结构可以用来产生读出的逻辑和电子处理。同样，MOS技术的在基材上的执行是可能的。

8. 发明申请

WO1993023879A1 ELECTRONIC COMPONENT WITH AT LEAST ONE CURRENT CHANNEL CONTAINING A TWO-DIMENSIONAL CHARGE CARRIER GAS 审中-公开
标题翻译：与至少一个电力通道具有两维载流气体中含有电子元件
公开(公告)号：WO1993023879A1
公开(公告)日：1993-11-25
申请号：PCT/DE1993000436
申请日：1993-05-14
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , MARSO, Michel , MEYER, Ralf , LÜTH, Hans
发明人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
IPC分类号： H01L29/804
CPC分类号： H01L29/7727
摘要： An electronic component has at least one current channel controllable by a gate and containing a two-dimensional charge carrier gas. The object of the invention is to create a component of this type that allows a complementary technology of microlectronic components to be achieved in a reduced space. An additional current channel containing a two-dimensional charge carrier gas with charge carriers complementary to the first ones is provided in the component. The current of the additional current channel may also be controlled over the first channel. The advantage of the invention is the simultaneous use of components with n- and p-conductive channels for digital circuits with low energy consumption. The gate influences both two-dimensional channels in opposite directions.

9. 发明申请

WO2005011003A1 PHOTODETEKTOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光检测器及其制造方法
公开(公告)号：WO2005011003A1
公开(公告)日：2005-02-03
申请号：PCT/DE2004/001295
申请日：2004-06-19
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , MIKULICS, Martin , MARSO, Michel , KORDOS, Peter
发明人： MIKULICS, Martin , MARSO, Michel , KORDOS, Peter
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/1085 , H01L31/09
摘要： Die Erfindung betrifft einen Photodetektor. Der Photodetektor weist eine Absorptionsschicht (22) und zwei als ohmsche Kontakte ausgeführte Elektroden (21) auf, wobei die Absorptionsschicht (22) und die Elektroden (21) auf einem isolierenden oder semiisolierenden Substrat (24) angeordnet sind. Zur Erniedrigung des Dunkelstromes des Photodetektors weist die Absorptionsschicht (22a) zwischen den Elektroden (21) einen hohen Widerstand auf. Unterhalb der Elektroden (21) hingegen weist die Absorptionsschicht (22b) einen niedrigen Widerstand auf. Dadurch wird vorteilhaft bewirkt, dass der Kontaktwiderstand erniedrigt ist und das elektrische Feld homogen wird (Figur 2). Ein Verfahren zur Herstellung des Photodetektors ist offenbart.
摘要翻译：本发明涉及光检测器。光电检测器具有吸收层（22）和两个电极配置为欧姆接触（21），其中所述吸收层（22）和上绝缘或半绝缘衬底（24）的电极（21）被布置。为了降低光电检测器的暗电流，电极间的吸收层（22A）（21）具有高电阻。下面，另一方面在电极（21），吸收层（22B）具有低电阻。由此，接触电阻被降低的有利效果与电场是均匀的（图2）。一种用于光电检测器的制备方法被公开。

10. 发明申请

WO1997033302A3 COLOUR-SELECTIVE Si DETECTOR ARRAY 审中-公开
公开(公告)号：WO1997033302A3
公开(公告)日：1997-09-12
申请号：PCT/DE1997000457
申请日：1997-03-08
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , MARSO, Michel , KRÜGER, Michael , BERGER, Michael , THÖNISSEN, Markus , LÜTH, Hans
发明人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
IPC分类号： H01L27/144

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