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    • 10. 发明授权
    • Method for manufacturing image sensor
    • 图像传感器制造方法
    • US07723148B2
    • 2010-05-25
    • US11999239
    • 2007-12-03
    • Ki Jun YunSang Il Hwang
    • Ki Jun YunSang Il Hwang
    • H01L31/18
    • H01L27/14685H01L27/14627
    • Provided is a method for manufacturing an image sensor. The method includes the following. A color filter layer is formed on a semiconductor substrate having a photodiode and a transistor formed thereon. A planarization layer is formed on the color filter layer. An LTO (Low Temperature Oxide) layer is formed on the planarization layer. A photoresist pattern is formed to correspond to the color filter layer on the LTO layer, and a reflow process is performed. A microlens array is formed by reactive ion etching the photoresist pattern and the LTO layer. A second reflow process may be performed on the photoresist pattern and/or the LTO layer during the reactive ion etching process.
    • 提供了一种用于制造图像传感器的方法。 该方法包括以下。 在其上形成有光电二极管和晶体管的半导体衬底上形成滤色器层。 在滤色器层上形成平坦化层。 在平坦化层上形成LTO(低温氧化物)层。 形成光致抗蚀剂图案以对应于LTO层上的滤色器层,并且进行回流处理。 通过反应离子蚀刻光致抗蚀剂图案和LTO层形成微透镜阵列。 可以在反应离子蚀刻工艺期间在光致抗蚀剂图案和/或LTO层上执行第二回流工艺。