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    • 4. 发明专利
    • ANZEIGESUBSTRAT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG, ANZEIGEVORRICHTUNG
    • DE112021001975T5
    • 2023-01-12
    • DE112021001975
    • 2021-03-30
    • BOE TECHNOLOGY GROUP CO LTDHEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO LTD
    • CHENG LEILEIXU CHENGLIU JIEXU CHUNJIE
    • G09G3/3233H01L27/12
    • Ein Anzeigesubstrat und ein Verfahren zu dessen Herstellung sowie eine Anzeigevorrichtung werden bereitgestellt. Das Basissubstrat umfasst eine Vielzahl von Pixeln (100), die in einem Array angeordnet, wobei mindestens ein Teil der Vielzahl von Pixeln eine Vielzahl von Subpixeln umfasst, wobei mindestens ein Teil der Vielzahl von Subpixeln ein lichtemittierendes Element und eine Pixelschaltung umfasst, die das lichtemittierende Element zum Lichtemittieren ansteuert, und wobei die Pixelschaltung einen Speicherkondensator (Cst), einen Treibertransistor (T1) und einen Datenschreibtransistor (T2) umfasst, einen Treibertransistor (T1) und einen Datenschreibtransistor (T2), wobei der Treibertransistor (T1) eine aktive Schicht (T1a), eine Gate-Elektrode (T1g), eine erste Elektrode (T1s) und eine zweite Elektrode (T1d) umfasst, der Datenschreibtransistor (T2) eine aktive Schicht (T2a), eine Gate-Elektrode (T2g), eine erste Elektrode (T2s) und eine zweite Elektrode (T2d) umfasst; die erste Elektrode (T1s) des Treibertransistors (T1) so konfiguriert ist, dass sie eine erste Versorgungsspannung empfängt, und die zweite Elektrode (T1d) des Treibertransistors (T1) mit einem lichtemittierenden Mittel verbunden ist, um das lichtemittierende Mittel zum Lichtemittieren zu steuern; zumindest ein Teil der Vielzahl von Subpixeln ein erstes Durchgangsloch (V0) aufweist, und die erste Elektrode (T2s) des Datenschreibtransistors (T2) mit der Gate-Elektrode (T1g) des Treibertransistors (T1) und der aktiven Schicht (T2a) des Datenschreibtransistors (T2) durch das erste Durchgangsloch (V0) elektrisch verbunden ist, so dass der Kontaktwiderstand an der Verbindungsposition der ersten Elektrode (T2s) des Datenschreibtransistors (T2) und der Gate-Elektrode (T1g) des Treibertransistors (T1) und der aktiven Schicht (T2a) des Datenschreibtransistors (T2) erheblich reduziert wird, die Signalübertragungseffizienz verbessert wird und der Herstellungsprozess des Anzeigesubstrats vereinfacht wird.