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1. 发明专利

TWI555221B 光伏電池及其製造方法有权
简体标题：光伏电池及其制造方法
公开(公告)号：TWI555221B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW102137893
申请日：2013-10-21
申请人：德國電池公司 , DEUTSCHE CELL GMBH
发明人：巴姆伯格腓特列 , BAMBERG, FREDERICK
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/042 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547

2. 发明专利

TW201427063A 光伏電池及其製造方法审中-公开
简体标题：光伏电池及其制造方法
公开(公告)号：TW201427063A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102137893
申请日：2013-10-21
申请人：德國電池公司 , DEUTSCHE CELL GMBH
发明人：巴姆伯格腓特列 , BAMBERG, FREDERICK
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/042 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547
摘要：本發明涉及光伏電池及其製造方法，具體涉及通過如下過程在光伏電池的表面上形成金屬層的方法：在矽襯底的表面上形成第一層第一組成物，以及然後在第一層上形成第二層第二組成物，其中兩層彼此電接觸，第一組成物包括包含如下成分或由如下成分組成的顆粒：(i)B、Al、Ga、In、和/或Tl，或者(ii)P、As、Sb、和/或Bi，第二組成物包括金屬顆粒，並且其中，第一層的顆粒具有比第二組成物的金屬顆粒的平均直徑小的平均直徑。此外，本發明還涉及光伏電池以及能夠利用本發明的方法獲得的太陽能模組。
简体摘要：本发明涉及光伏电池及其制造方法，具体涉及通过如下过程在光伏电池的表面上形成金属层的方法：在硅衬底的表面上形成第一层第一组成物，以及然后在第一层上形成第二层第二组成物，其中两层彼此电接触，第一组成物包括包含如下成分或由如下成分组成的颗粒：(i)B、Al、Ga、In、和/或Tl，或者(ii)P、As、Sb、和/或Bi，第二组成物包括金属颗粒，并且其中，第一层的颗粒具有比第二组成物的金属颗粒的平均直径小的平均直径。此外，本发明还涉及光伏电池以及能够利用本发明的方法获得的太阳能模块。

3. 发明申请

US20130180584A1 Method For Producing An Emitter Of A Solar Cell And Solar Cell 审中-公开
标题翻译：生产太阳能电池和太阳能电池发射体的方法
公开(公告)号：US20130180584A1
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：US13743015
申请日：2013-01-16
申请人： Deutsche Cell GmbH
发明人： Andre Rolle , Andre Wintrich
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/18 , H01L31/02167 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： A method of producing an emitter of a solar cell comprising introducing a first dopant into a solar cell substrate through a surface of the solar cell substrate, forming a diffusion barrier layer on the surface of the solar cell substrate which is impenetrable by a second dopant, and arranging the second dopant on the diffusion barrier layer.
摘要翻译：一种太阳能电池的发射极的制造方法，其特征在于，在太阳能电池基板的表面，通过太阳能电池基板的表面将第一掺杂剂引入到太阳能电池基板中，在太阳能电池基板的表面形成扩散阻挡层，所述扩散阻挡层由第二掺杂剂穿透，以及将第二掺杂剂布置在扩散阻挡层上。

4. 发明申请

US20140150849A1 PHOTOVOLTAIC CELL AND METHOD OF PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：光伏电池及其生产方法
公开(公告)号：US20140150849A1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：US13689824
申请日：2012-11-30
申请人： DEUTSCHE CELL GMBH
发明人： Frederick Bamberg
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/042 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547
摘要： The present invention relates to a method of forming a metal layer on the surface of a photovoltaic cell by forming a first layer of a first composition on the surface of a silicon substrate and then forming a second layer of a second composition on the first layer, wherein both layers are in electrical contact with each other, the first composition comprises particles comprising or consisting of (i) B, Al, Ga, In, and/or Tl or (ii) P, As, Sb, and/or Bi, the second composition comprises metal particles, and wherein the particles of the first layer have a mean diameter smaller than the mean diameter of the metal particles of the second composition. Further, the present invention also relates to photovoltaic cells and solar modules obtainable using the method of the present invention.
摘要翻译：本发明涉及通过在硅衬底的表面上形成第一组合物的第一层，然后在第一层上形成第二组合物的第二层，在光伏电池的表面上形成金属层的方法，其中两层彼此电接触，第一组合物包含由（i）B，Al，Ga，In和/或Tl或（ii）P，As，Sb和/或Bi组成或由其组成的颗粒，第二组合物包含金属颗粒，并且其中第一层的颗粒的平均直径小于第二组合物的金属颗粒的平均直径。此外，本发明还涉及使用本发明的方法可获得的光伏电池和太阳能组件。

5. 发明申请

WO2009118118A1 KORROSIONSSCHUTZSCHICHT FÜR HALBLEITER-BAUELEMENTE 审中-公开
标题翻译：防腐蚀层半导体器件
公开(公告)号：WO2009118118A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/EP2009/001933
申请日：2009-03-17
申请人： DEUTSCHE CELL GMBH , KRAUSE, Andreas , BITNAR, Bernd , NEUHAUS, Holger
发明人： KRAUSE, Andreas , BITNAR, Bernd , NEUHAUS, Holger
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022425 , Y02E10/50
摘要： Ein Halbleiter-Bauelement (1) weist eine Korrosions-Schutzschicht (6) auf, welche zumindest teilweise aus Nickel ist.
摘要翻译：一种半导体装置（1）包括至少部分地由镍制成的腐蚀保护层（6）。

6. 发明申请

WO2009012970A1 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR KLASSIFIZIERUNG EINER SOLARZELLE 审中-公开
标题翻译： DEVICE AND METHOD FOR分类太阳能电池
公开(公告)号：WO2009012970A1
公开(公告)日：2009-01-29
申请号：PCT/EP2008/005988
申请日：2008-07-22
申请人： DEUTSCHE CELL GMBH , NEUHAUS, Holger , SONTAG, Detlef , PRONDZINSKI, Marco , HANDSCHACK, Peter , EBERLEIN, Peter
发明人： NEUHAUS, Holger , SONTAG, Detlef , PRONDZINSKI, Marco , HANDSCHACK, Peter , EBERLEIN, Peter
IPC分类号： G01R31/26 , H01L31/042
CPC分类号： H02S50/10 , G01R31/2837
摘要： Bei einer Vorrichtung (1) und einem Verfahren zur Klassifizierung einer Solarzelle (2) ist eine Temperatur-Messeinrichtung (5) zur Messung einer Temperaturverteilung der Solarzelle (2) und eine Klassifizier-Einrichtung (8) vorgesehen, wobei die Klassifizier-Einrichtung (8) aus mindestens einem Testparameter der Solarzelle (2) und der Temperaturverteilung eine maximal Betriebstemperatur der Solarzelle (2) berechnet und in Abhängigkeit dieser die Solarzelle (2) als fehlerhaft klassifiziert.
摘要翻译：在装置（1）和太阳能电池进行分类的方法（2）是一个温度测量装置（5），用于测量太阳能电池的温度分布（2）和分类装置（8），其中所述分类装置（8 ）计算太阳能电池（2）和温度分布中的至少一个测试参数的太阳能电池（2）的最大工作温度，并且响应于该分类为有缺陷的，太阳能电池（2）。

7. 发明申请

WO2009006988A1 KONTAKT-STRUKTUR FÜR EUIN HALBLEITER-BAUELEMENT SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN 审中-公开
标题翻译：接触结构FOR EUIN半导体部件和方法生产同样
公开(公告)号：WO2009006988A1
公开(公告)日：2009-01-15
申请号：PCT/EP2008/004960
申请日：2008-06-19
申请人： DEUTSCHE CELL GMBH , KRAUSE, Andreas , BITNAR, Bernd , NEUHAUS, Holger , KUTZER, Martin
发明人： KRAUSE, Andreas , BITNAR, Bernd , NEUHAUS, Holger , KUTZER, Martin
IPC分类号： H01L31/0224 , C23C28/02 , C25D5/02 , C25D5/12 , H01L21/288
CPC分类号： H01L31/022425 , C23C28/023 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345 , C25D5/006 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D5/18 , C25D7/123 , C25D7/126 , H01L21/76852 , H01L23/485 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L2224/0401 , H01L2224/0558 , H01L2224/05657 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/19043 , Y02E10/50
摘要： Ein Halbleiter-Bauelement (1) umfasst ein Substrat (2) mit einer ersten Seite (3) und einer zweiten Seite (4) und einer auf mindestens einer Seite (3, 4) des Substrats (2) angeordneten mehrschichtigen Kontakt- Struktur (9), wobei die Kontakt- Struktur (9) eine Sperr-Schicht (6) zur Verhinderung der Diffusion von Ionen von der dem Substrat (2) gegenüberliegenden Seite der Sperr-Schicht (6) in das Substrat (2), aufweist.
摘要翻译：一种半导体装置（1）包括（2）具有第一侧（3）和第二侧面（4）和至少一个侧面的基板（3,4）布置在所述衬底（2）多层接触结构（9 ），其中，所述接触结构（9）包括阻挡层（6），用于防止从相反（阻挡层的基板2）侧的离子的扩散（6）在所述衬底（2）。

8. 发明申请

WO2009021713A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITER-BAUELEMENTS, HALBLEITER-BAUELEMENT SOWIE ZWISCHENPRODUKT BEI DER HERSTELLUNG DESSELBEN 审中-公开
标题翻译：用于生产半导体部件，半导体部件及中间体，相同的生产
公开(公告)号：WO2009021713A1
公开(公告)日：2009-02-19
申请号：PCT/EP2008/006624
申请日：2008-08-12
申请人： DEUTSCHE CELL GMBH , BITNAR, Bernd , NEUHAUS, Holger , KRAUSE, Andreas
发明人： BITNAR, Bernd , NEUHAUS, Holger , KRAUSE, Andreas
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/308 , H01L21/027 , C25D5/00
CPC分类号： H01L21/0271 , C25D5/022 , H01L21/3086 , H01L21/32139
摘要： Ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-Bauelementen mit einer Kontakt-Struktur mit einem hohen Aspektverhältnis umfasst die folgenden Schritte: Bereitstellen eines im Wesentlichen flächigen Halbleiter-Substrats (2) mit einer ersten Seite (3) und einer zweiten Seite (4), Aufbringen einer Maske (6) auf mindestens einen ersten Teilbereich (7) auf mindestens einer der Seiten (3, 4) des Halbleiter-Substrats (2) und Aufbringen einer Kontakt-Struktur (8) auf mindestens einen vom ersten Teilbereich (7) verschiedenen zweiten Teilbereich (9) auf mindestens einer der Seiten (3, 4) des Halbleiter-Substrats (2).
摘要翻译：提供（2）具有第一侧（3）和第二侧（4），施加一个基本上是平面的半导体衬底：制造半导体器件用的接触结构具有高的纵横比，包括以下步骤的方法掩模（6）上的至少一个第一部分（7）上的侧面中的至少一个（3,4）的半导体基板（2）和从所述第一部分区域的至少不同的一个施加的接触结构（8）（7）的第二部分（9）在侧面上的至少一个（3,4）的半导体基板（2）。

9. 发明专利

DE102008028104A1 未知
公开(公告)号：DE102008028104A1
公开(公告)日：2009-12-24
申请号：DE102008028104
申请日：2008-06-13
申请人： DEUTSCHE CELL GMBH
发明人： KRAUSE ANDREAS , BITNAR BERND , NEUHAUS HOLGER
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/288 , H01L31/0224
摘要： A method for the production of a contact structure of a solar cell allows p-contacts and n-contacts to be produced simultaneously.

10. 发明专利

DE102008030725B4 Verfahren zur Herstellung einer Kontakt-Struktur mittels einer Galvanikmaske 未知
公开(公告)号：DE102008030725B4
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：DE102008030725
申请日：2008-07-01
申请人： DEUTSCHE CELL GMBH
发明人： KRAUSE ANDREAS DR , BITNAR BERND DR , NEUHAUS HOLGER DR , BAMBERG FREDERICK
IPC分类号： H01L21/28 , B23K26/36 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： Verfahren zur Herstellung einer Kontakt-Struktur eines Halbleiter-Bauelements umfassend die folgenden Schritte: – Bereitstellen eines flächigen Halbleiter-Substrats (2) mit – einer ersten Seite (3) und – einer dieser gegenüberliegenden zweiten Seite (4), – Maskierung mindestens einer der Seiten (3, 4) durch – Beschichten mindestens einer der Seiten (3, 4) mit einer Beschichtung (6), – bereichsweises Abtragen der Beschichtung (6) in mindestens einem, vorgegebenen Bereich, – wobei die Beschichtung (6) eine Epoxydharz umfassende Lack-Schicht umfasst, und – wobei die Lack-Schicht eine Dicke im Bereich von 1 μm bis 50 μm aufweist – dadurch gekennzeichnet, dass zum Abtragen eine Laser-Ablation vorgesehen ist, – wobei die Laser-Ablation mittels eines Flüssigkeitsstrahls geführten Lasers durchgeführt wird, und – der Flüssigkeitsstrahl einen Dotierstoff zur Dotierung des Halbleiter-Substrats (2) enthält.

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