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1. 发明专利

TW200503410A 使用選擇相位長度和輸出阻抗之具有增加補償容量和功率添加效率的N向射頻功率放大器電路 N-WAY RF POWER AMPLIFIER CIRCUIT WITH INCREASED BACK-OFF CAPABILITY AND POWER ADDED EFFICIENCY USING SELECTED PHASE LENGTHS AND OUTPUT IMPEDANCES 审中-公开
简体标题：使用选择相位长度和输出阻抗之具有增加补偿容量和功率添加效率的N向射频功率放大器电路 N-WAY RF POWER AMPLIFIER CIRCUIT WITH INCREASED BACK-OFF CAPABILITY AND POWER ADDED EFFICIENCY USING SELECTED PHASE LENGTHS AND OUTPUT IMPEDANCES
公开(公告)号：TW200503410A
公开(公告)日：2005-01-16
申请号：TW093110533
申请日：2004-04-15
申请人：克瑞微波股份有限公司 CREE MICROWAVE, INC.
发明人：雷蒙帕格里 PENGELLY, RAYMOND SYDNEY , 賽門伍德 WOOD, SIMON MAURICE
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03F1/0288 , H03F1/0277 , H03F1/32 , H03F3/602 , H03F2201/3203
摘要：本發明揭示一具有提高效率及用以在寬廣功率範圍上放大RF信號之RF功率放大器電路，其包括用以在第一功率範圍上放大RF信號及具有在最大寬廣功率範圍以下的功率飽和位準之載波放大器。複數峰值放大器與載波放大器平行連接，在載波放大器接近飽和之後，每一峰值放大器被偏壓以連續提供放大輸出信號。輸入信號經由信號分裂器施加到載波放大器和複數峰值放大器，及用以接收來自載波放大器和複數峰值放大器的放大輸出信號之輸出包括電阻性負載R／2。分割輸入信號經由90°轉換器施加到載波放大器，及峰值放大器的輸出經由90°轉換器施加到輸出負載。在飽和之下操作時，載波放大器運送功率到2R的負載及載波放大器運送電流到負載，當放大器被飽和時該電流是最大功率之電流的二分之一。在一實施例中，輸出具有阻抗Z，經由呈現小於Z的輸出阻抗到每一放大器之輸出匹配網路，載波放大器和每一峰值放大器被連接到輸出，及每一輸出匹配網路具有選擇相位長度以減少輸出阻抗的電抗。
简体摘要：本发明揭示一具有提高效率及用以在宽广功率范围上放大RF信号之RF功率放大器电路，其包括用以在第一功率范围上放大RF信号及具有在最大宽广功率范围以下的功率饱和位准之载波放大器。复数峰值放大器与载波放大器平行连接，在载波放大器接近饱和之后，每一峰值放大器被偏压以连续提供放大输出信号。输入信号经由信号分裂器施加到载波放大器和复数峰值放大器，及用以接收来自载波放大器和复数峰值放大器的放大输出信号之输出包括电阻性负载R／2。分割输入信号经由90°转换器施加到载波放大器，及峰值放大器的输出经由90°转换器施加到输出负载。在饱和之下操作时，载波放大器运送功率到2R的负载及载波放大器运送电流到负载，当放大器被饱和时该电流是最大功率之电流的二分之一。在一实施例中，输出具有阻抗Z，经由呈现小于Z的输出阻抗到每一放大器之输出匹配网络，载波放大器和每一峰值放大器被连接到输出，及每一输出匹配网络具有选择相位长度以减少输出阻抗的电抗。

2. 发明专利

TW200427218A 單封裝多晶片射頻功率放大器 SINGLE PACKAGE MULTI-CHIP RF POWER AMPLIFIER 审中-公开
简体标题：单封装多芯片射频功率放大器 SINGLE PACKAGE MULTI-CHIP RF POWER AMPLIFIER
公开(公告)号：TW200427218A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：TW092134068
申请日：2003-12-03
申请人：克瑞微波股份有限公司 CREE MICROWAVE, INC.
发明人：雷蒙帕格里 PENGELLY, RAYMOND SYDNEY , 賽門伍德 WOOD, SIMON MAURICE , 約翰昆恩 QUINN, JOHN PHILLIP
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03F3/602 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L2223/6644 , H01L2224/48091 , H01L2224/49111 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01023 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/13064 , H01L2924/19043 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
摘要：在此揭露一種多晶片功率放大器，其包含複數個晶片，每一晶片為一電晶體放大器，以及一可將所有半導體晶片安裝於其中之外殼。複數個輸入引線延伸至該外殼中，且複數個輸出引線自該外殼延伸而出。複數個第一匹配網路將一半導體晶片連結至一輸入引線，且複數個第二匹配網路將一半導體晶片連結至一輸出引線，藉此使每一晶片具有其各自的輸入引線及輸出引線。藉由在一單一外殼中提供所有放大器晶片，且在外殼中以匹配網路將晶片連結至輸入及輸出引線，如此便可降低製造成本，且可以減少在一安裝基板上之整體封裝佔據面積。此外，在外殼中之晶片的緊密相鄰亦可使半導體晶片中之信號當中的相位差減小。
简体摘要：在此揭露一种多芯片功率放大器，其包含复数个芯片，每一芯片为一晶体管放大器，以及一可将所有半导体芯片安装于其中之外壳。复数个输入引线延伸至该外壳中，且复数个输出引线自该外壳延伸而出。复数个第一匹配网络将一半导体芯片链接至一输入引线，且复数个第二匹配网络将一半导体芯片链接至一输出引线，借此使每一芯片具有其各自的输入引线及输出引线。借由在一单一外壳中提供所有放大器芯片，且在外壳中以匹配网络将芯片链接至输入及输出引线，如此便可降低制造成本，且可以减少在一安装基板上之整体封装占据面积。此外，在外壳中之芯片的紧密相邻亦可使半导体芯片中之信号当中的相位差减小。

3. 发明专利

TW200414671A 使用抑制三次互導之改良RF電晶體放大器直線性 IMPROVED RF TRANSISTOR AMPLIFIER LINEARITY USING SUPPRESSED THIRD ORDER TRANSCONDUCTANCE 审中-公开
简体标题：使用抑制三次互导之改良RF晶体管放大器直线性 IMPROVED RF TRANSISTOR AMPLIFIER LINEARITY USING SUPPRESSED THIRD ORDER TRANSCONDUCTANCE
公开(公告)号：TW200414671A
公开(公告)日：2004-08-01
申请号：TW092130853
申请日：2003-11-04
申请人：克瑞微波股份有限公司 CREE MICROWAVE, INC.
发明人：雷蒙帕格里 PENGELLY, RAYMOND SYDNEY , 賽門伍德 WOOD, SIMON MAURICE , 約翰昆恩 QUINN, JOHN PHILLIP
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03F3/602 , H03F1/3205 , H03F3/211
摘要：包含多個並聯操作之電晶體的電晶體放大器之直線性係藉由降低由電晶體所產生之信號的奇次互導導數來予以改進的。電晶體可以被設置在群組中，而且每一個群組具有不同之偏壓施加於該組或者每一電晶體群組可以具有不同之輸入訊號施加於該組。該電晶體群組可以具有不同的物理參數，例如場效電晶體中之閘極寬度對長度比值以及電晶體的臨界電壓。
简体摘要：包含多个并联操作之晶体管的晶体管放大器之直线性系借由降低由晶体管所产生之信号的奇次互导导数来予以改进的。晶体管可以被设置在群组中，而且每一个群组具有不同之偏压施加于该组或者每一晶体管群组可以具有不同之输入信号施加于该组。该晶体管群组可以具有不同的物理参数，例如场效应管中之闸极宽度对长度比值以及晶体管的临界电压。

4. 发明专利

TW200408128A 具有射頻旁通/輸出匹配網路之封裝射頻功率電晶體 PACKAGED RF POWER TRANSISTOR HAVING RF BYPASSING/OUTPUT MATCHING NETWORK 审中-公开
简体标题：具有射频旁通/输出匹配网络之封装射频功率晶体管 PACKAGED RF POWER TRANSISTOR HAVING RF BYPASSING/OUTPUT MATCHING NETWORK
公开(公告)号：TW200408128A
公开(公告)日：2004-05-16
申请号：TW092126215
申请日：2003-09-23
申请人：克瑞微波股份有限公司 CREE MICROWAVE, INC.
发明人：艾米爾克利森希 CRESCENZI, JR., EMIL JAMES
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H03F3/195 , H01L23/66 , H01L2223/665 , H01L2224/48091 , H01L2924/1305 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H03F1/56 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：寬頻射頻功率電晶體放大器的線性改良藉由包括輸出匹配電路與一整合的偏壓／射頻雙訊器(射頻影像旁通電容器網路在電晶體封裝內且直接連於該電晶體)。藉由放置該射頻影像旁通功率供應電路於封裝內且靠近該電晶體，該輸入阻抗共振可以從約50MHz增加至超過125MHz，因而減少在輸出信號中的AM／PM失真。
简体摘要：宽带射频功率晶体管放大器的线性改良借由包括输出匹配电路与一集成的偏压／射频双讯器(射频影像旁通电容器网络在晶体管封装内且直接连于该晶体管)。借由放置该射频影像旁通功率供应电路于封装内且靠近该晶体管，该输入阻抗共振可以从约50MHz增加至超过125MHz，因而减少在输出信号中的AM／PM失真。

5. 发明专利

TW200400689A 具有增强後退操作點功率效率之N路途射頻功率放大器 N-WAY RF POWER AMPLIFIER WITH INCREASED BACKOFF POWER AND POWER ADDED EFFICIENCY 审中-公开
简体标题：具有增强后退操作点功率效率之N路途射频功率放大器 N-WAY RF POWER AMPLIFIER WITH INCREASED BACKOFF POWER AND POWER ADDED EFFICIENCY
公开(公告)号：TW200400689A
公开(公告)日：2004-01-01
申请号：TW092101821
申请日：2003-01-28
申请人：克立微波公司 CREE MICROWAVE, INC.
发明人：雷門辛帝潘葛利 RAYMOND SYDNEY PENGELLY
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03F1/32 , H03F1/0277 , H03F1/0288 , H03F3/602 , H03F2201/3203
摘要：本發明揭示一種效率改善的用於在廣闊功率範圍內放大射頻功率信號的射頻功率放大器，其包括一個在第一功率範圍內及廣闊功率範圍最大值以下功率飽和水準時放大射頻信號的主放大器。有複數個之輔助放大器與主放大器並聯連接，每個輔助放大器均係設定偏壓，以便在主放大器達到飽和後依次提供已放大的信號。輸入信號係經由一信號分路器到達主放大器和該等複數個之輔助放大器，而用於從主放大器和所有輔助放大器接收已放大的輸出信號的輸出包括一電阻式負載R／2。已分路的輸入信號經一90°變壓器發送到主放大器，且該等輔助放大器之輸出經過90°變壓器到達一輸出負載。在未飽和狀態下操作時，主放大器向一2R負載發送功率，且主放大器向該負載發送的電流係功率達到最大值且放大器飽和時之電流的一半。
简体摘要：本发明揭示一种效率改善的用于在广阔功率范围内放大射频功率信号的射频功率放大器，其包括一个在第一功率范围内及广阔功率范围最大值以下功率饱和水准时放大射频信号的主放大器。有复数个之辅助放大器与主放大器并联连接，每个辅助放大器均系设置偏压，以便在主放大器达到饱和后依次提供已放大的信号。输入信号系经由一信号分路器到达主放大器和该等复数个之辅助放大器，而用于从主放大器和所有辅助放大器接收已放大的输出信号的输出包括一电阻式负载R／2。已分路的输入信号经一90°变压器发送到主放大器，且该等辅助放大器之输出经过90°变压器到达一输出负载。在未饱和状态下操作时，主放大器向一2R负载发送功率，且主放大器向该负载发送的电流系功率达到最大值且放大器饱和时之电流的一半。

6. 发明专利

TW200301937A 改進的熱移除矽上絕緣裝置與製造方法 SILICON ON INSULATOR DEVICE WITH IMPROVED HEAT REMOVAL AND METHOD OF MANUFACTURE 审中-公开
简体标题：改进的热移除硅上绝缘设备与制造方法 SILICON ON INSULATOR DEVICE WITH IMPROVED HEAT REMOVAL AND METHOD OF MANUFACTURE
公开(公告)号：TW200301937A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：TW091132396
申请日：2002-11-01
申请人：克立微波公司 CREE MICROWAVE, INC.
发明人：約翰奧格斯達曼溫 JOHAN AGUS DARMAWAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/78603 , H01L23/3677 , H01L2924/0002 , H01L2924/10158 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要：一種半導體裝置在矽上絕緣體(SOI)基底內被製造出來，包括支撐矽基底，由該基底所支撐的氧化矽層，以及覆蓋在該氧化矽層的矽層。在部分氧化矽層上的矽層內製造出一電氣組件，然後對與該組件相反的基底進行光罩與蝕刻處理。然後利用蝕刻，在已經被去除掉的部分基底內形成金屬層，使用金屬層提供從組件上的熱移除。在另一實施例中，將覆蓋在部分基底上的氧化矽層去除掉，而該金屬層是緊鄰著矽層。製造該裝置時，利用優先蝕刻，以氧化矽當作蝕刻阻止而去除掉基底內的矽。可以使用二步驟方法，包括蝕刻掉矽本體的第一氧化蝕刻處理，以及更高選擇性但卻更慢的蝕刻處理，然後，可以利用氧化矽的優先蝕刻劑，去除掉曝露出的氧化矽，如同在另一實施例中的。
简体摘要：一种半导体设备在硅上绝缘体(SOI)基底内被制造出来，包括支撑硅基底，由该基底所支撑的氧化硅层，以及覆盖在该氧化硅层的硅层。在部分氧化硅层上的硅层内制造出一电气组件，然后对与该组件相反的基底进行光罩与蚀刻处理。然后利用蚀刻，在已经被去除掉的部分基底内形成金属层，使用金属层提供从组件上的热移除。在另一实施例中，将覆盖在部分基底上的氧化硅层去除掉，而该金属层是紧邻着硅层。制造该设备时，利用优先蚀刻，以氧化硅当作蚀刻阻止而去除掉基底内的硅。可以使用二步骤方法，包括蚀刻掉硅本体的第一氧化蚀刻处理，以及更高选择性但却更慢的蚀刻处理，然后，可以利用氧化硅的优先蚀刻剂，去除掉曝露出的氧化硅，如同在另一实施例中的。

7. 发明专利

TW200415713A 側向擴散MOS(LDMOS)電晶體和其製法 LATERALLY DIFFUSED MOS TRANSISTOR (LDMOS) AND METHOD OF MAKING SAME 审中-公开
简体标题：侧向扩散MOS(LDMOS)晶体管和其制法 LATERALLY DIFFUSED MOS TRANSISTOR (LDMOS) AND METHOD OF MAKING SAME
公开(公告)号：TW200415713A
公开(公告)日：2004-08-16
申请号：TW092132617
申请日：2003-11-20
申请人：克瑞微波股份有限公司 CREE MICROWAVE, INC.
发明人：喬翰達莫瓦 DARMAWAN, JOHAN , 約翰梅森 MASON, JOHN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66659 , H01L29/1045 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/7835
摘要：一種改良之側向擴張MOS電晶體結構，該結構之形成方式為：使用一氮化物遮罩極於一閘極結構上並且形成一間隙壁於閘極結構周圍，然後使用相同光罩使源極接點與汲極接點自對準一閘極，以用於源極與汲極摻質植入及矽化物形成，使得所有源極區與汲極區被矽化。降低源極／汲極上的電阻(導通電阻Rdson)、縮短通道至源極接點間的距離、及較佳的閘極氧化層完整性係增進操作線性、增加Ft與GM、以及減少二極體電流(Idq)與Rdson中的漂移物。
简体摘要：一种改良之侧向扩张MOS晶体管结构，该结构之形成方式为：使用一氮化物遮罩极于一闸极结构上并且形成一间隙壁于闸极结构周围，然后使用相同光罩使源极接点与汲极接点自对准一闸极，以用于源极与汲极掺质植入及硅化物形成，使得所有源极区与汲极区被硅化。降低源极／汲极上的电阻(导通电阻Rdson)、缩短信道至源极接点间的距离、及较佳的闸极氧化层完整性系增进操作线性、增加Ft与GM、以及减少二极管电流(Idq)与Rdson中的漂移物。

8. 发明专利

TW586252B 具有整合微條連接埠之倒置共平面波導耦合器及其方法有权
简体标题：具有集成微条端口之倒置共平面波导耦合器及其方法
公开(公告)号：TW586252B
公开(公告)日：2004-05-01
申请号：TW091116141
申请日：2002-07-19
申请人：克立微波公司 CREE MICROWAVE, INC.
发明人：艾米爾詹姆士克瑞森茲二世 EMIL JAMES CRESCENZI, JR.
IPC分类号： H01P
CPC分类号： H01P5/186 , H05K1/0237
摘要：本發明提供的具有微條輸入及輸出埠之共平面耦合器包括一印刷電路基板，其中於頂表面會形成第一及第二金屬輸入埠，其會與底表面中的金屬層共同合作形成微條線路；並於頂表面會形成第一及第二金屬輸出埠其會與底表面中的金屬層共同合作形成微條線路。底表面中的金屬層的功能係當作輸入埠及輸出埠的接地面，該金屬輸入及輸出埠的至少一部分下方及其間延伸區域的耦合器區域中的金屬層係可移除的。第一及第二金屬線路係形成於該耦合器區域的底表面中，且功能係供該輸入及輸出埠使用的共平面耦合器。該基板中的電性通道可相互連接該些埠與該共平面耦合器。
简体摘要：本发明提供的具有微条输入及输出端口之共平面耦合器包括一印刷电路基板，其中于顶表面会形成第一及第二金属输入端口，其会与底表面中的金属层共同合作形成微条线路；并于顶表面会形成第一及第二金属输出端口其会与底表面中的金属层共同合作形成微条线路。底表面中的金属层的功能系当作输入端口及输出端口的接地面，该金属输入及输出端口的至少一部分下方及其间延伸区域的耦合器区域中的金属层系可移除的。第一及第二金属线路系形成于该耦合器区域的底表面中，且功能系供该输入及输出端口使用的共平面耦合器。该基板中的电性信道可相互连接该些端口与该共平面耦合器。

9. 发明专利

TW571478B 高頻電源裝置之電壓限制保護有权
简体标题：高频电源设备之电压限制保护
公开(公告)号：TW571478B
公开(公告)日：2004-01-11
申请号：TW091115533
申请日：2002-07-12
申请人：克立微波公司 CREE MICROWAVE, INC.
发明人：甘乃迪P 布利維 KENNETH P. BREWER , 豪沃D 巴特羅 HOWARD D. BARTLOW , 約翰A 達瑪萬 JOHAN A. DARMAWAN
IPC分类号： H02H , H01L
CPC分类号： H01L23/60 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L27/0255 , H01L2223/6655 , H01L2224/48137 , H01L2224/48195 , H01L2924/00014 , H01L2924/12035 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13063 , H01L2924/14 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H03K17/08122 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
摘要：本發明提供一種RF電源裝置，其在第一半導體晶片上製造一功率電晶體及在第二半導體晶片上製造一MOSCAP型結構。電壓限制裝置係提供以保護該功率電晶體避免受到輸入電壓尖波的破壞，並且較佳的係與MOSCAP一起製造於該半導體晶片中。或者，該電壓限制裝置可能係製造於該電容器半導體晶片之上或鄰近位置的分離元件。將該電壓限制裝置從該功率電晶體晶片移除，便可改善該電壓限制裝置的製造及測試，增加該電源裝置的半導體面積，以及提高裝置製造的彈性。
简体摘要：本发明提供一种RF电源设备，其在第一半导体芯片上制造一功率晶体管及在第二半导体芯片上制造一MOSCAP型结构。电压限制设备系提供以保护该功率晶体管避免受到输入电压尖波的破坏，并且较佳的系与MOSCAP一起制造于该半导体芯片中。或者，该电压限制设备可能系制造于该电容器半导体芯片之上或邻近位置的分离组件。将该电压限制设备从该功率晶体管芯片移除，便可改善该电压限制设备的制造及测试，增加该电源设备的半导体面积，以及提高设备制造的弹性。

10. 发明专利

TW200501559A 使用不相等輸入功率分割之具有增加補償容量和功率添加效率的N向射頻功率放大器電路 N-WAY RF POWER AMPLIFIER CIRCUIT WITH INCREASED BACK-OFF CAPABILITY AND POWER ADDED EFFICIENCY USING UNEQUAL INPUT POWER DIVISION 审中-公开
简体标题：使用不相等输入功率分割之具有增加补偿容量和功率添加效率的N向射频功率放大器电路 N-WAY RF POWER AMPLIFIER CIRCUIT WITH INCREASED BACK-OFF CAPABILITY AND POWER ADDED EFFICIENCY USING UNEQUAL INPUT POWER DIVISION
公开(公告)号：TW200501559A
公开(公告)日：2005-01-01
申请号：TW093110532
申请日：2004-04-15
申请人：克瑞微波股份有限公司 CREE MICROWAVE, INC.
发明人：雷蒙帕格里 PENGELLY, RAYMOND SYDNEY , 賽門伍德 WOOD, SIMON MAURICE
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03F1/0288 , H03F1/0277 , H03F1/32 , H03F3/602 , H03F2200/451 , H03F2201/3203
摘要：本發明揭示一具有提高效率及用以在寬廣功率範圍上放大RF信號之RF功率放大器電路，其包括用以在第一功率範圍上放大RF信號及具有在最大寬廣功率範圍以下的功率飽和位準之載波放大器。一或多個峰值放大器與載波放大器平行連接，在載波放大器接近飽和之後，每一峰值放大器被偏壓以連續提供放大輸出信號。輸入信號經由信號分裂器施加到載波放大器和複數峰值放大器，及用以接收來自載波放大器和複數峰值放大器的放大輸出信號之輸出包括電阻性負載R／2。分割輸入信號經由90°轉換器施加到載波放大器，及峰值放大器的輸出經由90°轉換器施加到輸出負載。在飽和之下操作時，當載波放大器運送電流到負載時，載波放大器運送功率到2R的負載，該電流是最大功率電流的二分之一及放大器被飽和。信號分裂器可在載波和一或多個峰值放大器之間相等地分割輸入信號功率，或可藉由載波放大器接收的輸入功率小於每一峰值放大器接收的輸入功率及反之亦然，輸入信號被不相等地分割。
简体摘要：本发明揭示一具有提高效率及用以在宽广功率范围上放大RF信号之RF功率放大器电路，其包括用以在第一功率范围上放大RF信号及具有在最大宽广功率范围以下的功率饱和位准之载波放大器。一或多个峰值放大器与载波放大器平行连接，在载波放大器接近饱和之后，每一峰值放大器被偏压以连续提供放大输出信号。输入信号经由信号分裂器施加到载波放大器和复数峰值放大器，及用以接收来自载波放大器和复数峰值放大器的放大输出信号之输出包括电阻性负载R／2。分割输入信号经由90°转换器施加到载波放大器，及峰值放大器的输出经由90°转换器施加到输出负载。在饱和之下操作时，当载波放大器运送电流到负载时，载波放大器运送功率到2R的负载，该电流是最大功率电流的二分之一及放大器被饱和。信号分裂器可在载波和一或多个峰值放大器之间相等地分割输入信号功率，或可借由载波放大器接收的输入功率小于每一峰值放大器接收的输入功率及反之亦然，输入信号被不相等地分割。

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