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1. 发明专利

TW200931537A SiC晶圓回火方法及裝置审中-公开
简体标题： SiC晶圆回火方法及设备
公开(公告)号：TW200931537A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：TW097147567
申请日：2008-12-05
申请人：中心熱熱劑資合有限公司 CENTROTHERM THERMAL SOLUTIONS GMBH+CO. KG
发明人：烏韋凱姆 UWE KEIM , 羅伯特麥克哈爾頓 ROBERT MICHAEL HARTUNG
IPC分类号： H01L , C30B
CPC分类号： H01L21/046 , H01L21/67109
摘要：本發明係一種SiC晶圓之回火方法及裝置。本發明的目的是提出一種SiC晶圓之回火的方法及裝置,此種方法及裝置可以在過程室中產生足夠的矽分壓,以及降低操作成本。為達到上述目的,至少容納一片晶圓的過程室(2)與一個至少能夠產生氣體狀或蒸汽狀的矽以提高矽分壓的產生源連接,其中該產生源是一個裝有液態矽片(11)的蒸發器(4),在Si熔融液上方產生的攜帶氣體及氣流可以被引入蒸發器(4),而且蒸發器(4)是經由一根連接管(5)與過程室(2)連接,或是位於過程室(2)內。
简体摘要：本发明系一种SiC晶圆之回火方法及设备。本发明的目的是提出一种SiC晶圆之回火的方法及设备,此种方法及设备可以在过程室中产生足够的硅分压,以及降低操作成本。为达到上述目的,至少容纳一片晶圆的过程室(2)与一个至少能够产生气体状或蒸汽状的硅以提高硅分压的产生源连接,其中该产生源是一个装有液态硅片(11)的蒸发器(4),在Si熔融液上方产生的携带气体及气流可以被引入蒸发器(4),而且蒸发器(4)是经由一根连接管(5)与过程室(2)连接,或是位于过程室(2)内。

2. 发明专利

TW200902132A 加工氣體濃度控制方法审中-公开
简体标题：加工气体浓度控制方法
公开(公告)号：TW200902132A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097117912
申请日：2008-05-15
申请人：中心熱熱劑資合有限公司 CENTROTHERM THERMAL SOLUTIONS GMBH+CO. KG
发明人：漢斯烏里希弗勒爾 HANS ULRICH VOELLER , 羅爾夫慕勒 ROLF MUELLER , 羅伯特麥克哈爾頓 ROBERT MICHAEL HARTUNG
IPC分类号： B01D , B23K
CPC分类号： C23C16/4482 , C23C16/52
摘要：本發明係一種在加工室內進行基板加工時控制加工氣體濃度的方法,這種方法是經由通過液體之攜帶氣體的小氣泡使液體在鼓泡器內被蒸發。本發明的目的是提出一種很容易就可以實現的控制加工氣體濃度的方法。本發明提出的方法是在鼓泡器內形成一個恆定不變的內壓力,然後將攜帶氣體導入鼓泡器內,同時調整鼓泡器內要蒸發之媒介物的溫度,以便將蒸汽壓調整到規定的數値。
简体摘要：本发明系一种在加工室内进行基板加工时控制加工气体浓度的方法,这种方法是经由通过液体之携带气体的小气泡使液体在鼓泡器内被蒸发。本发明的目的是提出一种很容易就可以实现的控制加工气体浓度的方法。本发明提出的方法是在鼓泡器内形成一个恒定不变的内压力,然后将携带气体导入鼓泡器内,同时调整鼓泡器内要蒸发之媒介物的温度,以便将蒸汽压调整到规定的数値。

3. 发明授权

US09805993B2 Device for determining the temperature of a substrate 有权
公开(公告)号：US09805993B2
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：US14384223
申请日：2013-03-15
申请人： CENTROTHERM THERMAL SOLUTIONS GMBH & CO. KG , HQ-DIELECTRICS GMBH
发明人： Hartmut Rick , Wilfried Lerch , Jürgen Niess
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/67 , G01J5/00 , H01L21/324 , G01J5/10 , G01J5/08 , G01J5/02
CPC分类号： H01L22/10 , G01J5/0003 , G01J5/0007 , G01J5/0275 , G01J5/0862 , G01J5/089 , G01J5/10 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H01L21/67248
摘要： An apparatus and a method for determining the temperature of a substrate, in particular of a semiconductor substrate during the heating thereof by means of at least one first radiation source are disclosed. A determination of the temperature is based on detecting first and second radiations, each comprising radiation emitted by the substrate due to its own temperature and radiation emitted by the first radiation, which is reflected at the substrate and at least one of a drive power of the first radiation source and the radiation intensity of the first radiation source.

4. 发明授权

US09612158B2 Device for determining the temperature of a substrate 有权
公开(公告)号：US09612158B2
公开(公告)日：2017-04-04
申请号：US14351590
申请日：2012-10-17
申请人： CENTROTHERM THERMAL SOLUTIONS GMBH & CO. KG
发明人： Denise Reichel , Wilfried Lerch , Jeff Gelpey , Wolfgang Skorupa , Thomas Schumann
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/67 , G01J5/00 , G01J5/08
CPC分类号： G01J5/0007 , G01J5/0834 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An apparatus for determining the temperature of a substrate, in particular of a semiconductor wafer during a heating thereof by means of a first radiation source is described. Furthermore, an apparatus and a method for thermally treating substrates are described, in which the substrate is heated by means of at least one first radiation source. The apparatus comprises a first grating structure having grating lines, which are opaque with respect to a substantial portion of the radiation of the first radiation source, wherein the grating structure is arranged between the first radiation source and the substrate, and a drive unit for moving the first grating structure. Furthermore, a first radiation detector is provided, which is directed directly onto the surface of the substrate facing the grating structure, and a device for determining radiation emitted by the substrate due to its own temperature and for determining the temperature of the substrate on the basis of the radiation detected by the first radiation detector.

5. 发明申请

US20150294893A1 SUBSTRATE HOLDER AND A DEVICE AND A METHOD FOR TREATING SUBSTRATES 有权
标题翻译：基板支架和装置以及处理基板的方法
公开(公告)号：US20150294893A1
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：US14441524
申请日：2013-11-11
申请人： CENTROTHERM THERMAL SOLUTIONS GMBH & CO. KG
发明人： Johann Georg Reichart , Wilhelm Kegel , Günther Kummer , Reinhold Obst , Wilfried Lerch
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/02 , C23C16/458 , C23C16/48 , C23C16/455 , C23C16/50
CPC分类号： H01L21/6838 , C23C16/45544 , C23C16/458 , C23C16/48 , C23C16/50 , H01L21/02271 , H01L21/0262 , H01L21/67115 , H01L21/68742 , H01L21/6875
摘要： A substrate holder having a plate element for receiving a substrate. The plate element comprises at least one recess in a first side of the plate element as well as a plurality of spacers in the at least one recess, at least one opening, which is fluidly connected to the recess and which may be connected to an external gas delivery/exhaust unit, at least one notch or channel, which radially surrounds the recess, at least one opening, which is fluidly connected to the notch or channel and may be connected to an external gas delivery/exhaust unit, a circumferential web, which radially surrounds the recess and is located between the recess and the notch or channel, and circumferential contact surfaces for the substrate, wherein a first circumferential contact surface is formed on the upper side of the web and radially surrounds the recess, such that a substrate abutting against the first contact surface forms an enclosed chamber with the recess, and a second circumferential contact surface, which radially surrounds the notch or channel.
摘要翻译：一种具有用于接收衬底的板元件的衬底保持器。板元件包括在板元件的第一侧中的至少一个凹部以及至少一个凹部中的多个间隔件，至少一个开口，其流体地连接到凹部，并且可以连接到外部气体输送/排气单元，至少一个凹口或通道，其径向地围绕凹部，至少一个开口，其流体地连接到凹口或通道并且可以连接到外部气体输送/排出单元，周向腹板，其径向地围绕所述凹部并且位于所述凹部和所述凹口或通道之间以及所述基底的周向接触表面，其中在所述腹板的上侧上形成有第一圆周接触表面并且径向包围所述凹部，使得基底邻接第一接触表面形成具有凹部的封闭室，以及径向包围缺口或通道的第二周向接触表面。

6. 发明授权

US09711388B2 Substrate holder and a device and a method for treating substrates 有权
公开(公告)号：US09711388B2
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：US14441524
申请日：2013-11-11
申请人： CENTROTHERM THERMAL SOLUTIONS GMBH & CO. KG
发明人： Johann Georg Reichart , Wilhelm Kegel , Günther Kummer , Reinhold Obst , Wilfried Lerch
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/469 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/687 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/48 , C23C16/50 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/6838 , C23C16/45544 , C23C16/458 , C23C16/48 , C23C16/50 , H01L21/02271 , H01L21/0262 , H01L21/67115 , H01L21/68742 , H01L21/6875
摘要： A substrate holder having a plate element for receiving a substrate includes at least one recess in a first side and spacers in the at least one recess. At least one opening is fluidly connected to the recess and is connectable to an external gas delivery/exhaust unit. At least one notch or channel radially surrounds the recess. At least one opening is fluidly connected to the notch or channel and is connectable to an external gas delivery/exhaust unit. A circumferential web radially surrounds the recess and is located between the recess and the notch or channel. A first circumferential contact surface is formed on the upper side of the web and radially surrounds the recess, such that a substrate abutting against the first contact surface forms an enclosed chamber with the recess. A second circumferential contact surface radially surrounds the notch or channel.

7. 发明申请

US20150087085A1 DEVICE FOR DETERMINING THE TEMPERATURE OF A SUBSTRATE 有权
标题翻译：用于确定基板温度的装置
公开(公告)号：US20150087085A1
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：US14384223
申请日：2013-03-15
申请人： CENTROTHERM THERMAL SOLUTIONS GMBH & CO. KG , HQ-DIELECTRICS GMBH
发明人： Hartmut Rick , Wilfried Lerch , Jürgen Niess
IPC分类号： H01L21/66 , G01J5/10 , H01L21/324
CPC分类号： H01L22/10 , G01J5/0003 , G01J5/0007 , G01J5/0275 , G01J5/0862 , G01J5/089 , G01J5/10 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H01L21/67248
摘要： An apparatus and a method for determining the temperature of a substrate, in particular of a semiconductor substrate during the heating thereof by means of at least one first radiation source are disclosed. A determination of the temperature is based on detecting first and second radiations, each comprising radiation emitted by the substrate due to its own temperature and radiation emitted by the first radiation, which is reflected at the substrate and at least one of a drive power of the first radiation source and the radiation intensity of the first radiation source.
摘要翻译：公开了一种用于通过至少一个第一辐射源来确定衬底（特别是半导体衬底）在加热期间的温度的装置和方法。温度的确定基于检测第一和第二辐射，每个辐射包括由于其自身温度和由第一辐射发射的辐射而被衬底发射的辐射，第一和第二辐射被反射在衬底处，并且至少一个驱动功率第一辐射源和第一辐射源的辐射强度。

8. 发明申请

WO2013135394A1 VORRICHTUNG ZUM BESTIMMEN DER TEMPERATUR EINES SUBSTRATS 审中-公开
标题翻译： DEVICE FOR确定衬底的温度
公开(公告)号：WO2013135394A1
公开(公告)日：2013-09-19
申请号：PCT/EP2013/000807
申请日：2013-03-15
申请人： CENTROTHERM THERMAL SOLUTIONS GMBH & CO. KG , HQ-DIELECTRICS GMBH
发明人： RICK, Hartmut , LERCH, Wilfried , NIESS, Jürgen
IPC分类号： G01J5/00 , G01J5/02 , G01J5/08
CPC分类号： H01L22/10 , G01J5/0003 , G01J5/0007 , G01J5/0275 , G01J5/0862 , G01J5/089 , G01J5/10 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H01L21/67248
摘要： Es ist eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Bestimmen der Temperatur eines Substrats, insbesondere eines Halbleiterwafers während einer Erwärmung durch wenigstens eine erste Strahlungsquelle beschrieben. Eine Bestimmung der Temperatur des Substrats basiert auf der Detektierung von ersten und zweiten Strahlungen, die jeweils eine Temperaturstrahlung des Substrats und unterschiedliche Anteile an am Substrat reflektierter Strahlung der ersten Strahlungsquelle aufweisen, sowie einer Ansteuerleistung der wenigstens einen ersten Strahlungsquelle und/oder einer Strahlungsintensität derselben.
摘要翻译：它是用于确定基板上，由至少一个第一射线源描述的加热过程中特别是半导体晶片的温度的装置和方法。衬底的温度的基础上，检测在第一和第二辐射的确定，每一个都具有在基板和反射至第一辐射源的基底的辐射的不同部分的辐射温度，并且所述至少一个第一射线源和/或它们的辐射强度的驱动力。

9. 发明申请

WO2013127530A1 VERFAHREN ZUR THERMISCHEN BEHANDLUNG VON SILIZIUMCARBIDSUBSTRATEN 审中-公开
标题翻译： PROCESS FOR SILIZIUMCARBIDSUBSTRATEN的热处理
公开(公告)号：WO2013127530A1
公开(公告)日：2013-09-06
申请号：PCT/EP2013/000581
申请日：2013-02-27
申请人： CENTROTHERM THERMAL SOLUTIONS GMBH & CO. KG
发明人： ROHLFING, Franziska , REIZE, Ralf , BENKART, Peter , LERCH, Wilfried , SCHMID, Patrick
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/673 , H01L21/324 , H01L29/16
CPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67346 , H01L21/67353 , H01L29/1608
摘要： Es wird ein Verfahren zur thermischen Behandlung von Siliziumcarbid-Substraten mit wenigstens einer zu behandelnden Oberfläche beschrieben, bei dem eine Vielzahl von in einer Behandlungskammer angeordneten Siliziumcarbid-Substraten und optional wenigstens ein in der Behandlungskammer angeordnetes, Silizium enthaltenden Opfersubstrat auf eine Behandlungstemperatur (T) erwärmt wird, und ein Siliziumpartialdruck benachbart zu wenigstens der zu behandelnden Oberfläche der Siliziumcarbid-Substrate durch Ausgasen von Silizium aus dem wenigstens einen Opfersubstrat erhöht wird. Bei dem Verfahren wird die Vielzahl von Siliziumcarbid-Substraten bevorzugt derart in einer Behandlungskammer angeordnet, dass die jeweiligen zu behandelnden Oberflächen der Siliziumcarbid-Substrate einer wenigstens Silizium enthaltenden Oberfläche gegenüberliegen und die beiden gegenüberliegenden Oberflächen gemeinsam mit einem Ringelement eine im Wesentlichen geschlossene Kammer bilden, wodurch ein Gasaustausch zwischen der Behandlungskammer und der durch die Oberflächen und das Ringelement gebildeten Kammer bei der Erwärmung im Wesentlichen unterbunden wird. Das wenigstens eine, optionale Opfersubstrat ist so gewählt, dass es bei der Behandlungstemperatur (T) pro Flächeneinheit die gleiche oder eine größere Menge an Silizium ausgast als die zu behandelnde Oberfläche der Siliziumcarbid-Substrate. Es sind ferner eine Vorrichtung zur thermischen Behandlung von Siliziumcarbid-Substraten sowie eine Vorrichtung zur Verwendung als Opfersubstrat in dem obigen Verfahren beschrieben, das einen Träger und eine Trägerabdeckung aufweist, die gemeinsam einen geschlossenen Aufnahmeraum zur Aufnahme eines scheibenförmigen Siliziumcarbid-Substrats bilden, wobei wenigstens die Trägerabdeckung als siliziumhaltiges Opfersubstrat ausgebildet ist.
摘要翻译：据描述的至少一个表面被处理到处理的碳化硅衬底的热处理，在其中多个在碳化硅衬底的处理室排列，和任选的至少一种被布置在处理室中，该含硅牺牲基板到处理温度（T）被加热是一个Siliziumpartialdruck和至少一种牺牲衬底邻近于碳化硅衬底表面，以通过从所述至少硅的除气进行处理增加。在该方法中，多个碳化硅衬底的是优选的并且布置成使得形式要被处理的含表面相对并且在两个相对的表面一起与环构件的基本上封闭的腔室中的处理室中的至少硅表面的碳化硅衬底中的各个，由此基本上当加热处理室内和由表面形成的腔室和所述环构件之间的气体交换被抑制。所述至少一个可选的牺牲衬底被选择为使得它释放的气体中，相同或硅中的每单位面积的处理温度（T）大于待处理表面的碳化硅衬底的更大的量。它包括用于硅衬底的热处理的装置，以及用于使用如上述方法在牺牲衬底中还描述了包括支持体和载体盖，它们共同形成一个封闭的容纳腔，用于接收磁盘状的硅基板的装置，其特征在于，至少所述支架盖形成为含硅牺牲衬底。

10. 发明申请

WO2013083289A1 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM VERMESSEN EINES SCHEIBENFÖRMIGEN SUBSTRATS 审中-公开
标题翻译：装置和方法，用于测量盘基片
公开(公告)号：WO2013083289A1
公开(公告)日：2013-06-13
申请号：PCT/EP2012/005090
申请日：2012-12-10
申请人： CENTROTHERM THERMAL SOLUTIONS GMBH & CO. KG
发明人： GRAF, Ottmar , HARTMANN, Andreas , KNÖPFLE, Daniel
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/67259 , H01L21/681
摘要： Es ist eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Vermessen eines scheibenförmigen Substrats mit wenigstens drei geraden Seitenkanten vorgesehen, wobei zwei der drei Kanten im Wesentlichen parallel verlaufen. Das Verfahren beinhaltet das Erfassen einer ersten Kante des scheibenförmigen Substrats mit einem ersten Sensor und einem zweiten Sensor, wobei der erste und der zweite Sensor entlang einer ersten Achse beabstandet zueinander angeordnet sind und ihre linienförmigen Messbereiche im Wesentlichen parallel verlaufen. Femer wird eine zweite Kante des scheibenförmigen Substrats mit einem dritten Sensor und einem vierten Sensor erfasst, wobei der dritte und der vierte Sensor entlang einer zweiten Achse beabstandet zueinander angeordnet sind und ihre linienförmigen Messbereiche im Wesentlichen parallel verlaufen. Weiterhin wird eine dritte Kante des scheibenförmigen Substrats mit ein dem ersten und dem zweiten Sensor gegenüber angeordneten fünften Sensor erfasst der auf einer dritten Achse angeordnet ist, wobei sein linienförmiger Messbereich im Wesentlichen parallel zu den Messbereichen des ersten und des zweiten Sensors verläuft, und wobei die erste und die zweite Achse einen ersten Winkel einschließen und die zweite und die dritte Achse einen zweiten Winkel einschließen. Anhand der erfassten Daten wird dann die Position des scheibenförmigen Substrats bestimmt.
摘要翻译：它是一种装置和用于测量具有至少三个直线侧边缘的盘基片的方法，所述两个三个边缘的基本上是平行的。该方法包括检测所述盘形基板的第一边缘与第一传感器和第二传感器，其中，所述第一和第二传感器沿间隔开的第一轴线布置并基本上延伸它们的线性范围平行。此外，盘基片的第二边缘通过第三传感器和第四传感器检测，所述第三和第四传感器沿着彼此间隔开的第二轴线设置，并且基本上延伸它们的线性范围平行。此外，圆盘状基板的第三边缘与所述第一和设置，其设置在第三轴，以其线状测量范围基本上平行于所述第一和第二传感器的测量区域中的第五传感器相对的第二传感器，并且其中，所述检测到的包括第一和第二轴包括第一角度和第二和第三轴线形成第二夹角。盘基片的位置，然后基于检测到的数据来确定。

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