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    • 1. 发明公开
    • 리튬-산소 전지
    • 锂氧电池
    • KR20180031720A
    • 2018-03-28
    • KR20187004861
    • 2016-05-20
    • CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD
    • GREY CLARELIU TAOYU WANJING
    • H01M12/08H01M4/38H01M4/86H01M4/96H01M10/44
    • H01M12/08H01M4/382H01M4/388H01M4/48H01M4/8615H01M4/90H01M2300/0017Y02E60/128
    • 본발명은 (i) 방전단계에서리튬-산소전지의작업전극상에또는내에방전생성물을발생시키고, 여기에서방전생성물내의 LiOH의양은 LiO의양보다많은것인단계; 및/또는 (ii) 충전단계에서리튬-산소전지의작업전극상에서또는내에서 LiOH를소비하여, 산소를선택적으로물과함께발생시키고, 여기에서충전단계에서소비된 LiOH의양은소비된 LiO의양보다많은것인단계를포함하는리튬-산소전지를방전및/또는충전하는방법을제공한다. 리튬-산소전지는유기용매를포함하는전해질을가지며, 선택적으로충전단계이후의전해질의함수량은 0.01 wt% 이상이다.
    • 本发明为(i)在立放电阶段; - 在产生的细胞或氧,并且在步骤的LiOH这里uiyang放电产物maneungeot比LIO uiyang的工作电极上的产品内的放电; 和/或(ii)在所述充电阶段的锂 - 的消耗LiOH的或在氧电池的工作电极,和任选地与氧的水,在其中加入LiOH uiyang在所述充电阶段消耗的产生被消耗LIO uiyang比 提供了一种包括多个步骤的锂 - 氧电池的放电和/或充电方法。 具有含有有机溶剂的电解质的锂氧电池,在填充步骤之后的电解质任选的水含量不大于0.01%(重量)以下。
    • 5. 发明专利
    • Method and apparatus for forming thin film
    • 形成薄膜的方法和装置
    • JP2008289967A
    • 2008-12-04
    • JP2007136146
    • 2007-05-23
    • Cambridge Enterprise LtdSamco Incケンブリッジ エンタープライズ リミテッドサムコ株式会社
    • MIYAKE MASAHITOMORRISON FINLAY DOOGANTATSUTA TOSHIAKISCOTT JAMES FLOYDTSUJI OSAMU
    • B05D1/02B05B17/06C23C16/40H01L21/28H01L21/288
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a thin film by using a raw material for MOCVD in the mist deposition method, by solving the problem that the mist deposition method uses a raw material used for the MOD method but cannot use a raw material for MOCVD.
      SOLUTION: The mist deposition method for forming a thin film comprises applying mist comprised of a raw material of a thin film and a solvent onto a heated substrate, whereby only solvent mist evaporates before it sticks to the substrate and a thin film is formed on the surface of the substrate. The thin film thus formed may be annealed to enhance its crystallinity. By enabling a mist deposition method according to the present invention to form a thin film from a raw material for MOCVD, a thin film electrode of iridium oxide or ruthenium oxide can be formed on a substrate, and hence a device such as RuO
      2 /PZT/RuO
      2 can be prepared at a low cost using a single thin-film forming apparatus for a mist deposition method according to the present invention.
      COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
    • 要解决的问题:为了提供一种通过在雾化沉积法中使用用于MOCVD的原料形成薄膜的方法,通过解决雾沉积方法使用用于MOD方法的原料但不能 使用原料进行MOCVD。 解决方案:用于形成薄膜的雾化沉积方法包括将由薄膜原料和溶剂构成的雾施加到加热的基板上,由此仅在溶剂雾附着到基板之前蒸发溶剂雾,并且薄膜为 形成在基板的表面上。 这样形成的薄膜可以退火以提高其结晶度。 通过使根据本发明的雾化沉积方法能够从用于MOCVD的原料形成薄膜,可以在衬底上形成氧化铱或氧化钌的薄膜电极,因此诸如RuO < 可以使用根据本发明的用于雾化沉积方法的单个薄膜形成装置以低成本制备2 / PZT / RuO 2 。 版权所有(C)2009,JPO&INPIT