专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2016504756A バルクサイズナノ構造材料、およびナノワイヤを焼結することによるその作製方法审中-公开
标题翻译：散装尺寸的纳米结构材料，并通过烧结的纳米线的制造方法
公开(公告)号：JP2016504756A
公开(公告)日：2016-02-12
申请号：JP2015540715
申请日：2013-10-25
申请人：アルファベットエナジーインコーポレイテッドAlphabet Energy,Inc. , アルファベットエナジーインコーポレイテッドAlphabet Energy,Inc.
发明人：レイフェンバーグ，ジョン , ルブラン，サニヤ , スカリン，マシュー
IPC分类号： H01L35/14 , H01L35/26 , H01L35/34
CPC分类号： H01L35/22 , B82B3/0014 , B82Y30/00 , H01L35/34
摘要：熱電固体材料およびその方法。熱電固体材料は、複数のナノワイヤを包含する。複数のナノワイヤの各ナノワイヤは10以上のアスペクト比(例えば、ナノワイヤの直径に対するナノワイヤの長さの比)に相当し、上記複数のナノワイヤの各ナノワイヤは、当該各ナノワイヤの少なくとも2つの位置において、1つ以上の別のナノワイヤと化学的に結合している。
摘要翻译：热电固体材料和方法。热电固体材料包括多个纳米线。多个纳米线的每个纳米线10或纵横比（例如，纳米线的纳米线为直径的长度的比）对应于所述多个纳米线的每个纳米线，每个纳米线中的至少两个位置，1 一种或多种不同的纳米线化学偶联。

2. 发明专利

JP2017539074A 熱電式発電ユニットならびにその製造方法および使用方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017539074A
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：JP2017517305
申请日：2015-10-01
申请人：アルファベットエナジーインコーポレイテッドAlphabet Energy,Inc. , アルファベットエナジーインコーポレイテッドAlphabet Energy,Inc.
发明人：ロリマー，アダム , ハンネマン，クリストファー , クレーン，ダグラス , ペイペル，アドデ , ペイペル，アドデ , ベーラ，サシ，ブシャン , チェイス，ジョーダン , アギーレ，マリオ , フリーマン，ダニエル
IPC分类号： H01L35/32 , H01L35/14 , H01L35/30 , H02N11/00
CPC分类号： H01L35/32 , H01L23/473
摘要：熱電式発電ユニットは、1つ以上の分離した導管ならびに実質的に平坦な第1および第2の低温側板を含んでいる高温側熱交換器(HHX)を含んでいる。第1の複数の熱電素子は、上記第1の低温側板と上記HHXの第1の側部との間にあり;かつ第2の複数の熱電素子は、上記第2の低温側板と上記HHXの第2の側部との間にあり得る。複数の固定具は、複数の上記HHX導管の外側の位置において、上記第1および第2の低温側板の間に伸び得る。複数の上記固定具は、上記第1の複数のうち複数の熱電素子の間にある複数の間隙の範囲内および上記第2の複数の熱電素子の間にある複数の間隙の範囲内に配置され得る。複数の上記固定具は、上記第1の低温側板および上記HHXの上記第1の側部に上記第1の複数の熱電素子を備え得、上記第2の低温側板と上記HHXの上記第2の側部との間に上記第2の複数の熱電素子を備え得る。

3. 发明专利

JP2016528716A 等電子不純物を含有するシリコン系熱電材料审中-公开
标题翻译：含有杂质等电子硅基热电材料
公开(公告)号：JP2016528716A
公开(公告)日：2016-09-15
申请号：JP2016518021
申请日：2014-06-06
申请人：アルファベットエナジーインコーポレイテッドAlphabet Energy,Inc. , アルファベットエナジーインコーポレイテッドAlphabet Energy,Inc.
发明人：ライフェンベルク，ジョン , ミラー，リンゼイ , スカリン，マシュー，エル．
IPC分类号： H01L35/14 , H01L35/34
CPC分类号： H01L35/22
摘要：等電子不純物を含有するシリコン系熱電材料、当該熱電材料に基づく熱電素子、並びに、それらの製造方法及び使用方法を提供する。一実施形態によれば、熱電材料は、シリコンと、上記シリコンの内部に配置され、炭素、錫、及び鉛からなる群より選択された1種又は複数種の等電子不純物原子とを含み、上記1種又は複数種の等電子不純物原子は、上記シリコン中を伝播する熱フォノンを散乱するのに十分な量であると共に、上記シリコン中における上記1種又は複数種の等電子不純物原子の飽和限界よりも少ない量である。一実施例では、上記熱電材料は、上記シリコンの内部に配置されたゲルマニウム原子をさらに含み、上記ゲルマニウム原子は、上記シリコン中を伝播する熱フォノンを散乱するのに十分な量であると共に、上記シリコン中におけるゲルマニウムの飽和限界よりも少ない量である。上記1種又は複数種の等電子不純物原子のそれぞれと上記ゲルマニウム原子とは、独立して、シリコン原子を置換することができ、又は上記シリコンの格子間内に配置することができる。
摘要翻译：基于硅的含有杂质等电子热电材料的基础上，热电材料的热电元件，以及提供其制备和用途。根据一个实施例，所述热电材料包括硅，设置在硅，碳，锡的内部，并从组中选择的一种或多种等电子杂质原子组成的铅，在一个或多个等电子杂质原子，具有其量足以散射声子热传播硅一起的等电子杂质原子的饱和极限，所述一种或多种物质在硅它比更小的量。在一个实施例一起，该热电材料还包括设置在所述硅锗原子内，锗原子是其量足以散射声子热传播硅时，它比锗的硅中的饱和极限以下的量。上述的一个或多个的分别和锗原子等电子杂质原子，可以独立地是可以被取代的硅原子，或者被放置在硅的晶格间。

4. 发明专利

JP2014505998A Low thermal conductivity matrix and how that has an embedded type nanostructure 审中-公开
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP2014505998A
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：JP2013542193
申请日：2011-12-02
申请人：アルファベットエナジーインコーポレイテッドAlphabet Energy,Inc.
发明人：イ，ミンチャン , マタス，ガブリエル，エー． , エル．スカリン，マシュー , ガンリー，チィ , マッケンヒルン，シルヴェイン
IPC分类号： H01L35/34 , H01L35/14 , H01L35/32
CPC分类号： H01L21/02225 , B82Y40/00 , H01L21/02112 , H01L35/26
摘要：埋め込み型のナノワイヤが少なくとも１つ形成されたマトリクス、およびその方法を提供する。上記マトリクスは、ナノワイヤおよび前記ナノワイヤの間に配置された１つ以上の充填材を含む。各ナノワイヤは、第１の端部および第２の端部を有する。上記ナノワイヤは、実質的に互いに平行であり、且つ上記１つ以上の充填材を用いて互いに相対的に位置固定されている。各充填材は、５０ワット毎メートル毎ケルビン未満の熱伝導率を有している。そして、上記マトリクスは、少なくとも昇華温度および融解温度を有し、前記昇華温度および前記融解温度は各々３５０℃より高温である。
摘要翻译：具有至少一个纳米线嵌入阵列的矩阵及其方法。该基质包括位于纳米线之间的纳米线和一个或多个填充材料。每个纳米线包括第一端和第二端。纳米线基本上彼此平行并且通过一个或多个填充材料相对于彼此固定在适当的位置。一种或多种填充材料中的每一种与导热率相关联，导热率小于每瓦开度50瓦特。而且，该基质至少升华温度和熔融温度，升华温度和熔融温度均高于350℃。

5. 发明专利

JP2014510396A Electrode structure and method for nanostructure array 审中-公开
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP2014510396A
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：JP2013552585
申请日：2012-02-01
申请人：アルファベットエナジーインコーポレイテッドAlphabet Energy,Inc.
发明人：エル．スカリン，マシュー , カリ，マダブ，エイ． , ロリマー，アダム , マッケンヒルン，シルヴェイン , マタス，ガブリエル , カーデル，ジャスティン，タインズ , ワッカー，バーバラ
IPC分类号： H01L35/32 , H01L29/06 , H01L35/08 , H01L35/14 , H01L35/34
CPC分类号： H01L29/0676 , B82Y10/00 , H01L29/1029 , H01L29/775 , H01L35/22 , H01L35/26
摘要：熱電素子およびその方法。熱電素子は、ナノワイヤー、接触層、およびシャントを備える。上記各ナノワイヤーは、第１の端部および第２の端部を有する。上記接触層は、上記各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第１の端部を介して該ナノワイヤーを電気的に接続する。上記シャントは、上記接触層に電気的に接続される。上記ナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。上記第１の端部および上記接触層の間の第１の接触抵抗率は、１０
−１３ Ω‐ｍ
２〜１０
−７ Ω‐ｍ
２の範囲である。上記第１の端部および上記接触層の間の第１の仕事関数は、０．８エレクトロンボルト未満である。上記接触層は、１０
−２Ｋ／Ｗ〜１０
１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴う。
摘要翻译：热电装置及其方法。热电装置包括纳米线，接触层和分路。每个纳米线包括第一端和第二端。接触层通过至少每个纳米线的第一端电耦合纳米线。分路电耦合到接触层。所有的纳米线基本上彼此平行。第一端和接触层之间的第一接触电阻率范围为10-13O-m2至10-7O-m2。第一端和接触层之间的第一功函数小于0.8电子伏特。接触层与10-2K / W至1010K / W的第一热阻相关联。

6. 发明专利

JP2014503996A Array, and a method of manufacturing the same long nano structure of the semiconductor material 审中-公开
公开(公告)号：JP2014503996A
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：JP2013540036
申请日：2011-11-18
申请人：アルファベットエナジーインコーポレイテッドAlphabet Energy,Inc.
发明人：イ，ミンチャン , エル．スカリン，マシュー , マタス，ガブリエル , エル．ヒルケン，ドーン , ガンリー，チィ , マッケンヒルン，シルヴェイン
IPC分类号： H01L35/32 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L29/06 , H01L35/14 , H01L35/34 , H02N11/00
CPC分类号： H01L21/3086 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L27/16 , H01L29/0676 , H01L31/035227 , Y10T428/24802 , Y10T428/249924 , Y10T428/2913
摘要：本発明は、ナノワイヤのアレイおよびその製造方法に関し、上記ナノワイヤのアレイは複数のナノワイヤを含み、上記複数のナノワイヤは複数の第１末端および複数の第２末端をそれぞれ含み、上記複数のナノワイヤのそれぞれに関し、上記複数の第１末端から選択される対応する第１末端と、上記複数の第２末端から選択される対応する第２末端とは、少なくとも２００μｍの距離分だけ離れており、上記複数のナノワイヤのうち、全てのナノワイヤは、互いに実質的に平行である。

7. 发明专利

JP2018509749A バルク四面銅鉱材用の電気的及び熱的接触、及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018509749A
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：JP2017534678
申请日：2015-12-16
申请人：アルファベットエナジーインコーポレイテッド , ALPHABET ENERGY,INC.
发明人：ミラー,リンゼイ , ライフェンベルク,ジョン,ピー. , クレーン,ダグラス , ロリマー,アダム , アギーレ,マリオ , チェイス,ジョーダン , スカリン,マシュー,エル.
IPC分类号： H01L35/16 , C01B17/20 , C01B21/06 , C01B21/076 , C01B32/921 , C01B32/949 , C01G23/00 , C23C14/14 , H01L23/38 , H01L35/08 , H01L35/34
CPC分类号： H01L35/32 , C04B35/547 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/90 , C04B2111/00844 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3294 , C04B2235/446 , H01L35/04 , H01L35/16 , C04B41/5133 , C04B41/5144 , C04B41/5116
摘要：一つの態様では、構造は、四面銅鉱基材と、四面銅鉱基材上に直接接触して配置されている第一接触金属層と、第一接触金属層上に配置されている第二接触金属層とを有する。熱電装置はそのような構造を有しうる。別の態様では、方法は、四面銅鉱基材を用意する工程と、第一接触金属層を上記四面銅鉱基材上に直接接触させて配置する工程と、第二接触金属層を上記第一接触金属層上に配置する工程とを含む。熱電装置の製造方法はそのような方法を含みうる。

8. 发明专利

AU2013338232A1 Bulk-size nanostructured materials and methods for making the same by sintering nanowires 未知
公开(公告)号：AU2013338232A1
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：AU2013338232
申请日：2013-10-25
申请人： ALPHABET ENERGY INC
发明人： REIFENBERG JOHN , LEBLANC SANIYA , SCULLIN MATTHEW
IPC分类号： H01L35/00 , H01L35/30
摘要： Thermoelectric solid material and method thereof. The thermoelectric solid material includes a plurality of nanowires. Each nanowire of the plurality of nanowires corresponds to an aspect ratio (e.g., a ratio of a length of a nanowire to a diameter of the nanowire) equal to or larger than 10, and each nanowire of the plurality of nanowires is chemically bonded to one or more other nanowires at at least two locations of the each nanowire.

9. 发明专利

CA2862350A1 MODULAR THERMOELECTRIC UNITS FOR HEAT RECOVERY SYSTEMS AND METHODS THEREOF 未知
公开(公告)号：CA2862350A1
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：CA2862350
申请日：2013-01-24
申请人： ALPHABET ENERGY INC
发明人： LORIMER ADAM , SCULLIN MATTHEW L , SURA SRAVAN KUMAR R , HANNEMANN CHRISTOPHER
IPC分类号： H01L35/02
摘要： Apparatus and method for generating electricity. The apparatus includes one or more first components configured to extract heat from at least a first fluid flow at a first temperature to one or more devices configured to convert thermal energy to electric energy. The first fluid flow is in a first direction. Additionally, the apparatus includes one or more second components configured to transfer heat from the one or more devices to at least a second fluid flow at a second temperature. The second temperature is lower than the first temperature, and the second fluid flow is in a second direction. Each first part of the first fluid flow corresponds to a first shortest distance to the one or more devices, and the first shortest distance is less than half the square root of the total free flow area for a corresponding first cross-section of the first fluid flow.

10. 发明专利

CA2825888A1 ELECTRODE STRUCTURES FOR ARRAYS OF NANOSTRUCTURES AND METHODS THEREOF 未知
公开(公告)号：CA2825888A1
公开(公告)日：2012-11-29
申请号：CA2825888
申请日：2012-02-01
申请人： ALPHABET ENERGY INC
发明人： SCULLIN MATTHEW L , KARRI MADHAV A , LORIMER ADAM , MUCKENHIRN SYLVAIN , MATUS GABRIEL , KARDEL JUSTIN TYNES , WACKER BARBARA
IPC分类号： H01L29/06
摘要： A thermoelectric device and methods thereof. The thermoelectric device includes nanowires, a contact layer, and a shunt. Each of the nanowires includes a first end and a second end. The contact layer electrically couples the nanowires through at least the first end of each of the nanowires. The shunt is electrically coupled to the contact layer. All of the nanowires are substantially parallel to each other. A first contact resistivity between the first end and the contact layer ranges from10-13 O-m2 to 10-7 O-m2. A first work function between the first end and the contact layer is less than 0.8 electron volts. The contact layer is associated with a first thermal resistance ranging from 10-2 K/W to 1010 K/W.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式