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    • 1. 发明申请
    • 炭化ケイ素単結晶の製造装置
    • 用于生产碳化硅单晶的装置
    • WO2011087074A1
    • 2011-07-21
    • PCT/JP2011/050504
    • 2011-01-14
    • 株式会社ブリヂストン関 亙近藤 大輔
    • 関 亙近藤 大輔
    • C30B29/36C30B23/06
    • C30B29/36C30B23/00C30B23/06
    •  本発明による単結晶製造装置1は、炭化ケイ素を含む種結晶11と、該種結晶11と対向する側に配設され前記種結晶11の成長に用いられる昇華用原料10とを収容する坩堝2を備える炭化ケイ素単結晶の製造装置1である。前記坩堝2は、前記昇華用原料10が収容される坩堝本体7と、前記種結晶11が配設される蓋体8とを備え、前記種結晶11の径方向中央側に対応する前記蓋体8の中央領域における厚みT1は、前記種結晶11の径方向中央側よりも径方向外側に対応する周辺領域における前記蓋体8の厚みT2よりも大きく設定されている。
    • 公开了一种用于制造碳化硅单晶的装置(1),其包括含有包含碳化硅的晶种(11)的坩埚(2)和升华材料(10),所述升华材料(10)被布置成面对晶种 (11),并用于晶种(11)的生长。 坩埚(2)包括其中容纳升华材料(10)的坩埚主体(7)和布置有晶种(11)的盖(8)。 在对应于晶种(11)的径向中心部分的中心区域中的盖(8)的厚度(T1)被设定为比对应于周边区域中的盖(8)的厚度(T2)厚 到晶种(11)的一部分,所述部分在径向上位于晶种(11)的径向中心部分之外。
    • 2. 发明申请
    • 炭化珪素単結晶の製造装置
    • 生产碳化硅单晶的装置
    • WO2010114008A1
    • 2010-10-07
    • PCT/JP2010/055820
    • 2010-03-31
    • 株式会社ブリヂストン関 亙近藤 大輔
    • 関 亙近藤 大輔
    • C30B29/36
    • C30B29/36C30B23/06
    •  本発明による炭化珪素単結晶の製造装置1は、筒状に形成された反応容器本体11の上部開口11bが蓋体12によって封鎖された黒鉛製反応容器10と、該黒鉛製反応容器10の外周側に連続して巻回された単一の加熱コイルからなる加熱部材とを備え、底部11aに昇華用原料50を収容し、反応容器の内面側12aに種結晶60を取り付ける炭化珪素単結晶の製造装置である。前記反応容器本体11の底部11aを巻回する下部コイル31および蓋体12を巻回する上部コイル32のコイルピッチP1,P3は、反応容器本体11の高さ方向中央部を巻回する中央部コイル33のコイルピッチP2よりも小さく設定している。
    • 一种用于制造碳化硅单晶的装置(1),其包括由石墨构成的反应容器(10)并且被构造成使得圆柱形反应容器主体(11)的上开口(11b)被盖 (12),以及加热构件,其包括连续卷绕在由石墨构成的反应容器(10)的外周的单个加热线圈,并且其中可升华起始材料(50)保持在底部(11a)上,并且种子 晶体(60)附接到反应容器的内表面(12a)。 缠绕在反应容器主体(11)的底部(11a)上的下部线圈(31)和缠绕在盖子(12)上的上部线圈(32)具有线圈间距(P1和 P3),其被设置为小于围绕反应容器主体(11)的高度方向中心缠绕的中心线圈(33)的线圈间距(P2)。