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1. 发明专利

JP6154879B2 ＮＡＮＤ型フラッシュメモリとそのプログラム方法有权
公开(公告)号：JP6154879B2
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：JP2015225308
申请日：2015-11-18
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション , ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：矢野　勝 , 勝矢野
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/10
CPC分类号： G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/3459

2. 发明专利

JP5667143B2 不揮発性半導体メモリ有权
标题翻译：非易失性半导体存储器
公开(公告)号：JP5667143B2
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：JP2012226159
申请日：2012-10-11
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション , ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：一貴山内 , 一貴山内 , 克年水藤 , 克年水藤 , オロンマイケル , オロンマイケル , ジョンジュンキム , ジョンジュンキム , ヨウンチェルシン , ヨウンチェルシン
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/04 , G11C16/06
CPC分类号： G11C16/26 , G11C7/06 , G11C16/0483 , G11C16/10

3. 发明专利

JP2017079088A 不揮発性半導体記憶装置有权
公开(公告)号：JP2017079088A
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：JP2015207736
申请日：2015-10-22
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション , Winbond Electronics Corp , ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人： YANO MASARU
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/02 , G11C16/04
CPC分类号： G11C16/10 , G11C7/02 , G11C7/18 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/16 , G11C16/24 , G11C16/26
摘要：【課題】低消費電力化、高速化、小型化を図ることができる改良されたレイアウト構成を有する不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】本発明のフラッシュメモリは、NAND型のストリングが形成されたメモリアレイ110を含む。メモリアレイ110は、複数のグローバルブロックを含み、1つのグローバルブロックが複数のブロックを含み、1つのブロックが複数のNAND型のストリングを含む。複数のローカルビット線は、1つのグローバルブロック内の複数のブロックの各々に共通であり、複数のグローバルビット線は、複数のグローバルブロックに共通であり、1つのグローバルビット線とn本のローカルビット線との間の選択的に接続する接続手段を含む。読出し動作またはプログラム動作を行うときに、1つのグローバルビット線がn本のローカルビット線によって共有される。【選択図】図2

4. 发明专利

JP2015041390A 半導体記憶装置有权
标题翻译：半导体存储设备
公开(公告)号：JP2015041390A
公开(公告)日：2015-03-02
申请号：JP2013170147
申请日：2013-08-20
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション , Winbond Electronics Corp , ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人： MURAKAMI HIROKI , ARAKAWA KENICHI
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/02 , G11C16/04
CPC分类号： G11C16/24 , G11C16/0483 , G11C16/28 , G11C16/30
摘要：【課題】正確なクランプ電圧を生成するクランプ電圧生成回路を提供する。【解決手段】本発明のクランプ電圧生成回路200は、ドレインがVDD電源に結合され、ソースがノードN5に結合され、クランプ電圧がゲートに結合されたエミュレート用のトランジスタ220と、ノードN5と接地電位との間に接続され、ノードN5から接地電位に流れる電流を設定する電流設定回路230と、ノードN5からフィードバックされた電圧と基準電圧VREFとを入力し、VCLMP電圧を出力するレギュレータ210とを有する。電流設定回路230は、ビット線BLの電流を複製可能であり、電荷転送トランジスタTGにエミュレート用のトランジスタ220を近似させることができる。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：提供产生精确钳位电压的钳位电压产生电路。解决方案：本发明的钳位电压产生电路200包括：用于仿真的晶体管220，其中漏极耦合到VDD电源，源极耦合到节点N5，并且钳位电压耦合到栅极; 连接在节点N5和接地电位之间的电流设定电路230，其设定从节点N5流过地电位的电流; 以及调节器210，其接收从节点N5反馈的电压的输入和参考电压VREF，并输出VCLMP电压。电流设定电路230可以复制位线BL的电流，并且可以近似晶体管220进行仿真到电荷转移晶体管TG。

5. 发明专利

JP5667260B1 半導体記憶装置有权
标题翻译：一种半导体存储器件
公开(公告)号：JP5667260B1
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：JP2013170147
申请日：2013-08-20
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション , ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：村上　洋樹 , 洋樹村上 , 荒川　賢一 , 賢一荒川
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/02 , G11C16/04
CPC分类号： G11C16/24 , G11C16/0483 , G11C16/28 , G11C16/30
摘要：【課題】正確なクランプ電圧を生成するクランプ電圧生成回路を提供する。【解決手段】本発明のクランプ電圧生成回路200は、ドレインがVDD電源に結合され、ソースがノードN5に結合され、クランプ電圧がゲートに結合されたエミュレート用のトランジスタ220と、ノードN5と接地電位との間に接続され、ノードN5から接地電位に流れる電流を設定する電流設定回路230と、ノードN5からフィードバックされた電圧と基準電圧VREFとを入力し、VCLMP電圧を出力するレギュレータ210とを有する。電流設定回路230は、ビット線BLの電流を複製可能であり、電荷転送トランジスタTGにエミュレート用のトランジスタ220を近似させることができる。【選択図】図8
摘要翻译：用于生成一个准确的钳位电压提供钳位电压产生电路。本发明的钳位电压产生电路200，漏极被耦合到VDD电源，其源极耦合到节点N5，晶体管220用于模拟钳位电压被耦合到栅极时，节点N5地面连接在电位之间，用于设置从节点N5中流动的电流到地电位的电流设定电路230中，输入电压和从节点N5反馈的参考电压VREF，和一个调节器210，以输出VCLMP电压一。电流设定电路230是一种可复制当前位线BL，并且能够以接近晶体管220用于模拟电荷转移晶体管TG。点域8

6. 发明专利

JP2014203498A 半導体記憶装置有权
标题翻译：半导体存储器件
公开(公告)号：JP2014203498A
公开(公告)日：2014-10-27
申请号：JP2013081020
申请日：2013-04-09
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション , Winbond Electronics Corp , ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人： YANO MASARU
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/04 , G11C16/06
摘要：【課題】電力消費を抑制しかつ高速動作が可能なフラッシュメモリを提供する。【解決手段】フラッシュメモリ100は、メモリアレイ110と、ワード線選択回路160と、メモリアレイの各ビット線に結合され、選択されたビット線を流れる電流を検出する電流検出型のセンス回路170と、メモリアレイの選択されたブロックのメモリセルのデータを消去する消去手段とを含む。消去手段は、消去されたブロックの各ビット線に流れる電流が第1の値より大きいか否かを判定し、各ビット線を流れる電流が第1の値以上であれば消去ベリファイを終了する消去シーケンスと、消去されたブロックの全ワード線にソフトプログラム電圧を印加し、各ビット線に流れる電流が第2の値よりも小さいか否かを判定するソフトプログラムベリファイを行い、各ビット線を流れる電流が第2の値よりも小さければソフトプログラムシーケンスを終了するシーケンスとを含む。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供能够抑制功耗并执行高速操作的闪速存储器。解决方案：闪速存储器100包括：存储器阵列110; 字线选择电路160; 电流检测型检测电路170，其连接到每个存储器阵列并检测流过所选位线的电流; 并且擦除意味着擦除存储器阵列中的所选块的存储器单元的数据。擦除装置包括：擦除序列，其中确定流过已经执行擦除的块的每个位线的电流是否大于第一值，并且如果流过每个位的电流大于第一个值，擦除验证完成; 以及将软编程电压施加到已经执行了擦除的块的所有字线的顺序，用于确定流过每个位线的电流是否小于第二个的软程序验证值，并且如果流过每个位线的电流小于第二值，则完成软程序序列。

7. 发明专利

JP6122478B1 不揮発性半導体記憶装置有权
公开(公告)号：JP6122478B1
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：JP2015207736
申请日：2015-10-22
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション , ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：矢野　勝 , 勝矢野
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/04
CPC分类号： G11C16/10 , G11C7/02 , G11C7/18 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/16 , G11C16/24 , G11C16/26
摘要：【課題】低消費電力化、高速化、小型化を図ることができる改良されたレイアウト構成を有する不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】本発明のフラッシュメモリは、NAND型のストリングが形成されたメモリアレイ110を含む。メモリアレイ110は、複数のグローバルブロックを含み、1つのグローバルブロックが複数のブロックを含み、1つのブロックが複数のNAND型のストリングを含む。複数のローカルビット線は、1つのグローバルブロック内の複数のブロックの各々に共通であり、複数のグローバルビット線は、複数のグローバルブロックに共通であり、1つのグローバルビット線とn本のローカルビット線との間の選択的に接続する接続手段を含む。読出し動作またはプログラム動作を行うときに、1つのグローバルビット線がn本のローカルビット線によって共有される。【選択図】図2

8. 发明专利

JP5657079B1 半導体記憶装置有权
标题翻译：一种半导体存储器件
公开(公告)号：JP5657079B1
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：JP2013220913
申请日：2013-10-24
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション , ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：治信中川 , 治信中川
IPC分类号： G11C29/42 , G06F12/16 , G11C16/04 , G11C16/06 , G11C29/00
CPC分类号： G06F11/1048 , G11C29/42 , G11C29/44 , G11C29/4401 , G11C2029/1208
摘要：【課題】歩留まりを向上させ、かつデータの読出しを高速化することができる半導体記憶装置およびその冗長方法を提供する。【解決手段】本発明のフラッシュメモリは、メモリ領域MMと冗長素子を含む冗長メモリ領域MRとを含むメモリアレイ100と、ページバッファ160と、列選択回路170と、ECC回路180と、I/Oバッファ110とを含む。列選択回路170は、冗長情報に基づきキャッシュレジスタCR−1に保持されたコアデータに含まれる欠陥データを冗長キャッシュレジスタCR−Rに保持された冗長データに変換し、変換されたデータをECC回路180へ提供し、ECC回路180によって誤り訂正されたデータをコアデータとしてキャッシュレジスタCR−1に再書込みをする。この間、列選択回路170は、キャッシュレジスタCR−0に保持された誤り訂正済みのデータをI/Oバッファ110へ出力する。【選択図】図6
摘要翻译：的产率提高，并提供一种半导体存储器件及其冗余方法可以加快数据的读出。本发明的快闪存储器包括具有冗余存储区域MR包括存储器区域MM和冗余元件，页缓冲器160，列选择电路170，ECC电路180，存储器阵列100的I / O 和缓冲器110。列选择电路170转换包含在高速缓冲寄存器CR-1基于所述冗余信息，ECC电路中的转换后的数据保持的核心数据在冗余收银CR-R被保持在不良数据的冗余数据它提供了至180，重新写高速缓冲寄存器CR-1的错误校正数据作为由ECC电路180的核心数据。在此期间，列选择电路170输出存储在收银CR-0至I / O缓冲器110中的纠错的数据。点域6

9. 发明专利

JP5657063B2 半導体記憶装置有权
公开(公告)号：JP5657063B2
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：JP2013137997
申请日：2013-07-01
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション , ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：白田　理一郎 , 理一郎白田
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/04
CPC分类号： G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/3427

10. 发明专利

JP5631436B2 半導体記憶装置有权
公开(公告)号：JP5631436B2
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：JP2013081020
申请日：2013-04-09
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション , ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：矢野　勝 , 勝矢野
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/04 , G11C16/06

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