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    • 7. 发明申请
    • HALBLEITERBAUTEIL
    • WO2023066761A1
    • 2023-04-27
    • PCT/EP2022/078422
    • 2022-10-12
    • TRUMPF PHOTONIC COMPONENTS GMBH
    • OTT, AndreaBADER, Sven
    • H01S5/183H01S5/042H01S5/32H01S5/42
    • Ein Halbleiterbauteil (10) zum Emittieren von Licht (12) mit einem Grundkörper (14), der mindestens einen Mesakörper (16) mit einem Emissionsbereich (18) für das Licht (12) aufweist, dem ein erster Spiegelabschnitt, ein zweiter Spiegelabschnitt und ein zwischen den beiden Spiegelabschnitten angeordneter aktiver Abschnitt zur Erzeugung des Lichts (12) zugeordnet sind, und mit elektrischen Kontakten (20) zum Einspeisen von elektrischer Energie in den aktiven Abschnitt, wobei auf einer Oberfläche (22) des Grundkörpers (14) mindestens ein sich bis zum Emissionsbereich (18) erstreckendes Stresselement (24) angebracht ist, das Teil eines elektrischen Kontakts (20) ist und in dem Grundkörper (14) eine Materialspannung (25) erzeugt, wobei ein Polarisationsgitter (30) auf der Oberfläche (22) des Mesakörpers (16) angeordnet ist und mit dem Emissionsbereich (18) zusammenwirkt, wobei eine Gitterausrichtung des Polarisationsgitters insbesondere 0°, 45° und/oder 90° mit einer Richtung einer überwiegenden Materialspannung (25) und/oder einer Längserstreckung des Stresselements (24) einschließt, sodass sich durch die Materialspannung und die Gitterausrichtung auf eine Eigenschaften, wie ein Polarisations-Extinktionsverhältnis, des emittierten Lichts (12) auswirken.
    • 8. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR LASERBEARBEITUNG EINES WERKSTÜCKS MIT VERRINGERTER INTENSITÄTSLÜCKE
    • WO2023061831A1
    • 2023-04-20
    • PCT/EP2022/077733
    • 2022-10-05
    • TRUMPF LASER- UND SYSTEMTECHNIK GMBH
    • BOCKSROCKER, OliverHAUG, PatrickSPEKER, NicolaiSAILER, ChristofSEEBACH, Johannes
    • B23K26/073B23K26/21B23K26/38B23K26/064B23K26/06
    • Ein Verfahren zur Bearbeitung eines Werkstücks (10) mittels eines Laserstrahls (8), wobei der Laserstrahl (8) an einem Faserende (1) eines Lichtleitkabels (2) bereitgestellt wird, wobei das Lichtleitkabel (2) zumindest mit einer Kernfaser (3) mit einem Kernfaserdurchmesser KFD, einer die Kernfaser (3) ringförmig umge-benden Ringfaser (4) mit einem äußeren Ringfaserdurchmesser ARFD und einer zwischen Kernfaser (3) und Ringfaser (4) liegenden und die Kernfaser (3) umge-benden Mantelschicht (5) mit einer Mantelschichtdicke MSD ausgebildet ist, so dass der Laserstrahl (8) einen Kernstrahl (6) aus der Kernfaser (3) und einen Ringstrahl (7) aus der Ringfaser (4) umfasst, wobei der Laserstrahl (8) mit einem Abbildungsverhältnis AV in Richtung auf das Werkstück (10) zu in einer Fokus-ebene (11) fokussiert wird, wobei in der Fokusebene (11) - der Kernstrahl (6) einen Kernstrahldurchmesser KSD aufweist, innerhalb des-sen 86% der Laserleistung des Kernstrahls (6) vorliegen, - der Ringstrahl (7) einen äußeren Ringstrahldurchmesser ARSD aufweist, inner-halb dessen 86% der Laserleistung des Ringstrahls (7) vorliegen, und - der Ringstrahl (7) einen inneren Ringstrahldurchmesser IRSD aufweist, auf dem eine gleiche über den Umfang gemittelte Strahlungsdichte des Ringstrahls (7) wie auf dem äußeren Ringstrahldurchmesser ARSD vorliegt, so dass sich eine In-tensitätslücke (9) zwischen dem inneren Ringstrahldurchmesser IRSD und dem Kernstrahldurchmesser KSD mit einer Intensitätslückenbreite ILB=(IRSD-KSD)/2 ergibt, ist dadurch gekennzeichnet, dass MSD≤0,3*KFD und weiterhin ILB≤0,3*KSD, und dass MSD≤20µm, vorzugsweise