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1. 发明授权

US07985613B2 Method for manufacturing back side illumination image sensor 失效
标题翻译：制造背面照明图像传感器的方法
公开(公告)号：US07985613B2
公开(公告)日：2011-07-26
申请号：US12641391
申请日：2009-12-18
申请人： Mun Hwan Kim
发明人： Mun Hwan Kim
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L27/14689 , H01L27/14627 , H01L27/1464
摘要： A method of manufacturing a back side illumination image sensor is provided. The method can include forming an ion implantation layer in a front side of a first substrate, forming a photodetector and a readout circuit on the first substrate, forming an interlayer dielectric layer and a metal line on the front side of the first substrate, bonding a second substrate with the front side of the first substrate, removing a lower portion of the first substrate on the basis of the ion implantation layer, performing an annealing process with respect on a back side of the first substrate, and forming a microlens over the photodetector.
摘要翻译：提供了制造背面照明图像传感器的方法。该方法可以包括在第一基板的前侧形成离子注入层，在第一基板上形成光电检测器和读出电路，在第一基板的正面上形成层间电介质层和金属线，第二基板，其具有第一基板的前侧，基于离子注入层去除第一基板的下部，相对于第一基板的背面执行退火处理，并且在光电检测器上形成微透镜。

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