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热词
    • 2. 发明申请
    • DIMMBARE LICHTQUELLE
    • WO2019029849A1
    • 2019-02-14
    • PCT/EP2018/053416
    • 2018-02-12
    • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
    • BAUMANN, DominikLANGE, Stefan
    • C09K11/08C09K11/77H05B33/08
    • Es wird eine dimmbare Lichtquelle zur Emission einer weißen Gesamtstrahlung angegeben. Die Lichtquelle umfasst - einen Dimmer, der dazu eingerichtet ist im Betrieb der Lichtquelle eine Stromstärke eines Stroms zum Betrieb einer lichtemittierenden Diode zu variieren und - eine lichtemittierende Diode mit einer Halbleiterschichtenfolge, die dazu eingerichtet ist im Betrieb der Lichtquelle eine elektromagnetische Primärstrahlung im UV-Bereich des elektromagnetischen Spektrums zu emittieren und ein Konversionselement umfassend ein Konvertermaterial, das dazu eingerichtet ist die elektromagnetische Primärstrahlung teilweise oder vollständig in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung zu konvertieren, wobei die Sekundärstrahlung eine erste Emissionsbande mit einem ersten Emissionsmaximum im Bereich von 400 nm bis 500 nm und eine zweite Emissionsbande mit einem zweiten Emissionsmaximum im Bereich von 510 nm bis 700 nm aufweist und eine relative Intensität der ersten Emissionsbande mit abnehmender Stromstärke des Stroms zum Betrieb der Lichtquelle sinkt und eine relative Intensität der zweiten Emissionsbande mit abnehmender Stromstärke des Stroms zum Betrieb der lichtemittierenden Diode steigt.
    • 5. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS UND EIN BAUELEMENT
    • 方法用于制造部件和部件
    • WO2017016953A1
    • 2017-02-02
    • PCT/EP2016/067298
    • 2016-07-20
    • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
    • MOOSBURGER, JuergenHOEPPEL, Lutz
    • H01L33/48H01L33/62
    • H01L33/62H01L33/486H01L33/54H01L2224/11
    • Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements angegeben, bei dem ein Verbund aufweisend einen Halbleiterschichtenstapel und Anschlussschichten bereitgestellt wird, wobei Durchkontakte auf den Anschlussschichten ausgebildet werden, bevor ein Formkörpermaterial auf den Verbund zur Ausbildung eines Formkörpers aufgebracht wird. Die Durchkontakte erstrecken sich dabei durch den Formkörper hindurch und sind von dem Formkörper vollumfänglich umschlossen, sodass der Formkörper und die Durchkontakte einen dauerhaft zusammenhängenden Träger bilden, der das herzustellende Bauelement mechanisch trägt. Des Weiteren wird ein Bauelement angegeben, das insbesondere durch ein solches Verfahren hergestellt wird, wobei die erste Anschlussschicht an einer Verbindungsebene mit dem ersten Durchkontakt einen gleichen oder größeren lateralen Querschnitt aufweist als der erste Durchkontakt und sowohl die erste Anschlussschicht als auch der erste Durchkontakt in lateralen Richtungen von dem Formkörper vollumfänglich umschlossen sind.
    • 提供了一种用于制造其中一个复合材料具有具备设置在半导体层堆叠和连接层,其中通孔上的连接层形成的之前被施加到复合成型材料以形成成型体的设备的方法。 通孔由此通过模体延伸通过并通过模制被完全封闭,以使成型体和所述通孔形成承载部件以机械方式产生的永久相干载波。 此外,提供一种装置,通过这样的方法,其中,所述第一连接层具有在接合面具有比通过所述第一和所述第一连接层和在横向的第一经由第一接触相等或更大的横向横截面,其在特定的生产 方向全部由成型涵盖。
    • 7. 发明申请
    • OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
    • 光电子半导体芯片及其制造方法光电子半导体芯片
    • WO2016202978A1
    • 2016-12-22
    • PCT/EP2016/064002
    • 2016-06-17
    • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
    • KASPRZAK-ZABLOCKA, AnnaPERZLMAIER, Korbinian
    • H01L33/38H01L23/00H01L33/48H01L23/31
    • H01L33/486H01L24/05H01L33/38H01L33/382H01L2224/05022H01L2224/05026H01L2933/0016
    • Optoelektronischer Halbleiterchip (100) mit einer Strahlungshauptseite (101), umfassend eine Halbleiterschichtenfolge (2), die zur Emission von Strahlung eingerichtet ist, und einen strukturierten Träger (1), der an der Strahlungshauptseite (101) abgewandten Seite des Halbleiterchips (100) angeordnet ist, wobei eine p-dotierte Halbleiterschicht (23) der Halbleiterschichtenfolge (2) mittels einer ersten Anschlussschicht (3) elektrisch kontaktiert ist und eine n-dotierte Halbleiterschicht (21) der Halbleiterschichtenfolge (2) mittels einer zweiten Anschlussschicht (4) elektrisch kontaktiert ist, und wobei die erste Anschlussschicht (3) mittels einer ersten Kontaktschicht (5) elektrisch kontaktiert ist und die zweite Anschlussschicht (4) mittels einer zweiten Kontaktschicht (6) elektrisch kontaktiert ist, wobei die erste Kontaktschicht (5) und die zweite Kontaktschicht (6) den strukturierten Träger (1) vollständig durchdringen und die erste Kontaktschicht (5) lateral beabstandet zur zweiten Kontaktschicht (6) angeordnet ist, und wobei der strukturierte Träger (1) ein stabilisierendes Material umfasst, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die einen Fotolack, ein anorganisch-organisches Hybridmaterial, ein spin-on Material, ein mittels Siebdruckverfahren aufgebrachtes Isolationsmaterial, und ein dielektrisches Material umfasst.
    • (1),(101)设置在具有辐射主侧(101),包括:半导体层序列(2),其适于辐射的发射的光电子半导体芯片(100),和一个结构化载体从辐射主侧背对半导体芯片(100)的侧 ,其中通过第一连接层(3)的装置中的半导体层序列(2)的p型掺杂的半导体层(23)电接触,并且通过第二连接层的装置中的半导体层序列(2)的n型掺杂半导体层(21)(4)被电接触 以及其中,由第一接触层(5)的装置中的第一连接层(3)电接触,并通过第二接触层的装置中的第二连接层(4)(6)被电与第一接触层接触(5)和所述第二接触层(6 )完全穿透该结构化载体(1)和所述第一接触层(5)横向地从所述ZW隔开 尼特接触层(6)布置,并且其中所述结构化载体(1)包括从由光致抗蚀剂组成的组中的稳定材料,无机 - 有机混合材料,旋涂材料,施加的丝网印刷法的绝缘材料, 和包括介电材料。
    • 8. 发明申请
    • OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL
    • OPTO电子元件
    • WO2016180851A1
    • 2016-11-17
    • PCT/EP2016/060499
    • 2016-05-11
    • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
    • HORN, MarkusHANEDER, StephanAUEN, Karsten
    • H01S5/022H01S5/00H01S5/024H01S5/40
    • H01S5/02216H01L2224/48091H01S5/005H01S5/02228H01S5/02276H01S5/02292H01S5/02296H01S5/02469H01S5/4056H01S5/4093H01L2924/00014
    • Optoelektronisches Bauteil Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil (101), umfassend: - ein Gehäuse (103) mit einem Träger (105), - wobei der Träger eine erste Oberfläche (107) und eine der ersten Oberfläche gegenüberliegende zweite Oberfläche (109) aufweist, - wobei der Träger einen ersten Durchbruch (111) und einen zweiten Durchbruch (113) umfasst, der von der ersten Oberfläche zur zweiten Oberfläche verlaufend gebildet ist, - wobei durch den ersten Durchbruch (111) ein erster elektrischer Anschlussleiter (115) z.B. aus Kupfer geführt ist und im zweiten Durchbruch (113) ein zweiter Anschlussleiter (117), - wobei der erste Anschlussleiter (111) eine Montagefläche (119) aufweist, - auf der eine Laserdiode (121) angeordnet ist, so dass die Laserdiode elektrisch mit dem ersten Anschlussleiter (115) verbunden ist, - wobei der Träger (105) eine Keramik umfasst, und der Träger kann eine geneigte Seite (129) zur Umlenkung des Laserstrahls (127) aufweisen und das Gehäuse (103) kann durch ein Fenster (135) abgeschlossen sein.
    • 光电子器件本发明涉及一种光电子器件(101),包括: - 具有载体(105),壳体(103) - ,其中所述载体具有第一表面(107)和相对的第二表面(109)的第一表面中的一个, - 其中,所述支撑件包括第一开口(111)和延伸从第一表面到第二表面上形成的第二孔(113), - 其中,通过所述第一开口(111),第一电连接导体(115),例如 是出铜和所述第二开口(113),第二连接导体(117),的 - 其中所述第一连接导体(111)具有安装面(119), - 在其上布置的激光二极管(121),从而使激光二极管电连接 被连接到第1端子导体(115), - 其中所述载体(105)包括陶瓷,和载体可以是一倾斜的侧面(129),用于偏转激光束(127),并且所述壳体(103)可以(通过一个窗口135 )交易。
    • 9. 发明申请
    • BAUELEMENT MIT ERHÖHTER EFFIZIENZ UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
    • 提高效率的组分及其生产方法
    • WO2017198776A1
    • 2017-11-23
    • PCT/EP2017/062000
    • 2017-05-18
    • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
    • LEHNHARDT, ThomasBERGBAUER, WernerOFF, JürgenLAHOURCADE, LiseDRECHSEL, Philipp
    • H01L33/02H01L33/06H01L33/14H01L33/32H01L33/00H01L33/04H01L33/24
    • Es wird ein Bauelement (10) mit einer Halbleiterschichtenfolge (20) aufweisend eine p-leitende Halbleiterschicht (1), eine n-leitende Halbleiterschicht (2) und eine dazwischenliegende aktive Zone (3), wobei: - im Bereich der aktiven Zone, seitens der p-leitenden Halbleiterschicht, Vertiefungen (4) gebildet sind, die jeweils zu einer Hauptfläche (30) der aktiven Zone schräg verlaufende Facetten (41) aufweisen, wobei sich die p-leitende Halbleiterschicht in die Vertiefungen hinein erstreckt, - das Bauelement eine Barrierestruktur (5) aufweist, wobei die aktive Zone zwischen der Barrierestruktur und der n-leitenden Halbleiterschicht angeordnet ist, und - das Bauelement hinsichtlich der p-leitenden Halbleiterschicht und der Barrierestruktur derart ausgeführt ist, dass im Betrieb des Bauelements eine Injektion positiv geladener Ladungsträger über die Hauptfläche in die aktive Zone gezielt erschwert ist, wodurch eine Injektion positiv geladener Ladungsträger über die Facetten in die aktive Zone begünstigt ist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Bauelements angegeben.
    • 这是具有包括p型半导体层(1),n型半导体层的半导体层序列(20)的装置(10),(2)和插入的有源区(3),其特征在于: - 被形成在有源区中,所述p型半导体层的一部分,凹部(4)分别到一个主试BEAR具有延伸克刻面(41),其中所述p型区域;在所述有源区SCHR&AUML的表面(30) 半导体层延伸到所述凹部, - 该装置包括一个阻挡结构(5),其中所述阻挡结构和所述n型半导体层之间的有源区域布置,以及 - 相对于所述p型半导体层和势垒结构,以便执行导航使用HRT组件 在装置的操作中,在主表面上将带正电的电荷载体注入有源区尤其困难,由此注入带正电荷的电荷 撞击到活动区的各个面上。 此外,还规定了生产这种装置的方法。