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    • 9. 发明申请
    • HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINEN SIC-VOLUMENEINKRISTALL HOMOGENER SCHRAUBENVERSETZUNGSVERTEILUNG UND SIC-SUBSTRAT
    • WO2022194975A1
    • 2022-09-22
    • PCT/EP2022/056909
    • 2022-03-17
    • SICRYSTAL GMBH
    • ECKER, BernhardMÜLLER, RalfSTOCKMEIER, MatthiasVOGEL, MichaelWEBER, Arnd-Dietrich
    • C30B23/02C30B29/36
    • Das Verfahren ist zur Herstellung mindestens eines SiC-Volumeneinkristalls (2) mittels einer Sublimationszüchtung bestimmt. Vor Züchtungsbeginn wird in einem Kristallwachstumsbereich eines Züchtungstiegels ein SiC-Keimkristall (8) mit einer Wachstumsoberfläche (18) angeordnet und in einen SiC-Vorratsbereich des Züchtungstiegels SiC-Quellmaterial eingebracht. Während der Züchtung wird bei einer Züchtungstemperatur von bis zu 2400°C und einem Züchtungsdruck zwischen 0,1 mbar und 100 mbar mittels Sublimation des SiC-Quellmaterials und mittels Transport der sublimierten gasförmigen Komponenten in den Kristallwachstumsbereich dort eine SiC-Wachstumsgasphase erzeugt, in der mittels Abscheidung aus der SiC-Wachstumsgasphase auf dem SiC-Keimkristall (8) ein SiC- Volumeneinkristall (2) aufwächst. Vor Züchtungsbeginn wird der SiC- Keimkristall (8) an der Wachstumsoberfläche (18) auf das Vorhandensein von Keim-Schraubenversetzungen (20) untersucht, wobei die Wachstumsoberfläche (18) in Keimsegmente aufgeteilt wird und für jedes Keimsegment eine zugehörige lokale Schraubenversetzungs-Keimsegmentdichte ermittelt wird, und bearbeitet, so dass in jedem Keimsegment, dessen lokale Schraubenversetzungs-Keimsegmentdichte um mindestens einen Faktor von 1,5 bis 4 über einer für die gesamte Wachstumsoberfläche (18) ermittelten Schraubenversetzungs-Keimgesamtdichte liegt, Nukleationszentren (22) generiert werden, wobei die Nukleationszentren (22) während der danach durchgeführten Züchtung Ausgangspunkte für jeweils mindestens eine Kompensations- Schraubenversetzung sind.