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1. 发明专利

TWI300593B 切割晶圓之方法 METHOD OF SEGMENTING WAFER 失效
简体标题：切割晶圆之方法 METHOD OF SEGMENTING WAFER
公开(公告)号：TWI300593B
公开(公告)日：2008-09-01
申请号：TW095104121
申请日：2006-02-07
申请人：探微科技股份有限公司 TOUCH MICRO-SYSTEM TECHNOLOGY INC.
发明人：楊辰雄 YANG, CHEN-HSIUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/78 , B81C1/00888 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336
摘要：提供一晶圓,並於該晶圓之正面形成一正面切割道圖案。接著於該晶圓之背面形成一對應於該正面切割道圖案之背面切割道圖案。隨後將該晶圓貼附於一可擴張膜上,並進行一裂片製程,利用拉撐該可擴張膜以使該晶圓斷裂而形成複數個晶粒。
简体摘要：提供一晶圆,并于该晶圆之正面形成一正面切割道图案。接着于该晶圆之背面形成一对应于该正面切割道图案之背面切割道图案。随后将该晶圆贴附于一可扩张膜上,并进行一裂片制程,利用拉撑该可扩张膜以使该晶圆断裂而形成复数个晶粒。

2. 发明专利

TW200832664A 用於連結複數個晶片之微晶片連接器及其製作方法 INTERPOSER FOR CONNECTING A PLURALITY OF CHIPS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 失效
简体标题：用于链接复数个芯片之微芯片连接器及其制作方法 INTERPOSER FOR CONNECTING A PLURALITY OF CHIPS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200832664A
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW096103230
申请日：2007-01-29
申请人：探微科技股份有限公司 TOUCH MICRO-SYSTEM TECHNOLOGY INC.
发明人：黃冠瑞 HUANG, KUAN JUI , 王章平 WANG, CHANG PING , 李修明 LI, HSIU MING , 黃世民 HUANG, SHIH MIN , 郭惠真 KUO, HUI CHEN , 陳嘉俊 CHEN, CHIA CHUN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/4846 , H01L21/486 , H01L21/6835 , H01L23/15 , H01L2224/14 , H01L2224/16237 , H01L2224/48137 , H01L2224/4823 , H01L2224/49109 , H01L2225/06517 , H01L2225/06572 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165
摘要：一種用於連結複數個晶片之微晶片連接器,係包含一連結基板以及至少一連通導線設於該連結基板之中,該連結基板具有一第一表面以及一第二表面,彼此經由該連通導線電連接,且該第一表面與第二表面上各有至少一第一晶片或第二晶片與之電連接,同樣藉由該連通導線傳遞訊號。
简体摘要：一种用于链接复数个芯片之微芯片连接器,系包含一链接基板以及至少一连通导线设于该链接基板之中,该链接基板具有一第一表面以及一第二表面,彼此经由该连通导线电连接,且该第一表面与第二表面上各有至少一第一芯片或第二芯片与之电连接,同样借由该连通导线传递信号。

3. 发明专利

TW200807526A 維持晶粒間距之晶圓切割方法 METHOD OF WAFER SEGMENTING 审中-公开
简体标题：维持晶粒间距之晶圆切割方法 METHOD OF WAFER SEGMENTING
公开(公告)号：TW200807526A
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：TW095127509
申请日：2006-07-27
申请人：探微科技股份有限公司 TOUCH MICRO-SYSTEM TECHNOLOGY INC.
发明人：王順達 WANG, SHUN TA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L22/14 , B81C1/00888 , B81C99/004 , H01L21/78
摘要：一種維持晶粒間距之晶圓切割方法。首先提供一元件晶圓,該元件晶圓之一上表面設有複數個元件,接著在該元件晶圓之該上表面形成一保護層覆蓋該等元件,然後將該元件晶圓之一下表面貼附至一第一黏著層。另提供一承載晶圓,並利用一第二黏著層接合該第一黏著層與該承載晶圓,隨即進行一切割製程,切割該元件晶圓以形成複數個晶粒,各晶粒間仍保有未切割前的間距,之後去除該保護層,使該等元件暴露並進行一晶圓級測試,最後去除該第二黏著層與該承載晶圓。由於本發明採用晶圓級的測試方法,特別適用於批量生產,以提高產能。
简体摘要：一种维持晶粒间距之晶圆切割方法。首先提供一组件晶圆,该组件晶圆之一上表面设有复数个组件,接着在该组件晶圆之该上表面形成一保护层覆盖该等组件,然后将该组件晶圆之一下表面贴附至一第一黏着层。另提供一承载晶圆,并利用一第二黏着层接合该第一黏着层与该承载晶圆,随即进行一切割制程,切割该组件晶圆以形成复数个晶粒,各晶粒间仍保有未切割前的间距,之后去除该保护层,使该等组件暴露并进行一晶圆级测试,最后去除该第二黏着层与该承载晶圆。由于本发明采用晶圆级的测试方法,特别适用于批量生产,以提高产能。

4. 发明专利

TW200806567A 深蝕刻方法 METHOD OF DEEP ETCHING 审中-公开
简体标题：深蚀刻方法 METHOD OF DEEP ETCHING
公开(公告)号：TW200806567A
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：TW095127293
申请日：2006-07-26
申请人：探微科技股份有限公司 TOUCH MICRO-SYSTEM TECHNOLOGY INC.
发明人：蔡德耕 TSAI, TE KENG
IPC分类号： B81B , H01L
CPC分类号： B81C1/00571 , B81C2201/0132 , H01L21/30655
摘要：一種深蝕刻的方法,首先提供一晶圓,並於該晶圓之一表面形成一遮罩圖案層,該遮罩圖案層具有至少一開口曝露該晶圓之該表面;接著進行一沉積製程,於該遮罩圖案上和部分該晶圓之該表面形成一聚合物層;隨即進行一電漿蝕刻製程,移除前一步驟所形成之聚合物層,並藉由該開口蝕刻該晶圓以形成一流道,且該電漿蝕刻製程中將形成一氧化物於該流道之一側壁;重覆該沉積製程與該電漿蝕刻製程直到該流道具有一預定的深寬比為止,因此本發明之深蝕刻方法可有效地進行非等向性蝕刻,並形成具有親水性側壁的流道。
简体摘要：一种深蚀刻的方法,首先提供一晶圆,并于该晶圆之一表面形成一遮罩图案层,该遮罩图案层具有至少一开口曝露该晶圆之该表面;接着进行一沉积制程,于该遮罩图案上和部分该晶圆之该表面形成一聚合物层;随即进行一等离子蚀刻制程,移除前一步骤所形成之聚合物层,并借由该开口蚀刻该晶圆以形成一流道,且该等离子蚀刻制程中将形成一氧化物于该流道之一侧壁;重复该沉积制程与该等离子蚀刻制程直到该流道具有一预定的深宽比为止,因此本发明之深蚀刻方法可有效地进行非等向性蚀刻,并形成具有亲水性侧壁的流道。

5. 发明专利

TW200743146A 薄化晶圓之方法 METHOD OF THINNING A WAFER 审中-公开
简体标题：薄化晶圆之方法 METHOD OF THINNING A WAFER
公开(公告)号：TW200743146A
公开(公告)日：2007-11-16
申请号：TW095115615
申请日：2006-05-02
申请人：探微科技股份有限公司 TOUCH MICRO-SYSTEM TECHNOLOGY INC.
发明人：郭治平 KUO, CHIH-PING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/78
摘要：一種薄化晶圓之方法。首先,提供一晶圓。接著利用一黏著層將該晶圓之一正面接合於一承載晶圓上,該黏著層包含有一熱釋放膠帶或一紫外線膠帶。隨後進行一薄化製程,由該晶圓之一背面薄化該晶圓。
简体摘要：一种薄化晶圆之方法。首先,提供一晶圆。接着利用一黏着层将该晶圆之一正面接合于一承载晶圆上,该黏着层包含有一热释放胶带或一紫外线胶带。随后进行一薄化制程,由该晶圆之一背面薄化该晶圆。

6. 发明专利

TWI289879B 製作壓力感測器之方法 METHOD OF FABRICATING PRESSURE SENSOR 有权
简体标题：制作压力传感器之方法 METHOD OF FABRICATING PRESSURE SENSOR
公开(公告)号：TWI289879B
公开(公告)日：2007-11-11
申请号：TW094134230
申请日：2005-09-30
申请人：探微科技股份有限公司 TOUCH MICRO-SYSTEM TECHNOLOGY INC.
发明人：邵世豐 SHAO, SHIH FENG , 楊辰雄 YANG, CHEN HSIUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01L9/0054
摘要：一種製作壓力感測器之方法。提供一矽覆絕緣晶圓，其包含有一單晶矽層、一絕緣層與一矽底材層，且單晶矽層包含有一壓力感測元件。去除對應於壓力感測元件之矽底材層與絕緣層，以形成一腔體。提供一接合基底，並利用一接合層接合矽底材層與接合基底。
简体摘要：一种制作压力传感器之方法。提供一硅覆绝缘晶圆，其包含有一单晶硅层、一绝缘层与一硅底材层，且单晶硅层包含有一压力传感组件。去除对应于压力传感组件之硅底材层与绝缘层，以形成一腔体。提供一接合基底，并利用一接合层接合硅底材层与接合基底。

7. 发明专利

TW200741840A 具有不對稱晶邊輪廓之晶圓及其製作方法 WAFER HAVING AN ASYMMETRIC EDGE PROFILE AND METHOD OF MAKING THE SAME 失效
简体标题：具有不对称晶边轮廓之晶圆及其制作方法 WAFER HAVING AN ASYMMETRIC EDGE PROFILE AND METHOD OF MAKING THE SAME
公开(公告)号：TW200741840A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW095114099
申请日：2006-04-20
申请人：探微科技股份有限公司 TOUCH MICRO-SYSTEM TECHNOLOGY INC.
发明人：郭治平 KUO, CHIH-PING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02021 , H01L23/544 , H01L29/0657 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , Y10T428/219 , H01L2924/00
摘要：一種具有不對稱晶邊輪廓之晶圓,其包含有一碟狀主體。上述碟狀主體包含有一第一主表面、一第二主表面平行於該第一主表面,以及一邊緣區域。該第一主表面與該第二主表面之間定義出一中心線,該邊緣區域具有一晶邊輪廓,且該晶邊輪廓不對稱於該第一主表面與該第二主表面之該中心線。
简体摘要：一种具有不对称晶边轮廓之晶圆,其包含有一碟状主体。上述碟状主体包含有一第一主表面、一第二主表面平行于该第一主表面,以及一边缘区域。该第一主表面与该第二主表面之间定义出一中心线,该边缘区域具有一晶边轮廓,且该晶边轮廓不对称于该第一主表面与该第二主表面之该中心线。

8. 发明专利

TW200727418A 晶圓級封裝與製作上蓋結構之方法 METHOD FOR WAFER LEVEL PACKAGE AND FABRICATING CAP STRUCTURES 失效
简体标题：晶圆级封装与制作上盖结构之方法 METHOD FOR WAFER LEVEL PACKAGE AND FABRICATING CAP STRUCTURES
公开(公告)号：TW200727418A
公开(公告)日：2007-07-16
申请号：TW095101278
申请日：2006-01-12
申请人：探微科技股份有限公司 TOUCH MICRO-SYSTEM TECHNOLOGY INC.
发明人：邵世豐 SHAO, SHIH-FENG , 邱銘彥 CHIU, MING-YEN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/04 , B81B7/0041 , B81B2201/047 , H01L21/4817 , H01L2924/0002 , H01L2924/16235 , H01L2924/00
摘要：於一上蓋晶圓之一表面形成複數個凹穴與一圖案化光阻,蝕刻未被該圖案化光阻覆蓋之該上蓋晶圓以形成複數個孔洞。接合該上蓋晶圓具有該等凹穴之表面與一透明晶圓,並切割該凹穴周圍之該上蓋晶圓,以形成複數個上蓋結構。提供一元件晶圓,氣密接合該等上蓋結構與該元件晶圓,以於該元件晶圓上形成複數個氣密視窗。
简体摘要：于一上盖晶圆之一表面形成复数个凹穴与一图案化光阻,蚀刻未被该图案化光阻覆盖之该上盖晶圆以形成复数个孔洞。接合该上盖晶圆具有该等凹穴之表面与一透明晶圆,并切割该凹穴周围之该上盖晶圆,以形成复数个上盖结构。提供一组件晶圆,气密接合该等上盖结构与该组件晶圆,以于该组件晶圆上形成复数个气密窗口。

9. 发明专利

TWI282587B 進行雙面製程之方法 METHOD OF PERFORMING DOUBLE-SIDED PROCESS 失效
简体标题：进行双面制程之方法 METHOD OF PERFORMING DOUBLE-SIDED PROCESS
公开(公告)号：TWI282587B
公开(公告)日：2007-06-11
申请号：TW094139788
申请日：2005-11-11
申请人：探微科技股份有限公司 TOUCH MICRO-SYSTEM TECHNOLOGY INC.
发明人：楊辰雄 YANG, CHEN HSIUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/2007 , B81B2203/0127 , B81C1/00603 , B81C2201/019
摘要：首先，提供一晶圓，且該晶圓之正面包含有一結構圖案。接著於該結構圖案上定義出複數條正面切割道，再於該等正面切割道內填入一填充層。隨後利用一黏著層將該結構圖案與一承載晶圓接合，並於該晶圓之背面定義出複數條背面切割道。最後移除該等正面切割道內之該填充層。
简体摘要：首先，提供一晶圆，且该晶圆之正面包含有一结构图案。接着于该结构图案上定义出复数条正面切割道，再于该等正面切割道内填入一填充层。随后利用一黏着层将该结构图案与一承载晶圆接合，并于该晶圆之背面定义出复数条背面切割道。最后移除该等正面切割道内之该填充层。

10. 发明专利

TWI279843B 製作微型麥克風元件以及其熱氧化層與低應力結構層之方法 METHOD OF FABRICATING MICROPHONE DEVICE AND THERMAL OXIDE LAYER AND LOW-STRESS STRUCTURAL LAYER THEREOF 失效
简体标题：制作微型麦克风组件以及其热氧化层与低应力结构层之方法 METHOD OF FABRICATING MICROPHONE DEVICE AND THERMAL OXIDE LAYER AND LOW-STRESS STRUCTURAL LAYER THEREOF
公开(公告)号：TWI279843B
公开(公告)日：2007-04-21
申请号：TW094132649
申请日：2005-09-21
申请人：探微科技股份有限公司 TOUCH MICRO-SYSTEM TECHNOLOGY INC.
发明人：林弘毅 LIN, HUNG YI , 周堯天 CHOW, YAO TIAN , 劉娉婷 LIU, PIN TING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B2201/0257 , H04R19/04 , H04R31/00
摘要：提供一基底，並於基底之正面形成複數個溝渠。接著於溝渠之內壁與基底之正面形成一熱氧化層並填滿溝渠。之後於熱氧化層上形成一第一結構層，且於第一結構層中植入摻質，再於第一結構層上形成一第二結構層，並進行一回火製程，以降低第一結構層與第二結構層之應力。隨後定義第一結構層與第二結構層之圖案，以形成複數個隔膜。最後將第二結構層固定於一承載基底上，並利用深蝕刻技術於基底之背面形成複數個對應隔膜之腔體，且腔體具有垂直之側壁，並曝露出部分第一結構層。
简体摘要：提供一基底，并于基底之正面形成复数个沟渠。接着于沟渠之内壁与基底之正面形成一热氧化层并填满沟渠。之后于热氧化层上形成一第一结构层，且于第一结构层中植入掺质，再于第一结构层上形成一第二结构层，并进行一回火制程，以降低第一结构层与第二结构层之应力。随后定义第一结构层与第二结构层之图案，以形成复数个隔膜。最后将第二结构层固定于一承载基底上，并利用深蚀刻技术于基底之背面形成复数个对应隔膜之腔体，且腔体具有垂直之侧壁，并曝露出部分第一结构层。

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