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1. 发明专利

JP2008260073A Arrangement method of microstructure, substrate with microstructure arranged, integrated circuit device and display element 有权
标题翻译：微结构布置方法，微结构布置的基板，集成电路装置和显示元件
公开(公告)号：JP2008260073A
公开(公告)日：2008-10-30
申请号：JP2007102848
申请日：2007-04-10
申请人： Nanosys Inc , Sharp Corp , シャープ株式会社 , ナノシス・インコーポレイテッドNanosys, Inc.
发明人： SHIBATA AKIHIDE , WAKAZONO YASUNOBU
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00 , H01J9/02 , H01J31/12 , H01L29/06 , H01L29/786
CPC分类号： C25D13/02 , C25D13/18 , H01L21/76838 , H01L23/544 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/78696 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , H01L2924/19043 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To attain a method for arranging a microstructure at a desired place in a desired direction in order to arrange a microstructure such as a nano-structure, at high level. SOLUTION: The method includes: a substrate preparation step of preparing an insulating substrate on which three electrodes each imparting an independent potential are formed; a microstructure application step of applying a liquid containing a microstructure on the insulating substrate; and a microstructure arrangement step of applying voltages to the respective three electrodes to arrange the microstructure at a position regulated by the electrodes. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了获得在期望的方向上将微结构布置在期望的位置以便以高水平布置诸如纳米结构的微结构的方法。解决方案：该方法包括：制备绝缘基板的基板制备步骤，在其上形成各自赋予独立电位的三个电极; 显微组织施加步骤，将包含微结构的液体施加到所述绝缘基板上; 以及向相应的三个电极施加电压以将微结构布置在由电极调节的位置的微结构布置步骤。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JP2010262928A Catalyst layer used for membrane electrode assembly of fuel cell, membrane electrode assembly of fuel cell using the same, fuel cell, and method of manufacturing the same 有权
标题翻译：用于燃料电池的膜电极组件的催化剂层，使用其的燃料电池的膜电极组件，燃料电池及其制造方法
公开(公告)号：JP2010262928A
公开(公告)日：2010-11-18
申请号：JP2010105661
申请日：2010-04-30
申请人： Nanosys Inc , Sharp Corp , シャープ株式会社 , ナノシス・インコーポレイテッドNanosys, Inc.
发明人： MURAOKA MASAFUMI , SAITO KOTARO , MIZUHATA HIROTAKA , ONISHI TAKENORI , ZHU YIMIN , STEFAN IONEL C , QIAN BAIXIN , GOLDMAN JAY
IPC分类号： H01M4/86 , H01M4/88 , H01M8/10
CPC分类号： H01M4/9016 , H01M4/9075 , H01M4/9083 , H01M4/925 , H01M4/926 , H01M8/1004 , H01M8/1009 , H01M8/1011 , H01M8/1013 , Y02E60/522 , Y02E60/523 , Y02P70/56
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a catalyst layer which is compact and has suitable power generation characteristics, a membrane electrode assembly of a fuel cell, a fuel cell, and method of manufacturing the same. SOLUTION: The catalyst layer used for the membrane electrode assembly of the fuel cell includes a plurality of condensed bodies wherein adjacent condensed bodies come in contact with each other while having pores among them. Each of the plurality of condensed bodies is formed by gathering a plurality of catalysts carrying noble metal fine particles on a fibrous carrier while pores are prepared among mutually adjacent catalysts, and each of the plurality of catalysts comes in contact with the plurality of catalysts excluding the catalyst at a plurality of points. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种紧凑且具有合适的发电特性的催化剂层，燃料电池的膜电极组件，燃料电池及其制造方法。解决方案：用于燃料电池的膜电极组件的催化剂层包括多个冷凝体，其中相邻的冷凝体在它们之间具有孔隙时彼此接触。多个冷凝体中的每一个通过在载体上收集载有贵金属微粒的多个催化剂而形成，同时在相互相邻的催化剂之间制备孔，并且多个催化剂中的每一个与除了催化剂在多个点处。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JPWO2009101944A1 半導体素子及び微細構造体配置基板の製造方法並びに表示素子审中-公开
公开(公告)号：JPWO2009101944A1
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：JP2009553425
申请日：2009-02-10
申请人：シャープ株式会社 , ナノシス・インコーポレイテッドNanosys, Inc. , ナノシス・インコーポレイテッドNanosys, Inc.
发明人：恭伸岡田 , 恭伸岡田 , 柴田　晃秀 , 晃秀柴田 , 義晴中嶋 , 義晴中嶋 , 岩田　浩 , 浩岩田 , 愛内藤 , 愛内藤 , 高藤　裕 , 裕高藤 , 哲根岸 , 哲根岸
IPC分类号： H01L29/06 , B82B1/00 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/283 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/78696 , H01L51/0012 , H01L51/0545
摘要：微細構造体を電圧印加が可能な電極の形成方向に対する垂直方向を基準として、それぞれ±5度以内に、略等間隔に配置させ、この微細構造体を用いて半導体素子を形成する。絶縁基板に、少なくとも2つの電極を所定の間隔を開けて配置し、前記2つの電極を単位とする微細構造体配置領域を1または複数形成する。前記2つの電極に両端が接触し、前記電極の形成方向に対して垂直方向を基準として、±5度以内に配置した長手方向の長さがナノオーダーからミクロンオーダーの大きさを有する複数の微細構造体に、半導体素子電極を接触させる。

4. 发明专利

JP2011101047A Large-area nanoenabled macroelectronic substrate, and use therefor 审中-公开
标题翻译：大面积纳米大电子基板及其应用
公开(公告)号：JP2011101047A
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：JP2011015801
申请日：2011-01-27
申请人： Nanosys Inc , ナノシス・インコーポレイテッドNanosys, Inc.
发明人： DUAN XIANGFENG , NIU CHUNMING , EMPEDOCLES STEPHEN , ROMANO LINDA T , CHEN JIAN , SAHI VIJENDRA , BOCK LAWRENCE , STUMBO DAVID , PARCE J WALLACE , GOLDMAN JAY L
IPC分类号： H01L29/06 , B82B1/00 , C01B31/02 , H01L21/00 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L29/737 , H01L29/786 , H01L29/861 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/26 , H01L35/34 , H01L41/18 , H01L41/193 , H01L41/22 , H01L41/24 , H01L51/00 , H01L51/05 , H03H11/20
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , H01F1/0072 , H01L27/1214 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/78696 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L35/26 , H01L35/32 , H01L41/082 , H01L41/18 , H01L41/316 , H01L51/0012 , H01L51/0048 , H01L51/0504 , H01L51/0508 , H01L51/0545 , H01L51/0595 , Y02E10/549
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and apparatus for obtaining an electronic substrate including a plurality of semiconductor devices. SOLUTION: A thin film of nanowires is formed on a substrate. The thin film of nanowires is formed to have a sufficient density of nanowires to achieve an operational current level. A plurality of semiconductor regions are defined in the thin film of nanowires. Contacts are formed in the semiconductor device regions to thereby provide electrical connectivity to the plurality of semiconductor devices. Furthermore, various materials for fabricating nanowires, thin films including p-type doping nanowires and n-type doping nanowires, nanowire heterostructures, light emitting nanowire heterostructures, flow masks for arranging nanowires on substrates, nanowire spraying techniques for forming nanowires as a film, techniques for reducing or eliminating phonon scattering of electrons in nanowires, and techniques for reducing surface levels in nanowires are described. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供一种用于获得包括多个半导体器件的电子衬底的方法和装置。解决方案：在衬底上形成纳米线的薄膜。纳米线的薄膜形成为具有足够的纳米线密度以达到工作电流水平。在纳米线的薄膜中限定多个半导体区域。在半导体器件区域中形成触点，从而提供与多个半导体器件的电连接。此外，用于制造纳米线的各种材料，包括p型掺杂纳米线和n型掺杂纳米线的薄膜，纳米线异质结构，发光纳米线异质结构，用于在衬底上排列纳米线的流动掩模，用于形成纳米线作为膜的纳米线喷涂技术用于减少或消除纳米线中的电子的声子散射，并且描述了用于降低纳米线中的表面水平的技术。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2015046600A 大面積ナノ可能マクロエレクトロニクス基板およびその使用有权
标题翻译：大面积纳米大地电子基板及其应用
公开(公告)号：JP2015046600A
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：JP2014184819
申请日：2014-09-11
申请人：ナノシス・インク. , Nanosys Inc
发明人： DUAN XIANGFENG , NIU CHUNMING , EMPEDOCLES STEPHEN , ROMANO LINDA T , CHEN JIAN , SAHI VIJENDRA , BOCK LAWRENCE , STUMBO DAVID , PARCE J WALLACE , GOLDMAN JAY L
IPC分类号： H01L29/06 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/02 , H01L21/00 , H01L21/28 , H01L21/322 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L29/737 , H01L29/786 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872 , H01L31/0352 , H01L33/20 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L51/00 , H01L51/05 , H03H11/20
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , H01F1/0072 , H01L27/1214 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/78696 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L35/26 , H01L35/32 , H01L41/082 , H01L41/18 , H01L41/316 , H01L51/0012 , H01L51/0048 , H01L51/0504 , H01L51/0508 , H01L51/0545 , H01L51/0595 , Y02E10/549
摘要：【課題】複数の半導体デバイスを有する電子的な基板を得るための方法および装置を提供する。【解決手段】ナノワイヤ薄膜を、基板上に形成する。ナノワイヤ薄膜は、動作電流レベルを達成するのに十分なナノワイヤの密度を有するように形成する。複数の半導体領域を、ナノワイヤ薄膜に画定する。コンタクトを、半導体デバイス領域において形成し、それによって、電気的な接続を複数の半導体デバイスに提供する。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于获得包括多个半导体器件的电子衬底的方法和设备。解决方案：在衬底上形成纳米线薄膜。纳米线的薄膜形成为具有足够的纳米线密度以达到工作电流水平。在纳米线的薄膜中限定多个半导体区域。在半导体器件区域中形成触点，从而提供与多个半导体器件的电连接。

6. 发明专利

JP4669784B2 Integrated displays using nanowire transistors 有权
公开(公告)号：JP4669784B2
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：JP2005500327
申请日：2003-09-30
申请人：ナノシス・インコーポレイテッドNanosys, Inc.
发明人：スティーブンエンペドクレス， , デービッドスタンボ，
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/133 , G02F1/1343 , G02F1/1345 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G09F9/30 , G09G3/20 , H01L21/77 , H01L27/28 , H01L27/32 , H01L29/06 , H01L51/00 , H01L51/05 , H01L51/50
CPC分类号： G09G3/20 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , G02F1/13454 , G02F2202/36 , G09G3/3648 , G09G2300/08 , G11C13/025 , H01L27/1214 , H01L27/283 , H01L27/3262 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L51/0048 , H01L51/0512
摘要： The present invention is directed to a display using nanowire transistors. In particular, a liquid crystal display using nanowire pixel transistors, nanowire row transistors, nanowire column transistors and nanowire edge electronics is described. A nanowire pixel transistor is used to control the voltage applied across a pixel containing liquid crystals. A pair of nanowire row transistors is used to turn nanowire pixel transistors that are located along a row trace connected to the pair of nanowire row transistors on and off. Nanowire column transistors are used to apply a voltage across nanowire pixel transistors that are located along a column trace connected to a nanowire column transistor. Displays including organic light emitting diodes (OLED) displays, nanotube field effect displays, plasma displays, micromirror displays, micoelectromechanical (MEMs) displays, electrochromic displays and electrophoretic displays using nanowire transistors are also provided.

7. 发明专利

JP2009524567A Nanowire structure containing carbon 有权
公开(公告)号：JP2009524567A
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：JP2008541404
申请日：2006-11-20
申请人：ナノシス・インコーポレイテッドNanosys, Inc.
发明人：チョンミンニウ，
IPC分类号： C01B31/02 , B01J23/42 , B01J23/46 , B01J23/52 , B01J32/00 , B01J35/02 , B82B1/00 , B82B3/00 , C01B31/36 , C01B33/02 , H01B1/04 , H01G9/058 , H01M4/583 , H01M4/86 , H01M4/96 , H01M8/10
CPC分类号： H01M4/92 , B82Y30/00 , H01G11/36 , H01M4/583 , H01M4/8605 , H01M4/8657 , H01M4/8807 , H01M8/1007 , H01M10/52 , Y02E60/13 , Y02P70/56
摘要：本発明は、ナノワイヤ構造およびかかる構造を含む相互接続型ナノワイヤネットワーク、ならびにその作製方法に関する。ナノワイヤ構造は、ナノワイヤコア、炭素主体層を備え、さらなる実施形態では炭素主体構造を、例えば、ナノワイヤコア上に形成され、該ネットワーク内のナノワイヤ構造を相互接続するグラフェンからなるナノグラファイト板を備える。該ネットワークは、膜または粒子に形成され得る多孔質構造である。ナノワイヤ構造およびこれを用いて形成されるネットワークは、触媒および電極適用用途、例えば燃料電池、ならびに電界放出デバイス、担持体基材およびクロマトグラフィー適用用途に有用である。

8. 发明专利

JP2008514000A Artificial dielectric with a nanostructure 审中-公开
公开(公告)号：JP2008514000A
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：JP2007532337
申请日：2005-08-16
申请人：ナノシス・インコーポレイテッドNanosys, Inc.
发明人：スティーブエンペドクレス， , デイビッドストゥンボ， , ジェイ．ウォーレスパース， , フランシスコレオン，
IPC分类号： H01G4/20 , C08K7/10 , C08L23/04 , C08L23/10 , H01B3/00 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G11C2213/16 , G11C2213/81 , H01L29/0673 , H01L29/4908 , H01L51/0537 , Y10S977/743 , Y10S977/745 , Y10S977/762 , Y10S977/813 , Y10S977/936
摘要：ナノワイヤーのようなナノ構造を使用した人工誘電体を開示する。いくつかの実施態様では、ナノロッド、ナノチューブ、ナノリボンなどのような他のナノ構造を使用した人工誘電体を開示する。人工誘電体は、誘電体材料内に埋め込まれた複数のナノワイヤー（または他のナノ構造）を有する誘電体材料を含む。ナノ構造を使用した人工誘電体によって、非常に高い誘電率を達成することができる。ナノ構造の長さ、直径、キャリア密度、形状、アスペクト比、配向性、および密度を変化させることによって、誘電率を調整することができる。加えて、制御可能な人工誘電体に電界を印加することによって、誘電率を動的に調整することができる、ナノワイヤーのようなナノ構造を使用した制御可能な人工誘電体を開示する。様々な電子デバイスが、ナノ構造を有する人工誘電体を使用して性能を向上させることができる。

9. 发明专利

JP2013235816A Artificial dielectrics with nanostructures 审中-公开
标题翻译：人造电子与纳米结构
公开(公告)号：JP2013235816A
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：JP2012260946
申请日：2012-11-29
申请人： Nanosys Inc , ナノシス・インク.
发明人： DAVID STUMBO , STEPHEN EMPEDOCLES , FRANCISCO LEON , J WALLACE PARCE
IPC分类号： H01B3/00 , H01G4/10 , H01G4/18
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G11C2213/16 , G11C2213/81 , H01L29/0673 , H01L29/4908 , H01L51/0537 , Y10S977/743 , Y10S977/745 , Y10S977/762 , Y10S977/813 , Y10S977/936
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide artificial dielectrics with nanostructures.SOLUTION: Artificial dielectrics using nanostructures, such as nanowires, are disclosed. In embodiments, artificial dielectrics using other nanostructures, such as nanorods, nanotubes, or nanoribbons and the like are disclosed. The artificial dielectric includes a dielectric material with a plurality of nanowires (or other nanostructures) embedded within the dielectric material. Very high dielectric constants can be achieved with an artificial dielectric using nanostructures. The dielectric constant can be adjusted by varying the length, diameter, carrier density, shape, aspect ratio, orientation, and density of the nanostructures. Additionally, a controllable artificial dielectric using nanostructures, such as nanowires, is disclosed in which the dielectric constant can be dynamically adjusted by applying an electric field to the controllable artificial dielectric. A wide range of electronic devices can use artificial dielectrics with nanostructures to improve performance.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有纳米结构的人造电介质。解决方案：公开了使用纳米结构的人造电介质，例如纳米线。在实施例中，公开了使用其他纳米结构的人造电介质，例如纳米棒，纳米管或纳米带等。人造电介质包括具有嵌入电介质材料内的多个纳米线（或其他纳米结构）的电介质材料。使用纳米结构的人造电介质可以实现非常高的介电常数。可以通过改变纳米结构的长度，直径，载流子密度，形状，纵横比，取向和密度来调节介电常数。此外，公开了使用纳米结构的可控人造电介质，例如纳米线，其中可以通过向可控人造电介质施加电场来动态地调整介电常数。各种电子器件可以使用具有纳米结构的人造电介质来提高性能。

10. 发明专利

JP2012187929A Substrates, and articles including silicon nanofibers 有权
标题翻译：基材和包含硅纳米纤维的文章
公开(公告)号：JP2012187929A
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：JP2012107611
申请日：2012-05-09
申请人： Nanosys Inc , ナノシス・インク.
发明人： DUBROW ROBERT , NIU CHUNMING
IPC分类号： B32B5/16 , B01D39/08 , B05D1/12 , D06M11/79 , H01L29/06 , H01L51/42
CPC分类号： B01D39/08 , B01D69/141 , B01D2239/0225 , B01D2239/0233 , B01D2239/0241 , B01D2239/025 , B01D2239/0428 , B01D2239/0492 , B01D2239/0613 , B01D2239/065 , B01D2239/1216 , B01D2323/283 , Y02E10/549 , Y10T428/249953 , Y10T428/24996 , Y10T442/30
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a porous nanofiber bearing substrate material that is helpful to electrical substrates, semipermeable membranes and barriers, structural lattices for tissue culturing and for composite materials, and the like.SOLUTION: Articles include: a plurality of openings that penetrate through the substrate, the entire surface of which includes an inner wall surface of the plurality of openings; and a plurality of nanofibers that are attached to at least part of the entire surface of the substrate.

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