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1. 发明专利

JP2017085072A 半導体プロセスモジュールからｉｎ−ｓｉｔｕで消耗部品を取り出して交換するためのシステム审中-公开
公开(公告)号：JP2017085072A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2016054583
申请日：2016-03-18
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , Lam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人： DAVID D TRUSSELL , ALAN J MILLER , JOHN DAUGHERTY , ALEX PATERSON
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： G05B19/418 , G05B19/41875 , G05B2219/32212 , G05B2219/45031 , G05B2219/50291 , H01L21/67167 , H01L21/6719
摘要：【課題】半導体ウエハの製造において、損傷された消耗部品の交換時間と、クラスタツールアセンブリを長時間オフラインにし、チャンバ内部が外気に曝される事で汚染されるリスクを低減する。【解決手段】クラスタツールアセンブリ100は、真空移送モジュール104と、プロセスモジュール112〜120を含み、交換ステーション108が結合される。プロセスモジュールは、プロセスモジュール内に装着された消耗部品を上昇位置に位置付けるリフト機構を含む。交換ステーションは、新しい消耗部品又は使用済み消耗部品を保持するための区画を備えた部品バッファを含み、交換ハンドラは、消耗部品のための交換部品を部品バッファからプロセスモジュールに提供するように構成される。交換ハンドラ及びプロセスモジュールによる交換は、プロセスモジュール及び交換ステーションが真空状態に維持されている間に行われる。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2015029132A 半導体材料処理装置用の低粒子性能を有するシャワーヘッド電極及びシャワーヘッド電極アセンブリ有权
标题翻译：具有半导体材料加工设备的低颗粒性能的淋浴电极和淋浴电极组件
公开(公告)号：JP2015029132A
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：JP2014202833
申请日：2014-10-01
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , Lam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人： FISCHER ANDREAS , RAJINDER DHINDSA
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574
摘要：【課題】半導体材料処理装置用の低粒子性能を有するシャワーヘッド電極及びシャワーヘッド電極アセンブリを提供する。【解決手段】シャワーヘッド電極24は、互いに接合された上部40及び底部電極42を備える。上部電極40は、1つ又は複数のプレナムを備える。底部電極42は、プラズマに曝される底面及びプレナムと流体連結する複数のガス孔を備える。上部プレート21から弾力的に吊り下げられているシャワーヘッド電極24を含むシャワーヘッド電極アセンブリ20は、シャワーヘッド電極温度を制御するためにシャワーヘッド電極24から空間的に隔てられて設置された温度制御要素と流体連結可能である。シャワーヘッド電極アセンブリ20を含むプラズマ処理チャンバ10内で基板32を処理する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为半导体材料加工设备提供具有低颗粒性能的喷头电极和喷头电极组件。解决方案：喷头电极24包括彼此接合的顶电极40和底电极42。顶部电极40包括一个或多个增压室。底部电极42包括等离子体暴露的底表面和与气室流体连通的多个气体孔。包括从顶板21挠曲地悬挂的喷头电极24的喷头电极组件20可以与空气上与喷头电极24分离的温度控制元件流体连通，以控制喷头电极温度。在包括喷头电极组件20的等离子体处理室10中处理衬底32。

3. 发明专利

JP2014209622A 半導体製造用の内部プラズマグリッドの適用审中-公开
标题翻译：内部等离子体网格应用于半导体制造
公开(公告)号：JP2014209622A
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：JP2014077139
申请日：2014-04-03
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , Lam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人： ALEX PATERSON , KIM DO-YEON , GOWRI KAMARTHY , HELENE DEL PUPPO , YU JEN-KAN , MONICA TITUS , RADHIKA MANI , NOEL YUI-SUNG , NICHOLAS GANI , KIMURA HIROE , TING-YING CHUNG
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/28 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/0273 , H01J37/321 , H01J37/32422 , H01L21/28123 , H01L21/3065 , H01L21/31138 , H01L21/32137 , H01L21/76224 , H01L29/66795
摘要：【課題】半導体基板をエッチングするための改良された方法および装置を提供する。【解決手段】内部プラズマグリッド150が、反応チャンバ内に位置決めされて、チャンバを上部サブチャンバ102と下部サブチャンバ103とに分割する。プラズマグリッドアセンブリは、特定のアスペクト比のスロットを有する1つまたは複数のプラズマグリッドを含むことがあり、これは、特定の種が、上部サブチャンバから下部サブチャンバに通過できるようにする。一部の場合には、上部サブチャンバ内で、電子イオンプラズマが発生する。グリッドを通して下部サブチャンバに電子イオンプラズマを進める電子は、通過中に冷却される。一部の場合には、これは、下部チャンバ内でイオン−イオンプラズマを生じる。様々なエッチングプロセスでイオン−イオンプラズマを有利に使用することができる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供改进的用于蚀刻半导体衬底的方法和装置。解决方案：内部等离子体栅格150位于反应室中，以将腔室分成上部子室102和下部子室103。等离子体栅格可以组合具有一个或多个具有特定纵横比的槽的等离子体栅格，其允许某些物质从上部子室通到下部子室。在一些情况下，在上部子室中产生电子 - 离子等离子体。使电子离子等离子体通过栅格到下部子室的电子在它们通过时被冷却。在某些情况下，这导致下室中的离子离子等离子体。离子离子等离子体可以有利地用于各种蚀刻工艺中。

4. 发明专利

JP2017092448A ウエハの極縁における特徴プロフィールの傾斜を改善するためのエッジリングアセンブリ审中-公开
公开(公告)号：JP2017092448A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2016159995
申请日：2016-08-17
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , Lam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人： WILLIAM FREDERICK BOSCH , RAJESH DORAI , TAMARAK PANDHUMSOPORN , BRETT C RICHARDSON , JAMES C VETTER , PATRICK CHUNG
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/6833 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32532 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01J2237/334
摘要：【課題】ウエハの極縁領域における特徴プロフィールの傾斜を低減するように構成されたエッジリングアセンブリを提供する。【解決手段】エッジリングアセンブリは、静電チャック(ESC)103を取り巻くように構成される上方エッジリングであって、ESCは、基板を支えるための上面と、該上面を取り巻く環状段差132とを有する。環状段差は、上面よりも低い環状棚を画定し、上方エッジリング402は、環状棚の上方に配置される、上方エッジリングと、環状段差の中で上方エッジリングの下方に配置され、環状棚の上に配置され、導電性材料で形成され、ESCから電気的に絶縁される下方内側エッジリング404と、下方内側エッジリングを取り巻き、環状段差の中で上方エッジリングの下方に配置され、環状棚の上に配置され、電気絶縁材料で形成される下方外側エッジリング408とを含む。【選択図】図4B

5. 发明专利

JP2017085088A 原子層堆積のための動的前駆体注入审中-公开
公开(公告)号：JP2017085088A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2016192428
申请日：2016-09-30
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , Lam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人： PURUSHOTTAM KUMAR , ADRIEN LAVOIE , QIAN JUN , KANG HU , ISHTAK KARIM , OU FUNG SUONG
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45527 , C23C16/45561 , C23C16/52 , H01L21/0228 , H01L21/0262 , H01L21/28556
摘要：【課題】原子層堆積に用いる前駆体の使用量を低減する方法を提供する。【解決手段】方法は、ガスラインを通じてガスを流すことと、注入工程の前にアンプル弁114/116を開放して、ガスラインを通るアンプルから処理チャンバへの前駆体の流れを開始することと、アンプル弁を閉鎖して前駆体がアンプル104から流出しないようにすることを含む。更に、注入工程の開始時に処理チャンバ弁122を開放して、前駆体の流れが処理チャンバ128に入るようにすることと、注入工程の終了時に処理チャンバ弁を閉鎖して、前駆体の流れが処理チャンバに入らないようにすること、とを含む。制御装置は、少なくとも1つのメモリおよび少なくとも1つのプロセッサを備える。少なくとも1つのメモリは、少なくとも1つのプロセッサが半導体処理装置において前駆体の流れを制御することを制御するための命令を格納する。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2015029097A 異なるサイズのフィーチャへのボイドフリータングステン充填审中-公开
标题翻译：在不同尺寸的特点无声免费TUNGSTEN FILL
公开(公告)号：JP2015029097A
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：JP2014150275
申请日：2014-07-24
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , Lam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人： ANAND CHANDRASHEKAR , RAASHINA HUMAYUN
IPC分类号： H01L21/768 , C23C16/14 , H01L21/8242 , H01L23/522 , H01L27/108
摘要：【課題】基板上の異なるサイズのフィーチャ内にタングステンを蒸着する方法を提供する。【解決手段】より小さく滑らかなタングステン粒子を大きいフィーチャ内に蒸着するために、第1のタングステンバルク層をフィーチャ内に蒸着し、蒸着されたタングステンをエッチングし、第2のバルクタングステンを蒸着し(より小さいフィーチャが完全に充填された後にタングステンを処理するために中断される)、処理後に第2のバルク層の蒸着を再開する。さらに、複数回の蒸着−エッチング−蒸着サイクルでタングステンを蒸着し(各サイクルは、同様のサイズのフィーチャのグループに特異的なエッチング剤を用いて、そのグループを標的とする)、最小サイズのフィーチャから最大サイズのフィーチャまでのグループに蒸着を行う。蒸着は、基板における幅広いサイズのフィーチャに対して、ボイドフリーの充填で、より小さく滑らかな粒子を生成する。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：提供在基底上沉积不同尺寸特征的钨的方法。解决方案：该方法包括在特征中沉积钨的第一体积层，蚀刻沉积的钨，沉积第二体钨，其被中断在较小的特征完全填充之后处理钨，并且在处理之后恢复第二体积层的沉积，以便将更小，更平滑的钨颗粒沉积到大的特征中。这些方法还涉及在沉积 - 蚀刻沉积的多个循环中沉积钨，其中每个循环使用特定于该组的蚀刻剂来定向一组相似大小的特征，并且从最小尺寸的特征到最大尺寸的特征以组的方式进行沉积。沉积产生更小，更光滑的颗粒，具有无孔填充物，用于基材中宽范围的尺寸特征。

7. 发明专利

JP2015019065A イオン加速器を備えるデュアルチャンバプラズマエッチング装置有权
标题翻译：双室等离子体加速器
公开(公告)号：JP2015019065A
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：JP2014138340
申请日：2014-07-04
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , Lam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人： JOYDEEP GUHA
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/32136 , C23F4/00 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32449 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138 , H01L21/32139 , H01L21/67069
摘要：【課題】イオン加速器を備えた半導体基板をエッチングするための方法及び装置を提供する。【解決手段】処理装置100は、グリッドアセンブリ107によって上側サブチャンバ101と下側サブチャンバ103とに分割される。プラズマは、上側サブチャンバ内で発生され、基板113は、下側サブチャンバ内に位置決めされる。グリッドアセンブリは、少なくとも2つのグリッド105、106を含み、各グリッドは、特定の種を通過させる穿孔を含む。最上部グリッド105は、電子を反発するように負にバイアスされる。最下部グリッド106は、上側サブチャンバから下側サブチャンバに正イオンを加速させるために、最上部グリッドに比べてさらに大きな負の値にバイアスされる。エッチングガスは、下側サブチャンバに直接供給される。エッチングガスおよびイオンは、基板の表面と反応して、望み通りに基板をエッチングする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供用于蚀刻设置有离子加速器的半导体衬底的方法和设备。解决方案：处理设备100通过栅格组件107被分成上子室101和下子室103。等离子体在上部副室中产生，并且基板113位于下部副室中。网格组件包括至少两个栅格105,106，每个网格包括允许某些物种通过的穿孔。最上面的栅格105被负偏压以排斥电子。为了将正离子从上部子室加速到下部子室，最下面的栅格106与最上面的栅极相比进一步被负偏压。蚀刻气体直接供应到下部副室。蚀刻气体和离子与衬底的表面反应以根据需要蚀刻衬底。

8. 发明专利

JP2015015469A コンダクタンス制御を有する化学蒸着装置有权
标题翻译：具有导电控制的化学沉积装置
公开(公告)号：JP2015015469A
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：JP2014136530
申请日：2014-07-02
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , Lam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人： RAMESH CHANDRASEKHARAN , KARL LEESER , CHUNGUANG XIA , JEREMY TUCKER
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/45523 , C23C16/45525 , C23C16/45527 , C23C16/45544 , C23C16/45565 , C23C16/50 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/67017
摘要：【課題】排気コンダクタンス制御による処理ガス量の削減、所与の時間枠内に処理されるウエハ数が改善され化学蒸着装置を提供する。【解決手段】フェースプレート136およびバッキングプレート139を有すると共に、リアクタ化学物質を空洞150に供給する複数の流入口138と、リアクタ化学物質を除去する排気流出口174とを備えたシャワーヘッドモジュール130と、基板を支持し、フェースプレートの外側部分との間の空洞を閉じるように垂直移動する台座モジュール140と、排気流出口を介して空洞に流体連通する少なくとも1つのコンダクタンス制御アセンブリとを備える装置100。少なくとも1つのコンダクタンス制御アセンブリは、ボールバルブアセンブリ、流体バルブ、磁気的に結合された回転プレート、および/または、リニアベースの磁気システムの内の1または複数から選択される。【選択図】図1A
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过排气导电控制减少处理气体量的化学沉积设备，并且改善在给定时间框架内处理的晶片数量。解决方案：设备100包括：喷头模块130，其具有面板136 和背板139，喷头模块包括多个入口138，其将反应器化学品输送到空腔150，排气出口174除去反应器化学品; 基座模块140，被配置为支撑基板并垂直移动以关闭基座模块和面板的外部之间的空腔; 以及至少一个电导控制组件，其经由所述排气口与所述空腔流体连通。所述至少一个电导控制组件选自以下中的一个或多个：球阀组件，流体阀，磁耦合旋转板和/或线性磁性系统。

9. 发明专利

JP2015010281A ガスシールを有する化学蒸着チャンバ审中-公开
标题翻译：具有气密封的化学沉积室
公开(公告)号：JP2015010281A
公开(公告)日：2015-01-19
申请号：JP2014132639
申请日：2014-06-27
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , Lam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人： RAMESH CHANDRASEKHARAN , SAANGRUT SANGPLUNG
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： H01L21/67017 , C23C16/4409 , C23C16/45519 , C23C16/45544 , H01L21/67126
摘要：【課題】化学蒸着装置内の処理領域をシールし半導体基板を処理するための空洞からリアクタ化学物質が漏れることを防止するシステム及び方法の提供。【解決手段】蒸着チャンバ120を内部に形成された化学的隔離チャンバ110と、フェースプレート136を有すると共に、半導体基板190を処理するための空洞150にリアクタ化学物質を供給する複数の流入口138と、リアクタ化学物質及び不活性ガスを空洞150から除去する排気流出口174と、不活性ガスを供給する外側プレナムとを備えたシャワーヘッドモジュール130と、台座モジュール140と、不活性シールガスを外側プレナムに供給する不活性シールガス供給部とを備え、不活性シールガスは、少なくとも部分的に狭いギャップを通して半径方向内向きに流れてガスシールを形成するシステム。【選択図】図1A
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于密封化学沉积设备中的处理区域的系统和方法，并且防止反应器化学物质从用于处理半导体衬底的腔体泄漏。解决方案：该系统包括：化学隔离室110具有形成在化学隔离室内的沉积室120; 具有面板136的喷头模块130，并且包括多个入口138，其将反应器化学物质输送到空腔150，用于处理从空腔150除去反应器化学物质和惰性气体的半导体衬底190和排气出口174，以及外部气室被配置成输送惰性气体; 基座模块140; 以及被配置为将惰性密封气体进料到外部增压室中的惰性密封气体进料。惰性密封气体至少部分地通过窄间隙径向向内流动以形成气体密封。

10. 发明专利

JP2015001523A フィールド対フィーチャのコントラストを用いたＴＳＶ浴評価审中-公开
标题翻译：使用现场特征对比的TSV浴评估
公开(公告)号：JP2015001523A
公开(公告)日：2015-01-05
申请号：JP2014115335
申请日：2014-06-04
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , Lam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人： LEE BROGAN , STEVEN T MAYER , MATTHEW THORUM , JOSEPH RICHARDSON , DAVID W PORTER , FU HAIYING
IPC分类号： G01N27/416 , G01N27/26 , G01N27/30
CPC分类号： C25D21/14 , B41C1/18 , C25D21/12 , G01N27/26 , G01N27/413 , G01N27/416 , H05K3/241
摘要：【課題】電気メッキ溶液が、所定の電気メッキ仕様を満たすことができるか否かを判定するための方法および装置を提供する。【解決手段】基板は半導体基板であり、フィーチャはシリコン貫通ビアである。概して、2つの実験が用いられ、第1の実験は、充填処理中に基板のフィールド領域に存在する条件をシミュレートし、第2の実験は、充填処理中に基板のフィーチャ内に存在する条件をシミュレートする。これらの実験からの出力を様々な技術と共に用いて、特定の浴がフィーチャの十分な充填を実現するか否かを予測できる。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供用于确定电镀溶液是否能够满足规定电镀规格的方法和装置。解决方案：衬底是半导体衬底，特征是穿硅通孔。通常，使用两个实验：第一实验模拟在填充过程期间在衬底的场区域中存在的条件，并且第二实验模拟在填充过程期间在衬底上的特征中存在的条件。这些实验的输出可以与各种技术一起使用，以预测特定的浴是否将导致充分填充的特征。

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