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    • 1. 发明专利
    • 難燃性密封材 FLAME RETARDANT SEAL
    • 难燃性密封材 FLAME RETARDANT SEAL
    • TW200519163A
    • 2005-06-16
    • TW093137114
    • 2004-12-02
    • 井上股份有限公司 INOAC CORPORATION羅捷士井上股份有限公司 ROGERS INOAC CORPORATION
    • 佐藤正史 SATO, TADASHI
    • C08L
    • 為提供一難燃性密封材,其具備優異的密封性及難燃性,可使用於高溫環境氣氛般之嚴酷環境下,且適用於高發熱性之電子機器與精密機器。難燃性密封材10係具備由混合物成形而得之彈性片12,該混合物具有:多元醇及異氰酸酯所構成之主原料、包含整泡劑及金屬氫氧化物16之副原料、及造泡用氣體。相對於多元醇100重量份,係混合25~50重量份之金屬氫氧化物16,且以可和異氰酸酯反應的物質當作副原料之稀釋用溶劑。又,該密封材係滿足UL94所規定之難燃性HBF規格,且其25%壓縮負荷為0.03Mpa以下。
    • 为提供一难燃性密封材,其具备优异的密封性及难燃性,可使用于高温环境气氛般之严酷环境下,且适用于高发热性之电子机器与精密机器。难燃性密封材10系具备由混合物成形而得之弹性片12,该混合物具有:多元醇及异氰酸酯所构成之主原料、包含整泡剂及金属氢氧化物16之副原料、及造泡用气体。相对于多元醇100重量份,系混合25~50重量份之金属氢氧化物16,且以可和异氰酸酯反应的物质当作副原料之稀释用溶剂。又,该密封材系满足UL94所规定之难燃性HBF规格,且其25%压缩负荷为0.03Mpa以下。
    • 8. 发明授权
    • Polishing pad
    • 抛光垫
    • US07261625B2
    • 2007-08-28
    • US11050722
    • 2005-02-07
    • Seigo Hishiki
    • Seigo Hishiki
    • B24D17/00
    • B24B37/24B24B37/205B24B37/26
    • A single-layered polishing pad suitable for chemical mechanical polishing (CMP) of semiconductor wafers, etc., which attains excellent step height reduction and in-plane uniformity and is integrally molded by reaction injection molding, is provided. The polishing pad is a polyurethane-based foam 12 having a desired shape, as obtained by molding a gas-dissolved raw material having an inert gas dissolved under pressure in a polyurethane-base resin raw material by a reaction injection molding method, and includes a polishing region 14 having a polishing surface 14a suitable for polishing semi-conductor materials, etc. and having a Shore D hardness in the range of from 40 to 80 and a stress reduction region 16 which is present in the side opposing to the polishing surface 14a and which, when provided with a stress adjusting portion 22 of a desired pattern, is set up so as to have an amount of deflection, as applied with a load of 0.05 MPa, of 10 μm or more.
    • 提供了适用于半导体晶片等的化学机械抛光(CMP)的单层抛光垫,其具有优异的台阶高度降低和面内均匀性,并且通过反应注射成型一体模制。 抛光垫是具有所需形状的聚氨酯系泡沫体12,其通过在反应注射成型法中将通过在压力下溶解的惰性气体的气体溶解原料模制成聚氨酯类树脂原料而得到, 抛光区域14具有适于抛光半导体材料等的抛光表面14a,肖氏D硬度在40至80范围内,应力减小区域16存在于与抛光表面相对的一侧 并且当设置有所需图案的应力调节部分22时,其设置为具有10mum以上的施加0.05MPa的载荷的挠曲量。