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1. 外观设计

TWD193049S 反應管之部分有权
简体标题：反应管之部分
公开(公告)号：TWD193049S
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW106307405
申请日：2017-12-18
申请人：日商日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
设计人：岡嶋優作 , OKAJIMA, YUSAKU , 吉田秀成 , YOSHIDA, HIDENARI , 西堂周平 , SAIDO, SHUHEI , 佐佐木史 , SASAKI, TAKAFUMI , 三村英俊 , MIMURA, HIDETOSHI

2. 外观设计

TWD192485S 基板處理裝置用旋轉器有权
简体标题：基板处理设备用旋转器
公开(公告)号：TWD192485S
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：TW106306961
申请日：2017-11-28
申请人：日商日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
设计人：藤井悟史 , FUJII, SATOSHI

3. 发明专利

TWI632632B 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體有权
简体标题：基板处理设备、半导体设备之制造方法及记录媒体
公开(公告)号：TWI632632B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW106106650
申请日：2017-03-01
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：吉野晃生 , YOSHINO, TERUO , 保井毅 , YASUI, TAKESHI
IPC分类号： H01L21/67

4. 发明专利

TW201822287A 半導體裝置之製造方法、記錄媒體及基板處理裝置审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法、记录媒体及基板处理设备
公开(公告)号：TW201822287A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW105143576
申请日：2016-12-28
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：中山雅則 , NAKAYAMA, MASANORI , 寺崎正 , TERASAKI, TADASHI
IPC分类号： H01L21/66 , G06F17/50
摘要：本發明之課題，在於提高每個基板之處理均勻性。本發明具有：根據第1處理設定使處理裝置動作而處理基板之程序；於使處理進行時取得處理裝置之裝置資料之程序；根據對應於第1處理設定之評估係數與裝置資料來生成處理裝置之第1評估資料之程序；根據第1評估資料，判定處理裝置可執行之配方項目之程序；以及通知配方項目之程序。
简体摘要：本发明之课题，在于提高每个基板之处理均匀性。本发明具有：根据第1处理设置使处理设备动作而处理基板之进程；于使处理进行时取得处理设备之设备数据之进程；根据对应于第1处理设置之评估系数与设备数据来生成处理设备之第1评估数据之进程；根据第1评估数据，判定处理设备可运行之配方项目之进程；以及通知配方项目之进程。

5. 外观设计

TWD191013S 基板溫度測定組件有权
简体标题：基板温度测定组件
公开(公告)号：TWD191013S
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW105302267
申请日：2016-04-27
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
设计人：油谷幸則 , ABURATANI, YUKINORI

6. 发明专利

TW201812907A 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式审中-公开
简体标题：基板处理设备、半导体设备之制造方法及进程
公开(公告)号：TW201812907A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106119983
申请日：2017-06-15
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：油谷幸則 , ABURATANI, YUKINORI , 檜山真 , HIYAMA, SHIN , 竹田剛 , TAKEDA, TSUYOSHI , 大橋直史 , OHASHI, NAOFUMI
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/316 , C23C16/52 , C23C16/54
CPC分类号： H01L21/02271 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/45527 , C23C16/45529 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02178 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H01L21/68742 , H01L21/68792
摘要：本發明之課題在於在重複相異處理而對膜進行處理之方法中，半導體裝置之生產性低的問題。為了解決上述課題，本發明提供一種技術，其具有：對基板進行處理之處理容器；對上述處理容器供給氣體的氣體供給部；控制上述基板之溫度的溫度控制部；與裝置控制部，其進行控制而進行下述處理：使上述溫度控制部將上述基板維持於第一溫度，並且使上述氣體供給部對上述處理容器供給氣體，而形成第1層之處理；使上述溫度控制部將上述基板維持為與上述第一溫度相異之第二溫度，並且使上述氣體供給部對上述處理容器供給氣體，而形成與上述第一層相異之第二層之處理。
简体摘要：本发明之课题在于在重复相异处理而对膜进行处理之方法中，半导体设备之生产性低的问题。为了解决上述课题，本发明提供一种技术，其具有：对基板进行处理之处理容器；对上述处理容器供给气体的气体供给部；控制上述基板之温度的温度控制部；与设备控制部，其进行控制而进行下述处理：使上述温度控制部将上述基板维持于第一温度，并且使上述气体供给部对上述处理容器供给气体，而形成第1层之处理；使上述温度控制部将上述基板维持为与上述第一温度相异之第二温度，并且使上述气体供给部对上述处理容器供给气体，而形成与上述第一层相异之第二层之处理。

7. 发明专利

TW201810362A 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式审中-公开
简体标题：基板处理设备、半导体设备之制造方法及进程
公开(公告)号：TW201810362A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106106672
申请日：2017-03-01
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：八幡橘 , YAHATA, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/677 , H01L21/683 , H01L27/04
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/4408 , C23C16/4412 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01L21/67196 , H01L21/67742 , H01L21/67748 , H01L21/67754
摘要：提供使對基板的處理品質提升的技術。本發明之基板處理裝置係具有：複數處理室，其係處理基板；搬運室，其係搬運基板；複數移載室，其係被設在搬運室與處理室之間，且對應處理室的各個；複數閘閥，其係被設在搬運室與移載室之間；複數第1氣體供給部，其係被設在搬運室，且對通過複數閘閥的位置的基板各個供給惰性氣體；搬運機器人，其係被設在搬運室內，且將基板搬運至移載室；及控制部，其係以當第1氣體供給部的供給孔與通過閘閥的基板的距離為第1距離之時，以第1流量供給惰性氣體，當距離為比第1距離為更長的第2距離之時，以比第1流量為更多的第2流量供給惰性氣體的方式，控制複數第1氣體供給部與搬運機器人。
简体摘要：提供使对基板的处理品质提升的技术。本发明之基板处理设备系具有：复数处理室，其系处理基板；搬运室，其系搬运基板；复数移载室，其系被设在搬运室与处理室之间，且对应处理室的各个；复数闸阀，其系被设在搬运室与移载室之间；复数第1气体供给部，其系被设在搬运室，且对通过复数闸阀的位置的基板各个供给惰性气体；搬运机器人，其系被设在搬运室内，且将基板搬运至移载室；及控制部，其系以当第1气体供给部的供给孔与通过闸阀的基板的距离为第1距离之时，以第1流量供给惰性气体，当距离为比第1距离为更长的第2距离之时，以比第1流量为更多的第2流量供给惰性气体的方式，控制复数第1气体供给部与搬运机器人。

8. 发明专利

TWI616926B 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體有权
简体标题：半导体设备之制造方法、基板处理设备及记录媒体
公开(公告)号：TWI616926B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW105100933
申请日：2016-01-13
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：橋本良知 , HASHIMOTO, YOSHITOMO , 廣瀨義朗 , HIROSE, YOSHIRO , 松岡樹 , MATSUOKA, TATSURU , 原田勝吉 , HARADA, KATSUYOSHI
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/02 , C23C16/50
CPC分类号： H01L21/02274 , C23C16/345 , C23C16/36 , C23C16/452 , C23C16/45542 , C23C16/50 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/32449 , H01J37/32513 , H01J37/32522 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32623 , H01L21/0217 , H01L21/0228

9. 外观设计

TWD188264S 半導體製造裝置用晶舟之部分有权
简体标题：半导体制造设备用晶舟之部分
公开(公告)号：TWD188264S
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106302891
申请日：2017-05-26
申请人：國際電氣半導體服務股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC SEMICONDUCTOR SERVICE INC. , 日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
设计人：三好秀幸 , MIYOSHI, HIDEYUKI , 三部誠 , SAMBU, MAKOTO

10. 发明专利

TWI612561B 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體有权
简体标题：半导体设备之制造方法、基板处理设备及记录媒体
公开(公告)号：TWI612561B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW102143001
申请日：2013-11-26
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：花島建夫 , HANASHIMA, TAKEO , 王杰 , WANG, JIE , 野田孝暁 , NODA, TAKAAKI
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0262 , C23C16/401 , C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/45527 , C23C16/45546 , C23C16/52 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02219 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/28506 , H01L21/28562 , H01L21/32051

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